宏力半導體發(fā)布國內首個(gè)0.18微米電壓可調CDMOS制程
上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體),專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一,近日發(fā)布了國內首個(gè)適用于模擬集成電路和電源管理集成電路的0.18微米電壓可調CDMOS(CMOS、LDMOS 及高壓Bipolar)制程。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/115599.htm與標準0.5和0.35微米的電源管理CDMOS制程相比,宏力半導體的最新0.18微米電壓可調CDMOS擁有更為緊湊的設計規則和包括STI、Co silicide和ONO spacer等在內更為先進(jìn)的工藝模塊,從而可以減小單元尺寸并提高芯片的性能。由5V電壓驅動(dòng)的高壓LDMOS器件的dual-gate解決方案建立在0.18微米CMOS低壓邏輯制程上,由此可以促進(jìn)智能電源管理產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
該制程可調電壓的范圍是NLDMOS(12V-60V)和PLDMOS(12V-45V),其卓越的連續可調特性適用于對電壓有不同要求的電源管理應用??蛻?hù)可在同一個(gè)工藝平臺上調節ESD和Latch up,而無(wú)需在不同電壓的平臺上進(jìn)行工藝的調整。
宏力半導體還特別為這個(gè)制程研發(fā)了一整套功能豐富的模型,以支持全程電壓可調LDMOS晶體管的工作電壓和相關(guān)幾何參數。與此同時(shí),為工藝平臺配套的設計工具包(PDK)提供的Pcells可以讓設計師基于用戶(hù)輸入的最大工作電壓(Vdsmax)、和多指結構中的指寬度和指數目而設計出晶體管的版圖。此外,該設計工具包的關(guān)鍵之處在于應用Rdson(導通電阻)的輸入、最大工作電壓和布局風(fēng)格的功率單元之合成,從而用戶(hù)可以很方便地合成輸出功率單元的版圖。
低Rdson提供了極高的工作效率并允許高負載電流,由此芯片的功耗將減小到最低值。此外,宏力半導體還為電源管理芯片提供了多種工藝選項,包括高壓Bipolars、Zener二極管、 Schottky二極管、頂層厚鋁、懸浮NLDMOS、MIM電容、多晶硅高阻值電阻和OTP。
“宏力半導體是國內第一家成功研發(fā)0.18微米電壓可調CDMOS制程及其設計工具包的晶圓代工廠(chǎng)。該工藝的優(yōu)勢在于通過(guò)高壓Bipolar器件就可滿(mǎn)足目前很多必須使用復雜的BCD工藝的應用需求,由此可幫助客戶(hù)極大地優(yōu)化其產(chǎn)品的成本結構。”銷(xiāo)售市場(chǎng)及服務(wù)資深副總裁衛彼得博士說(shuō),“另外,由于其電壓可調及擁有多個(gè)工藝選項的特性,可以加速設計周期,為客戶(hù)縮短產(chǎn)品投放市場(chǎng)的時(shí)間。這個(gè)新工藝應用十分廣泛,例如電源管理、LED驅動(dòng)、音頻芯片和馬達控制。”
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