2011年DRAM位元成長(cháng)率上看50%

　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴產(chǎn)計劃，包括興建12寸晶圓廠(chǎng)Line-16，以及將現有Line-15升級至35納米制程，但綜觀(guān)整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(cháng)率，仍都是來(lái)自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過(guò)50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(cháng)率(BitGrowth)將增加50%。

　　三星電子2010年上半宣布的巨額資本支出計劃震撼半導體產(chǎn)業(yè)，其中主要的資本支出都以半導體和面板為主，預計投資在存儲器的金額高達9兆韓元，包括興建12寸晶圓廠(chǎng)Line-16，其月產(chǎn)能將達20萬(wàn)片，以及將現有Line-15升級至35納米制程，同時(shí)也有另一部分的資本支出適用于晶圓代工和邏輯事業(yè)上。

　　不過(guò)，隨著(zhù)2010年下半存儲器景氣反轉，價(jià)格大崩盤(pán)，雖然三星成本相當低，因此穩如泰山，但三星其實(shí)也針對Line-16這做新12寸晶圓廠(chǎng)考慮放緩腳步或是先以NANDFlash芯片為主。

　　不論如何，整個(gè)2011年DRAM產(chǎn)業(yè)主要的位元成長(cháng)性，最大宗仍是來(lái)自于制程微縮的貢獻，其中國際大廠(chǎng)都是積極從40納米制程轉進(jìn)30納米制程，進(jìn)度最快的會(huì )是三星;而臺系DRAM廠(chǎng)則是積極從現有的70納米、60納米或是50納米等，轉進(jìn)40納米制程。

　　其中瑞晶速度最快，預計2011年底前，旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能將100%都轉進(jìn)爾必達的45納米制程，瑞晶未來(lái)在爾必達的制程技術(shù)研發(fā)上，將占有重要角色，瑞晶已成為臺灣第1家向艾司摩爾(ASML)下訂深紫外光(EUV)機臺的DRAM廠(chǎng)。

　　其它象是南亞科、華亞科都將從50納米轉進(jìn)42納米制程，力晶也將從63納米轉進(jìn)45納米制程。

　　根據集邦科技統計，2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(cháng)率(BitGrowth)將增加50%，三星電子預期35納米制程比重將在2011年下半超過(guò)50%，而海力士、爾必達和美光將會(huì )在第2季大量產(chǎn)出30納米制程。

　　再者，對于DRAM價(jià)格走勢，集邦也預期DRAM價(jià)格會(huì )從2011年第1季或是第2季末開(kāi)始反彈，估計2011年個(gè)人計算機(PC)成長(cháng)率將達11.8%，平板計算機(TabletPC)將刺激MobileDRAM成長(cháng)80%。

　　業(yè)者也預期，2011年第1季DRAM價(jià)格如果持續下滑，將給第2季刺激需求出籠一個(gè)很好的引爆點(diǎn)。

　　在終端應用方面，雖然市場(chǎng)都擔心平板計算機或是Netbook流行的趨勢，會(huì )影響DRAM消耗量，對于整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)是開(kāi)倒車(chē)，但在Netbook方面，集邦也預估2011年Netbook存儲器搭載率也會(huì )被拉升至2.13GB，年成長(cháng)率將達105%，而桌上型計算機(DT)和筆記型計算機(NB)的存儲器搭載率將提升36%和31%，會(huì )到4.22GB和4.00GB。