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有效偏置
有效偏置 文章 進(jìn)入有效偏置技術(shù)社區
如何對耗盡型pHEMT射頻放大器進(jìn)行有效偏置？
- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開(kāi)關(guān)頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導率可能會(huì )導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開(kāi)啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡(jiǎn)化框
- 關(guān)鍵字： pHEMT 放大器 有效偏置 偏置電路
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有效偏置介紹
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