宏力半導體0.13微米嵌入式閃存成功量產(chǎn)

　　上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個(gè)產(chǎn)品已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　宏力半導體的0.13微米嵌入式閃存制程結合了其基于SST SuperFlash®(1)上已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。閃存單元尺寸只有0.38平方微米，是目前0.13微米技術(shù)節點(diǎn)上最小的單元尺寸，其卓越的性能還能支持最大到16Mbit的SoC設計，在業(yè)內十分具有競爭力。

　　這一最小的單元同時(shí)還滿(mǎn)足了編程效率高和無(wú)過(guò)度擦除的需求，能讓系統設計師設計出更具競爭優(yōu)勢的嵌入式閃存單元。此新技術(shù)還具有極高的耐擦寫(xiě)能力和數據保持特性，可重復擦寫(xiě)10萬(wàn)次，數據可保留100年。

　　宏力半導體的0.13微米嵌入式閃存制程為客戶(hù)提供了兩種解決方案。Dual-gate特別適合SIM card的客戶(hù)，由于其光罩層數少，模塊尺寸小等優(yōu)勢，在市場(chǎng)上已經(jīng)成為性?xún)r(jià)比最高的解決方案。而Triple-gate適用于通用和低壓產(chǎn)品，應用范圍廣泛，包括MCU、U盤(pán)、智能卡以及汽車(chē)電子市場(chǎng)。

　　宏力半導體經(jīng)過(guò)大量生產(chǎn)驗證的0.13微米嵌入式閃存制程與其0.13微米通用和低壓邏輯制程完全匹配，因此易于遷移。對客戶(hù)而言，良好的兼容特性保證了現有的標準單元庫和IP能夠與新制程無(wú)縫銜接。

　　“自2008年起，宏力半導體已經(jīng)生產(chǎn)了成千上萬(wàn)片0.18微米的嵌入式閃存晶圓，極小的單元尺寸和極少的光罩數，在業(yè)內極具優(yōu)勢，也讓宏力半導體宏力迅速在智能卡市場(chǎng)占據了份額。與此同時(shí)，我們還始終保持著(zhù)95%以上的良率，因而贏(yíng)得了客戶(hù)對我們的信賴(lài)。” 宏力半導體銷(xiāo)售市場(chǎng)服務(wù)單位資深副總衛彼得博士表示，“宏力半導體將于今年年底完成基于0.13微米節點(diǎn)的單元縮小的研發(fā)工作，這個(gè)全新且極具競爭力的嵌入式閃存制程將針對高容量的產(chǎn)品應用。”

　　(1) SuperFlasch® technology is licensed from Silicon Storage Technology, Incorporated (“SST”). SuperFlash® is a registered trademark of SST.