三星電子計劃2010年將DRAM市占率提升至45%

　　據Korea Times報導，全球最大存儲器制造商三星電子(Samsung Electronics)計劃于2010年將全球DRAM市場(chǎng)市占率提升至45%。

　　三星高層透露，三星看好存儲器芯片市場(chǎng)的未來(lái)展望，計劃于2010年將全球DRAM市占率提升至45%，同時(shí)，這項策略代表三星將從2009年預期的36%市占率，提升9個(gè)百分點(diǎn)。

　　三星發(fā)言人Kin Choon-gon不愿證實(shí)這項消息，表示此訊息相當敏感，僅透露三星預期2010年在DRAM市場(chǎng)市占率將些微增加數個(gè)百分點(diǎn)。

　　此外，三星高層表示，受惠于智能型手機銷(xiāo)售增加，三星也計劃2010年將于NAND Flash市場(chǎng)的市占率由2009年預期的40%提升至45%。

　　三星于DRAM和NAND Flash市場(chǎng)皆為領(lǐng)導廠(chǎng)商，根據研究機構DRAMeXchange資料，至2009年第3季為止，三星在DRAM市場(chǎng)市占率為31.1%，NAND Flash市場(chǎng)則為38.5%;此外，三星2010年的目標透露三星對存儲器芯片產(chǎn)業(yè)的積極態(tài)度。

　　三星投資關(guān)系(Investor Relations team)負責人Robert Yi表示，2009年三星投資于存儲器芯片的金額約為4兆韓元(約35億美元)，而2010年投資金額至少將增加至5.5兆韓元。

　　此外，三星芯片部門(mén)負責人Kwon Oh-hyun表示，2010年全球存儲器產(chǎn)業(yè)將成長(cháng)16%，同時(shí)，Kwon Oh-hyun預期2010年市場(chǎng)將供不應求，存儲器價(jià)格將持續止跌回升。

　　投資機構Woori Investment分析師Park Young-joo表示，三星有可能達成調升的目標，三星先進(jìn)的技術(shù)和低成本優(yōu)勢將幫助三星增加市占率，此外，三星的芯片部門(mén)為帶動(dòng)三星凈利提升的主要動(dòng)力。

　　三星日前表示計劃于2012年增加半導體營(yíng)收至255億美元，較2009年的預期營(yíng)收166億美元成長(cháng)超過(guò)50%。