閃存芯片文章進(jìn)入閃存芯片技術(shù)社區

鎧俠出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片：連讀寫(xiě)入速率提升 15%、封裝面積減小 18%

IT之家 4 月 23 日消息，鎧俠今日宣布出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可選，專(zhuān)為包括高端智能手機在內的下一代移動(dòng)應用打造。256GB：THGJFMT1E45BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB：THGJFMT2E46BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB：THGJFMT3E86BATZ，封
關(guān)鍵字：鎧俠 UFS 4.0 閃存芯片

西部數據NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展，新任CEO揭曉

月5日，西部數據宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專(zhuān)注經(jīng)營(yíng)核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過(guò)程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí)，將為即將分拆的閃存和傳統硬盤(pán)業(yè)務(wù)任命CEO。西部數據稱(chēng)，現任西部數據全球運營(yíng)執行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續以西部數據的身份運營(yíng)?，F任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門(mén)成立的新公司，出任新公司執行長(cháng)。圖片來(lái)源：西部數據西部數據與鎧俠合并進(jìn)展如何？據悉，自2021年以來(lái)，西部數據及
關(guān)鍵字：閃存芯片 NAND Flash 西部數據

6.5EB的閃存芯片被污染，漲價(jià)已成為事實(shí)

根西數和鎧俠的報告，這兩家工廠(chǎng)可能會(huì )造成多達16EB的閃存被浪費，影響到本季度閃存市場(chǎng)10%的份額。不光近期準備發(fā)布新品的蘋(píng)果公司收到了影響，原本芯片就很緊缺，加上現在又出現閃存污染的問(wèn)題，對于那些依賴(lài)西部數據和鎧俠閃存的廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，更是巨大的打擊，就包括了微軟、索尼、谷歌等知名廠(chǎng)商。加上相關(guān)事件引發(fā)市場(chǎng)恐慌，已有消息稱(chēng)群聯(lián)第一時(shí)間調漲模組報價(jià)15%，其它廠(chǎng)商則暫停報價(jià)。然而在這方面，也并不全是壞消息，競爭對手三星、海力士和美光這幾個(gè)巨頭，會(huì )從此類(lèi)事件受益。其中SK海力士和美光的股價(jià)，在盤(pán)后交易中應聲上漲了
關(guān)鍵字：閃存芯片西部數據鎧俠

2022年裝機要趁早：閃存芯片即將迎來(lái)漲價(jià)

日前鎧俠及西數位于日本的NAND閃存工廠(chǎng)爆發(fā)污染事故，導致6.5EB容量的閃存芯片受到影響，這一黑天鵝事件給全球閃存行業(yè)帶來(lái)了不確定性，原本價(jià)格還在下滑，但是最新預測稱(chēng)Q2季度閃存價(jià)格將會(huì )轉向上漲5-10%。來(lái)自集邦科技的分析認為，原本NAND閃存全年都有微幅的供過(guò)于求壓力，今年上半年價(jià)格都有下滑壓力，但是現在的情況變了，1月份三星位于西安的工廠(chǎng)受到疫情影響，2月份這又曝出鎧俠、西數閃存芯片受污染的事故。集邦科技認為在當前的情況下，Q1季度閃存芯片價(jià)格跌幅會(huì )收窄到5-10%，而Q2季度價(jià)格則會(huì )反轉，變成漲
關(guān)鍵字：裝機閃存芯片

三星西安量產(chǎn)高端閃存芯片

　　一期投資70億美元的三星(中國)半導體有限公司9日舉行竣工典禮，標志其世界領(lǐng)先的高端閃存芯片正式量產(chǎn)，西安也有望成為全球電子信息技術(shù)領(lǐng)先的生產(chǎn)研發(fā)基地。陜西省委書(shū)記趙正永、省長(cháng)婁勤儉，國家工業(yè)和信息化部部長(cháng)苗圩、韓國駐中國大使權寧世，三星電子首席執行官權五鉉等出席了竣工典禮。　　三星(中國)半導體2012年9月開(kāi)工，被稱(chēng)為中國改革開(kāi)放以來(lái)單筆投資最大的外商投資高科技項目，也是三星迄今為止最大的一筆海外投資。整個(gè)項目園區占地約114萬(wàn)平方米，總建筑面積約23萬(wàn)平方米，將生產(chǎn)目前最先進(jìn)的10納米級NA
關(guān)鍵字：三星閃存芯片

三星項目擬明年上半年正式投產(chǎn)

　　6月29日至30日，韓國總統樸槿惠在國事訪(fǎng)問(wèn)期間到訪(fǎng)西安，并蒞臨三星項目工地視察。日前，三星(中國)半導體有限公司在接受本報記者獨家專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)表示，樸槿惠總統的蒞臨令三星集團以及西安項目建設團隊備受鼓舞，三星將做好本職工作,生產(chǎn)出最先進(jìn)的產(chǎn)品,為陜西和西安的經(jīng)濟發(fā)展作出貢獻,回報關(guān)心和支持三星項目的陜西和西安人民。　　總統提出殷切期望　　樸槿惠總統是歷史上首次訪(fǎng)問(wèn)西安的韓國總統?！皹汩然菘偨y視察三星項目后表示，希望三星西安項目的成功建設能夠促進(jìn)中國西部大開(kāi)發(fā)戰略發(fā)展，并將中國和韓國推向
關(guān)鍵字：三星閃存芯片

