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9月26日，韓國存儲芯片大廠(chǎng)SK海力士宣布，率先業(yè)界開(kāi)始量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E內存，達成了現有HBM產(chǎn)品中最大36GB容量的目標。
SK海力士表示，高帶寬內存（HBM）是一種高附加值、高性能的內存。與現有的DRAM產(chǎn)品相比，通過(guò)垂直互聯(lián)多個(gè)DRAM芯片，使數據處理速度顯著(zhù)提高。該產(chǎn)品按照HBM第1代（HBM）-第2代（HBM2）-第3代（HBM2E）-第4代（HBM3）-第5代（HBM3E）的順序開(kāi)發(fā)，HBM3E是HBM3的擴展版。
SK海力士指出，現有的HBM3E最大容量為24GB，由8顆3GB DRAM芯片垂直堆疊而成，公司將在2024年底前向客戶(hù)提供相關(guān)產(chǎn)品，這是繼2024年3月在業(yè)界率先向客戶(hù)供應8層堆疊HBM3E內存之后，僅時(shí)隔6個(gè)月再次展現出其壓倒性的技術(shù)實(shí)力。
SK海力士強調，自2013年全球首次推出第一代HBM（HBM1）內存，到先前推出第五代HBM（HBM3E）之后，公司是唯一一家開(kāi)發(fā)完成，并能向市場(chǎng)供應全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。SK海力士率先成功量產(chǎn)12層堆疊的產(chǎn)品，在針對AI的內存所需要的速度、容量、穩定性等所有方面都已達到全球最高水準，不僅滿(mǎn)足了AI企業(yè)日益發(fā)展的需求，同時(shí)也進(jìn)一步鞏固了SK海力士在針對AI的內存市場(chǎng)的領(lǐng)導者地位。
SK海力士進(jìn)一步指出，該新產(chǎn)品的運行速度提高至現有內存的最高速度9.6Gbps，其是在以搭載四個(gè)HBM的單個(gè)GPU運行大型語(yǔ)言模型（LLM）Llama 3 70B時(shí)，每秒可讀取35次700億個(gè)整體參數的水準。而堆疊12顆3GB DRAM芯片，達成與現有的8層堆疊產(chǎn)品相同的厚度，同時(shí)容量提升50%。為此，SK海力士還將單個(gè)DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技術(shù)（TSV）技術(shù)垂直堆疊。
此外，SK海力士也解決了在將變薄的芯片堆疊更多時(shí)產(chǎn)生的結構性問(wèn)題。公司將其核心技術(shù)先進(jìn)MR-MUF技術(shù)應用到此次產(chǎn)品中，放熱性能較上前一代提升了10%，并增強了控制翹曲問(wèn)題，從而確保了穩定性和可靠性。
SK海力士AI Infra業(yè)務(wù)社長(cháng)金柱善表示，“我們再次突破了技術(shù)壁壘，證明了我們在面向AI的內存市場(chǎng)中獨一無(wú)二的主導地位。為了迎接AI時(shí)代的挑戰，我們將穩步準備下一代內存產(chǎn)品，以鞏固全球頂級針對AI的內存供應商的地位?！?/p>
編輯：芯智訊-林子
