傳三星2nm良率最多20%，已撤出美國泰勒廠(chǎng)人員

9月12日消息，據韓媒Business Korea報道，由于 2nm 良率持續存在問(wèn)題，三星電子已決定從其位于美國的泰勒工廠(chǎng)撤出人員，這標志著(zhù)其先進(jìn)的代工業(yè)務(wù)遭受重大挫折。該決定是在大規模生產(chǎn)時(shí)間表一再推遲之后做出的，現在量產(chǎn)時(shí)間已從原來(lái)的2024年底推遲到了2026年。

三星對于美國泰勒工廠(chǎng)最初設想為 4nm以下先進(jìn)工藝的大規模生產(chǎn)中心，目的是靠近主要的美國客戶(hù)，為他們提供本地化的制造服務(wù)。然而，盡管工藝開(kāi)發(fā)迅速，但三星仍面臨 2nm 良率的挑戰，與其主要競爭對手臺積電相比，不僅性能較低且量產(chǎn)能力不足，良率也更低。

三星的代工良率目前低于 50%，尤其是 3nm以下的工藝，而臺積電的3nm工藝良率約為 60-70%。這種良率差距將兩家公司之間的市場(chǎng)份額差距擴大到 50.8 個(gè)百分點(diǎn)，臺積電在第二季度占據了 62.3% 的全球代工市場(chǎng)，而三星僅為 11.5%。

一位業(yè)內人士評論說(shuō)：“三星的 GAA （應該是指三星2nm制程）良率率在 10-20% 左右，這對于訂單和批量生產(chǎn)來(lái)說(shuō)都是不夠的。這種低良率迫使三星重新考慮其戰略，并從泰勒工廠(chǎng)撤出人員，只留下極少的員工。

報道稱(chēng)，為了解決良率問(wèn)題，三星董事長(cháng)李在镕親自拜訪(fǎng)了 ASML 和 Zeiss 等主要設備供應商，努力尋找工藝和良率改進(jìn)的突破口。盡管做出了這些努力，但并未取得重大成就，而且將人員重新部署到泰勒工廠(chǎng)的時(shí)間仍不確定。

相比之下，臺積電位于美國亞利桑那州的第一座晶圓廠(chǎng)在今年4月就已經(jīng)開(kāi)始基于4nm制程進(jìn)行工程測試晶圓的生產(chǎn)，其良率已經(jīng)與臺積電位于中國臺灣的南科廠(chǎng)良率相當。

值得注意的是，今年4月，美國商務(wù)部宣布已與三星電子簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據《芯片和科學(xué)法案》向三星電子提供高達64億美元的直接補貼資金，以加強美國半導體供應鏈的彈性，推進(jìn)美國的技術(shù)領(lǐng)導地位，并增強美國的全球競爭力。

作為協(xié)議的一部，三星承諾未來(lái)幾年將在美國德克薩斯州投資金額由原來(lái)的170億美元提升至超過(guò)400億美元，擬議的投資將把三星在德克薩斯州的現有業(yè)務(wù)轉變?yōu)橐粋€(gè)全面的生態(tài)系統，用于在美國開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)尖端芯片，包括兩個(gè)新的領(lǐng)先邏輯晶圓廠(chǎng)、一個(gè)研發(fā)工廠(chǎng)和位于泰勒市的一個(gè)先進(jìn)封裝工廠(chǎng)，以及擴建他們現有的奧斯汀工廠(chǎng)。預計將支持創(chuàng )造超過(guò)20,000個(gè)就業(yè)機會(huì )。

其中，對于德克薩斯州泰勒市的投資將包括兩個(gè)領(lǐng)先的邏輯代工廠(chǎng)，專(zhuān)注于4nm和2nm工藝技術(shù)的大規模生產(chǎn)，一個(gè)致力于開(kāi)發(fā)和研究當前生產(chǎn)節點(diǎn)之前的技術(shù)代的研發(fā)工廠(chǎng)，以及一個(gè)生產(chǎn)3D高帶寬存儲器和2.5D封裝的先進(jìn)封裝設施。

現在看來(lái)，由于2nm良率問(wèn)題，三星泰勒工廠(chǎng)的2nm晶圓廠(chǎng)項目將要大幅推后，之前部署的人員撤出也是自然。不過(guò)，由于美國“芯片法案”補貼本身就有設置很多限制條款，三星在泰勒工廠(chǎng)的投資進(jìn)度延后，必然會(huì )影響到美國商務(wù)部基于“芯片法案”對其承諾的64億美元補貼資金的落實(shí)。

編輯：芯智訊-浪客劍