64GB NAND閃存芯片需求保持強勁

　　根據行業(yè)觀(guān)察家表示，受智能手機和平板電腦強勁需求推動(dòng)，64GB NAND閃存市場(chǎng)一直在增長(cháng)，高密度芯片價(jià)格高居不下，反映當前供不應求市場(chǎng)狀況。　　智能手機和平板電腦市場(chǎng)對NAND芯片需求旺盛，也對現貨市場(chǎng)上的芯片供應帶來(lái)了負面的影響，即NAND閃存芯片廠(chǎng)商優(yōu)先供應系統制造商表示，許多下游模塊廠(chǎng)和渠道分銷(xiāo)商已經(jīng)無(wú)力獲得穩定的供貨。　　供應緊張狀況，鼓勵芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤的訂單，比如為智能手機提供容量高達64GB的NAND閃存芯片，并且獲利高于功能手機和其他消費電子產(chǎn)品。　　有消息表示，目
關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片

東芝上一財年營(yíng)業(yè)利潤下降14%至26億美元

　　據路透社報道，東芝表示，受日元走強和歐債危機導致的需求量下滑等因素影響，其上一財年營(yíng)業(yè)利潤下降14%。　　東芝周二表示，截止3月31日，其年度營(yíng)業(yè)利潤下降至2066.5億日元(約合26億美元)。這一數據比湯森路透I/B/E/S對22位分析師調查得到的2087億日元的結果略小。　　東芝稱(chēng)，市場(chǎng)對于電視機和個(gè)人電腦的需求量仍然萎靡，但蘋(píng)果對其生產(chǎn)的閃存芯片的需求在持續上升。　　東芝預測，由于蘋(píng)果iPhone和iPad的暢銷(xiāo)，其營(yíng)業(yè)利潤在本財年將上升45%，達到3000億日元。　　湯森路透I
關(guān)鍵字：東芝閃存芯片

Spansion開(kāi)始批量生產(chǎn)最高密度單芯片512 Mb串行閃存

行業(yè)領(lǐng)先的并行和串行NOR閃存芯片供應商Spansion公司(紐約證交所代碼：CODE)，日前宣布已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)512 Mb Spansion? FL-S串行(SPI) NOR閃存，該芯片是業(yè)界單顆裸片最高容量的串行閃存方案。Spansion FL-S系列產(chǎn)品容量涵蓋128Mb至1Gb，具有比同類(lèi)競爭產(chǎn)品快三倍的業(yè)界領(lǐng)先編程速度和快20%的雙倍數據讀取速率(DDR)。速度的提升在諸多的嵌入式應用中極大地提高了用戶(hù)體驗，例如汽車(chē)組合儀表盤(pán)和信息娛樂(lè )系統、工業(yè)和醫療圖形顯示以及家用網(wǎng)關(guān)和機頂盒。
關(guān)鍵字： Spansion 閃存芯片 FL-S

三星閃存芯片項目選址西安一期投資70億美元

　　新華網(wǎng)西安3月22日電(記者陳鋼姜辰蓉)記者22日從西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區獲悉，韓國三星電子公司當日宣布，其擬在中國大陸建設的閃存芯片項目已經(jīng)選址西安市。　　陜西省、西安市相關(guān)方面與三星電子公司22日在西安進(jìn)行的工作會(huì )談中，三星電子常務(wù)金秀峰表示，三星電子考慮在西安建設的存儲器研發(fā)和生產(chǎn)工廠(chǎng)，將采用世界最領(lǐng)先的技術(shù)，第一步投資70億美元，計劃2013年底投產(chǎn)。　　西安是我國重要的新一代信息技術(shù)生產(chǎn)和研發(fā)基地，三星電子閃存芯片項目計劃在西安南郊的國家級西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區建設。　　據介紹
關(guān)鍵字：三星閃存芯片

東芝聯(lián)手SanDisk開(kāi)發(fā)全球最小128Gb閃存芯片

　　東芝周四表示，該公司已經(jīng)與閃存技術(shù)開(kāi)發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit(16GB)NAND閃存芯片。　　該閃存芯片采用19nm新工藝，大小為170平方毫米，比一枚普通硬幣還小。　　該閃存芯片運用3-bit-per-cell存儲技術(shù)。該存儲技術(shù)雖然比2-bits-per-cell存儲技術(shù)更為高效，但存在穩定性不強的問(wèn)題。這也意味著(zhù)該閃存芯片將首先用于記憶棒和記憶卡。　　據悉，作為蘋(píng)果等公司主要供應商的東芝將于本月開(kāi)始生產(chǎn)這種閃存芯片。　　隨著(zhù)芯片生產(chǎn)商爭相追逐更小的芯片
關(guān)鍵字：東芝閃存芯片

