中芯國際攜手Synopsys拓展65納米低漏電工藝技術(shù)

　　Synopsys 5月19日宣布開(kāi)始提供用于中芯國際65納米低漏電工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗證的和獲得USB標志認證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識產(chǎn)權(IP)。在65nm技術(shù)日漸成為先進(jìn)IC產(chǎn)品市場(chǎng)主導的今天，中芯的這一舉措有助于其進(jìn)一步拓展65nm產(chǎn)品線(xiàn)，快速量產(chǎn)65納米低漏電工藝，加快客戶(hù)的產(chǎn)品上市時(shí)間。

　　DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專(zhuān)為各種高市場(chǎng)容量移動(dòng)和消費電子應用而設計的，這些應用的關(guān)鍵要求包括要實(shí)現面積最小、低動(dòng)態(tài)和泄漏功耗等特性。此外，DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP內建了調整電路，可支持快速的、芯片加工后的調整，以應對意外的芯片/電路板寄生或工藝變化，而無(wú)需用戶(hù)對現有設計進(jìn)行修改。這一特性使得設計人員能夠提高良品率，并最大限度地降低昂貴的芯片改版成本。

　　“新思科技經(jīng)過(guò)硅驗證的DesignWare USB2.0 nanoPHY IP與中芯國際的低漏電65nm工藝技術(shù)相互融合，使得我們雙方的客戶(hù)能夠容易地將先進(jìn)功能集成到可幫助他們滿(mǎn)足低功耗要求、實(shí)現關(guān)鍵上市時(shí)間目標和快速投入量產(chǎn)的工藝中，”中芯國際高級副總裁兼首席業(yè)務(wù)官季克非表示，“近來(lái)，客戶(hù)充分利用中芯國際65納米低漏電工藝和新思科技USB2.0 nanoPHY IP在硅晶片領(lǐng)域大獲成功，這讓我們信心倍增。我們將加強與新思科技的戰略和協(xié)同關(guān)系，利用我們業(yè)內領(lǐng)先的集成、功率效率和性?xún)r(jià)比，為我們的客戶(hù)提供明顯領(lǐng)先的優(yōu)勢。我們期待著(zhù)與新思科技一如既往地開(kāi)展持續合作，并向更先進(jìn)的工藝制程邁進(jìn)。”