利用低端柵極驅動(dòng)器IC進(jìn)行系統開(kāi)發(fā)

　　在驅動(dòng)同步整流器時(shí)，驅動(dòng)器和功率開(kāi)關(guān)之間的串聯(lián)柵極電阻往往被忽略，但在實(shí)際中常常使用2到20歐姆的這樣一個(gè)電阻，原因有三：第一，可抑制功率開(kāi)關(guān)柵極電容和柵極驅動(dòng)回路漏電感之間的振鈴電流，如圖3所示，因為過(guò)多的振鈴電流會(huì )增加EMI，并因快速切換開(kāi)關(guān)而增加損耗。其次，可減慢開(kāi)關(guān)速度，從而降低EMI，不過(guò)會(huì )導致更高的開(kāi)關(guān)損耗。第三個(gè)可能的原因是，使用一個(gè)串聯(lián)柵極驅動(dòng)電阻可以把驅動(dòng)器的柵極驅動(dòng)損耗部分轉移到該外接電阻上，而總的柵極驅動(dòng)損耗保持不變。

　　對于具有控制良好的輸入閾值的驅動(dòng)器IC，可以利用串聯(lián)電阻外加驅動(dòng)器輸入端的小接地電容，在控制路徑上插入固定延時(shí)。如圖4所示，在增加柵極驅動(dòng)變壓器和若干其它元件之后，低端驅動(dòng)器還可以用于驅動(dòng)高端(浮動(dòng))開(kāi)關(guān)，作為高壓驅動(dòng)器IC的一種替代方案。這么做的主要原因是，越過(guò)隔離邊界，縮短傳播延遲，實(shí)現更穩健的驅動(dòng)電路。

　　熱設計

　　由于驅動(dòng)器IC的功耗相當顯著(zhù)，故應該關(guān)注熱設計問(wèn)題。這是一個(gè)兩步過(guò)程：首先估算驅動(dòng)器的功耗，然后計算結溫，確保其在設計限制范圍內。對于這里討論的簡(jiǎn)單柵極驅動(dòng)電路(控制驅動(dòng)和非諧振)，與功率MOSFET或IGBT每周期開(kāi)/關(guān)有關(guān)的總柵極驅動(dòng)損耗可從開(kāi)關(guān)的資料表給出的總柵極電荷曲線(xiàn)求得，即讀取對應所選柵極驅動(dòng)電壓VDD的總柵極電荷Qg，然后按下式計算：