英飛凌日立開(kāi)發(fā)90納米硬盤(pán)驅動(dòng)器

    英飛凌科技股份公司宣布推出一款先進(jìn)的硬盤(pán)驅動(dòng)器讀取信道內核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司共同開(kāi)發(fā)，是適用于下一代硬盤(pán)驅動(dòng)器的高集成控制器芯片開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一個(gè)里程碑。 

    英飛凌副總裁兼專(zhuān)用集成電路和設計解決方案事業(yè)部（ADS）總經(jīng)理Sandro Cerato說(shuō)：“采用90納米工藝制造讀取信道內核，使硬盤(pán)驅動(dòng)器行業(yè)能夠滿(mǎn)足下一代產(chǎn)品要求，包括更高的數據率、更低的能耗和更小的晶片面積，從而能夠以更具競爭力的成本推出更高級的片上系統（SOC）解決方案。首例經(jīng)過(guò)測試的內核芯片，鎖相環(huán)路(PLL)能夠達到3.6GHz的速度，而模擬前端信號通道可以實(shí)現高達2.7Gb/s的數據率。和采用130納米工藝的先進(jìn)讀取信道相比，性能提高約50%?！?nbsp;

    市場(chǎng)分析公司Gartner Dataquest于2005年8月發(fā)表的研究報告表明，在移動(dòng)和臺式設置應用的推動(dòng)下，全球硬盤(pán)驅動(dòng)器產(chǎn)品市場(chǎng)規模預計將從2005年的33億美元增長(cháng)到2009年的45億美元，增幅近30%。 

     新一代讀取信道技術(shù)可以支持一些高級的功能，如垂直錄寫(xiě)，并利用第二代反向并聯(lián)編碼技術(shù)來(lái)大幅提高存儲密度，實(shí)現更佳的信噪比（SNR）性能。 


       英飛凌的90納米讀取信道內核立足于一個(gè)通用架構，適用于所有硬盤(pán)驅動(dòng)器細分市場(chǎng)（如企業(yè)級、臺式、移動(dòng)和超低功耗應用等）。按照每個(gè)細分市場(chǎng)的特定目標參數進(jìn)行定制化設計，能夠滿(mǎn)足不同硬盤(pán)驅動(dòng)器平臺的要求。 


       目前英飛凌正在開(kāi)發(fā)另一種讀取信道內核產(chǎn)品，用于電池供電設備，旨在實(shí)現極低的功耗。由于采用了能夠支持手機等便攜產(chǎn)品的英飛凌90納米工藝，這種產(chǎn)品還能實(shí)現超長(cháng)的待機時(shí)間和更佳的泄漏電流表現。

(摘自http://www.ednchina.com)