半橋拓撲結構高端MOSFET驅動(dòng)方案選擇：變壓器還是硅芯片？

　　總結：

　　對于需要高能效的應用而言，采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的半橋拓撲結構越來(lái)越受設計人員青睞。但要驅動(dòng)半橋拓撲結構中的高端MOSFET，設計人員面臨著(zhù)是選擇變壓器或是硅芯片等不同驅動(dòng)方案的選擇。本文分析了不同驅動(dòng)方案的設計考慮因素、相關(guān)問(wèn)題及解決之道，并從多個(gè)角度對比了這兩種驅動(dòng)方案。盡管精心設計的話(huà)，這兩種驅動(dòng)方案都可以良好工作，但安森美半導體建議選擇諸如NCP5181這樣的硅芯片驅動(dòng)方案，在簡(jiǎn)化布線(xiàn)及設計的同時(shí)，也可避免變壓器驅動(dòng)方案的諸多問(wèn)題，幫助設計人員縮短設計周期，加快產(chǎn)品上市進(jìn)程。

　　參考資料：

　　1、半橋驅動(dòng)器：采用變壓器還是全硅驅動(dòng)，安森美半導體培訓教程， www.onsemi.com/pub/Collateral/HB%20-%20Half-Bridge%20Drivers,%20a%20Transformer-Based%20Solution%20or%20an%20All-Silicon%20Drive%20-%20bilingual.rev0.pdf

　　2、NCP5181數據手冊，http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NCP5181-D.PDF