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9月4日，晶圓代工廠(chǎng)商力積電宣布，AMD等美國及日本廠(chǎng)商將以力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù)，結合一線(xiàn)晶圓代工廠(chǎng)的先進(jìn)邏輯制程，開(kāi)發(fā)高帶寬、高容量、低功耗的3D AI芯片，為大型語(yǔ)言模型AI應用及AI PC提供低成本、高效能的解決方案。
針對AI帶來(lái)的對于GPU與HBM需求，力積電推出的高密度電容IPD的2.5D Interposer（中介層），也通過(guò)了國際大廠(chǎng)認證，將在力積電銅鑼新廠(chǎng)導入量產(chǎn)。
此前，力積電與工研院合作開(kāi)發(fā)了全球首款專(zhuān)為生成式AI應用所設計的3D AI芯片，剛拿下2024 World R&D100 AI芯片大獎，同時(shí)于今年SEMICON Taiwan 2024大展發(fā)布了3D晶圓堆疊的Logic-DRAM芯片制程技術(shù)，以此創(chuàng )新制程生產(chǎn)的3D AI芯片，應用在人工智能推論（Inference）系統，已展現數據傳輸帶寬是傳統AI芯片10倍、功耗僅七分之一的優(yōu)異性能。
力積電近年大力研發(fā)的3D晶圓堆疊Logic-DRAM芯片制程技術(shù)，目前已和AMD、日本GPU芯片設計業(yè)者及多家國際系統大廠(chǎng)聯(lián)手，以力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù)，與一線(xiàn)晶圓代工大廠(chǎng)先進(jìn)邏輯制程合作開(kāi)發(fā)新型3D AI芯片，發(fā)揮3D晶圓堆疊的優(yōu)勢。
根據不同客戶(hù)的AI芯片設計需求，力積電表示，透過(guò)合作伙伴愛(ài)普公司設計定制化DRAM芯片，再加上Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù)，與現有采用HBM的2.5D AI芯片構架相較，新款3D AI芯片能在相同單位面積提供高達100倍傳輸帶寬、龐大內存容量。
另外，為支持GPU與HBM2E、HBM3的傳輸，力積電根據客戶(hù)需求開(kāi)發(fā)的2.5D Interposer搭配高密度電容IPD產(chǎn)品，已通過(guò)國際大廠(chǎng)的認證，目前該公司正積極在銅鑼新廠(chǎng)布建生產(chǎn)線(xiàn)，以因應客戶(hù)需求加速導入量產(chǎn)。
編輯：芯智訊-林子