三星在華建閃存芯片工廠(chǎng)計劃獲批 6個(gè)月內動(dòng)工

　　三星電子公司(SamsungElectronicsCo)擬在中國大陸投資建閃存芯片廠(chǎng)的計劃已經(jīng)得到韓國知識經(jīng)濟部(MinistryofKnowledgeEconomy)的批準，最快有望在未來(lái)六個(gè)月內動(dòng)工開(kāi)建。在中國大陸建閃存芯片廠(chǎng)將加強三星公司在中國電子市場(chǎng)上的地位，預計未來(lái)幾年內中國將超過(guò)美國成為全球最大的消費電子市場(chǎng)。　　閃存芯片是一種移動(dòng)存儲產(chǎn)品，廣泛應用于音樂(lè )播放器、智能手機和平板電腦中。三星公司計劃在中國生產(chǎn)的是NAND型閃存芯片，主要用于固態(tài)硬盤(pán)和大容量數碼存儲卡。韓國知識經(jīng)濟部在周三
關(guān)鍵字：三星閃存芯片

三星在華建閃存芯片工廠(chǎng)計劃獲批 6個(gè)月內動(dòng)工

　　1月4日道瓊斯報道說(shuō)，三星電子公司(Samsung Electronics Co)擬在中國大陸投資建閃存芯片廠(chǎng)的計劃已經(jīng)得到韓國知識經(jīng)濟部(Ministry of Knowledge Economy )的批準，最快有望在未來(lái)六個(gè)月內動(dòng)工開(kāi)建。在中國大陸建閃存芯片廠(chǎng)將加強三星公司在中國電子市場(chǎng)上的地位，預計未來(lái)幾年內中國將超過(guò)美國成為全球最大的消費電子市場(chǎng)。　　閃存芯片是一種移動(dòng)存儲產(chǎn)品，廣泛應用于音樂(lè )播放器、智能手機和平板電腦中。三星公司計劃在中國生產(chǎn)的是NAND型閃存芯片，主要用于固態(tài)硬盤(pán)和大容
關(guān)鍵字：三星閃存芯片

三星計劃在中國設閃存芯片廠(chǎng) 或耗資40億美元

　　三星電子今日宣稱(chēng)，由于智能手機和平板電腦的熱銷(xiāo)將會(huì )繼續推動(dòng)芯片行業(yè)的發(fā)展，該公司計劃在中國設立一家閃存芯片生產(chǎn)廠(chǎng)。韓國分析師估計，三星可能會(huì )投資40億美元左右來(lái)興建該廠(chǎng)。這個(gè)生產(chǎn)廠(chǎng)，如果獲得批準，將是三星在國際上設立的第二個(gè)芯片生產(chǎn)廠(chǎng)，這也反映出中國市場(chǎng)已變得越來(lái)越重要了。作為全球頂級內存芯片和平面顯示屏生產(chǎn)商，三星還計劃在中國設立一個(gè)平面顯示屏生產(chǎn)基地。　　目前，三星在國際上設立的唯一一個(gè)芯片生產(chǎn)廠(chǎng)位于美國德克薩斯州奧斯丁市。　　這個(gè)新的生產(chǎn)線(xiàn)“將使我們能夠滿(mǎn)足消費者日益增長(cháng)的需
關(guān)鍵字：三星閃存芯片

出貨不如預期閃存芯片價(jià)格小幅下跌

　　受到諸多全球總體經(jīng)濟復蘇的不確定變數干擾，2011部份的NAND Flash終端應用產(chǎn)品出貨量將不如預期，及3Q11受過(guò)剩庫存去化影響而使傳統備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場(chǎng)買(mǎi)氣依然疲弱，但某些系統客戶(hù)的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場(chǎng)需求仍相對地穩定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。　
關(guān)鍵字：閃存芯片 NAND

共67條 1/5 1 2 3 4 5 »

閃存芯片介紹

閃存芯片目錄閃存芯片簡(jiǎn)介閃存介紹閃存的分類(lèi) 閃存的速度其實(shí)很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點(diǎn)擦除操作尋址決定NAND型閃存的因素1．頁(yè)數量 2．頁(yè)容量 3．塊容量 4．I/O位寬 5．頻率 6．制造工藝閃存芯片簡(jiǎn)介閃存介紹閃存的分類(lèi) 閃存的速度其實(shí)很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點(diǎn) 擦除操作尋址決定NAND型閃存的因素 1．頁(yè)數量 2．頁(yè) [ 查看詳細 ]

閃存芯片 文章 進(jìn)入閃存芯片技術(shù)社區

閃存芯片介紹

熱門(mén)主題

閃存芯片文章進(jìn)入閃存芯片技術(shù)社區