三星正努力將其第二代3nm制程良率提升至20%

9月13日消息，據《韓國時(shí)報》報道，三星電子正迫切需要提高其人工智能 （AI） 處理器的代工制造良率，以爭取英偉達、高通等芯片大廠(chǎng)的高端芯片的訂單。

報道稱(chēng)，三星代工廠(chǎng)的3nm制程（應該是指三星第二代3nm GAA制程）在今年第一季度之前一直保持在個(gè)位數，這也導致了其 Exynos 2500 芯片組的工程樣品供應延遲。

韓國分析師認為，三星在第二季度設法將良率提高到近 20%，但這仍然不足以進(jìn)行大規模生產(chǎn)，因為這需要至少 60% 的良率。在這種背景下，三星似乎正在努力提高尖端制程的良率，以獲得代工訂單，而非快速擴大產(chǎn)能。

據行業(yè)官員稱(chēng)，該公司最近調整了在其位于京畿道平澤的最新工廠(chǎng) P4 安裝設備的計劃，以?xún)?yōu)先生產(chǎn)先進(jìn)的 DRAM 內存，例如高帶寬內存 （HBM） 芯片。該工廠(chǎng)最初計劃從 NAND 的設備安裝開(kāi)始，然后是晶圓代工，最后是 DRAM 產(chǎn)品。但是，由于代工訂單增長(cháng)緩慢，因此設備訂單已被更改。有傳言稱(chēng)，鑒于對 AI 服務(wù)器中使用的HBM和其他先進(jìn)內存產(chǎn)品的穩定需求，三星可能會(huì )決定將 P4 專(zhuān)門(mén)用于制造存儲芯片。

在此背景下，三星對其位于美國德克薩斯州泰勒的工廠(chǎng)的投資面臨質(zhì)疑。該公司此前公布的計劃是建設一座4nm晶圓廠(chǎng)和一座2nm晶圓廠(chǎng)，并計劃在2024年量產(chǎn)4nm芯片，但最新的消息顯示，三星已經(jīng)將該計劃推遲到 2026 年，同時(shí)撤出了泰勒工廠(chǎng)的大量工作人員，這標志著(zhù)其先進(jìn)的代工業(yè)務(wù)遭受重大挫折。

雖然據報道 4nm 工藝的良率穩定，但三星3nm良率較低，并且計劃在2025年量產(chǎn)2nm的努力仍存在阻礙。最新的一份報告稱(chēng)，提到三星被迫撤出大量位于德克薩斯州的泰勒工廠(chǎng)人員，是因為其2nm制程的良率僅在 10-20% 的范圍內。

雖然三星代工業(yè)務(wù)獲得了英偉達（Nvidia）的 8nm 芯片訂單，例如用于汽車(chē)的 Tegra 和 2020 年的 RTX 3000 系列GPU 。然而，它尚未成功獲得更先進(jìn)的 AI 處理器的訂單，例如英偉達 H 系列或 Blackwell 系列GPU，這些處理器需要更先進(jìn)的制造工藝，并且還需要足夠高的良率，才是三星獲得大客戶(hù)高端芯片訂單的前置條件。

也有報道稱(chēng)，三星可能會(huì )將重點(diǎn)轉移到 2nm 芯片而不是 4nm 芯片上，以確保未來(lái)更先進(jìn)產(chǎn)品的訂單。然而，報告表明，該公司在提高 2nm工藝和 3nm工藝的制造良率方面都面臨著(zhù)挑戰。

此前有報道稱(chēng)，三星的代工良率目前低于 50%，尤其是 3nm以下的工藝，而臺積電的3nm工藝良率約為 60-70%。這種良率差距將兩家公司之間的市場(chǎng)份額差距擴大到 50.8 個(gè)百分點(diǎn)，臺積電在第二季度占據了 62.3% 的全球代工市場(chǎng)，而三星僅為 11.5%。

“三星代工累計虧損的核心原因之一是良率低，”一位半導體行業(yè)官員表示?！霸摴驹O法穩定了 4nm工藝的良率，但尚未在更先進(jìn)的工藝中做到這一點(diǎn)，例如第二代 3 nm或2nm工藝?！?/p>

三星沒(méi)有披露其代工業(yè)務(wù)的單獨收益，但市場(chǎng)觀(guān)察家估計，該公司在今年上半年出現了約 1.5 萬(wàn)億韓元（11.2 億美元）的經(jīng)營(yíng)虧損。

“三星在HBM業(yè)務(wù)中的成就仍然達不到像三星這樣的品牌應該預期的水平，其代工部門(mén)仍在與虧損作斗爭，”尤金投資與證券分析師李承宇說(shuō)?！耙虼?，三星半導體業(yè)務(wù)今年第三季度的營(yíng)業(yè)利潤預計將下降至 5.5 萬(wàn)億韓元?！?/p>

編輯：芯智訊-浪客劍