飛思卡爾新RF功率產(chǎn)品降低了面向多載波無(wú)線(xiàn)基站的放大器復雜性和運營(yíng)成本

　　飛思卡爾半導體推出3款新型RF LDMOS功率晶體管，提供在無(wú)線(xiàn)基站收發(fā)器里使用Doherty多載波功率放大器(MCPA)要求的超高輸出電平。

　　飛思卡爾 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S 產(chǎn)品是飛思卡爾RF功率放大器中高壓第8代(HV8)產(chǎn)品系列的最新成員。 它們在1800和1900MHz頻段中，提供飛思卡爾RF LDMOS 功率晶體管產(chǎn)品組合的最高輸出電平。

　　MCPA支持無(wú)線(xiàn)服務(wù)提供商提高現有基站的覆蓋面和功率，不用像過(guò)去那樣經(jīng)常要在每載波里提供一個(gè)專(zhuān)用放大器。 MCPA技術(shù)允許單個(gè)放大器處理多個(gè)載波，從而減少終端產(chǎn)品尺寸和組件數量。 此外，Doherty配置提高了功率放大器的能源效率，并減少了基站每年的運營(yíng)成本。

　　飛思卡爾副總裁兼RF部門(mén)總經(jīng)理Gavin P. Woods表示， “我們設計飛思卡爾HV8組合來(lái)幫助設計人員提高運營(yíng)效率，降低基站系統的整體能耗和運營(yíng)成本。 由于增加了先進(jìn)的MCPA、 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和 MRF8S19260H/S產(chǎn)品，我們的LDMOS產(chǎn)品得到進(jìn)一步擴展，從而為客戶(hù)帶來(lái)更多選擇，以滿(mǎn)足他們的設計需求，特別是滿(mǎn)足大量無(wú)線(xiàn)服務(wù)提供商的要求。”

　　新產(chǎn)品滿(mǎn)足了Doherty放大器體系結構的特殊要求，該體系結構將以AB級模式運行的載波放大器與以效率更高的C類(lèi)模式運行的峰值放大器相組合到一起。 它們的這些特性還能夠特別滿(mǎn)足數字預失真(DPD)電路的要求，從而保證了高階預制方案規定的高線(xiàn)性。

　　晶體管通過(guò)內部匹配提供簡(jiǎn)化的總成，性能十分牢固，而且在32伏的直流電壓中生成10:1 VSWR的額定功率。 它們被安裝到飛思卡爾NI1230陶瓷氣腔封裝包里，提供集成的靜電放電(ESD)保護，從而更好地防止在總成線(xiàn)上所遇到雜散電壓;當以C類(lèi)模式操作時(shí)，-6至+10 V這樣廣泛門(mén)限電壓范圍則能提高其性能。

　　MRF8P18265H/S 是雙路徑器件，在單個(gè)封裝中需要同時(shí)集成載波和峰值放大器來(lái)實(shí)施Doherty末級別放大器。

　　特性：

　　MRF8S18260H/S

　　· 1805 至1880 MHz

　　· P1dB 功率為260W CW

　　· 平均輸出功率達到74W時(shí)，AB類(lèi)漏極效率為31.6%

　　· 增益為17.9 dB

　　MRF8S19260H/S

　　· 1930 至1,990 MHz

　　· P1dB 功率為245W CW

　　· 平均輸出功率達到74W時(shí)，AB類(lèi)漏極效率為 34.5%

　　· 增益為18.2 dB

　　MRF8P18265H/S

　　· 1805 至1880 MHz

　　· 峰值(P3dB)功率為280W

　　· 平均輸出功率達到72W 時(shí)，Doherty漏極效率為43.7%

　　· Doherty增益為16dB