Panasonic 電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要
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時(shí)間：2010-08-11
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
“PhotoMOS”的特點(diǎn):
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/111652.htm“PhotoMOS”兼具了EMR(有觸點(diǎn)的機械繼電器)以及SSD(可控硅輸出光電耦合器)兩者的功能，具有以下特點(diǎn)。
- 可對微小的模擬信號進(jìn)行控制(參照圖4)
晶閘管或光電耦合器及一般的SSD，不能控制數百mV以下的信號，但PhotoMOS閉路時(shí)的偏置電壓極低，因此，即使是對微小電壓信號或模擬信號也可進(jìn)行不變形的控制。
- 電路構成簡(jiǎn)單，因此可實(shí)現電路板的小型化以及設計的簡(jiǎn)便化
可將發(fā)光元件、光電元件、功率MOSFET集中到一個(gè)封裝中，而且MOSFET的電路門(mén)極也在封裝中，因此具有較強的抗干擾或抗靜電能力。此外，內置具有自身發(fā)電功能的光電元件，所以不需要外部電源來(lái)驅動(dòng)功率MOSFET。
- 可實(shí)現小輸入信號控制大負載(參照表1)
與光電耦合器相比，因增幅率較大，所以可實(shí)現EMR所不具備的高靈敏度。
- 開(kāi)路時(shí)的漏電流極(參照圖5)
一般的SSD開(kāi)路時(shí)的漏電電流大到數mA，但PhotoMOS即使施加負載電壓400V時(shí)，其漏出電流也僅有1μA以下。
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