Magnachip推出用于智能手機的第8代短溝道MOSFET

7月31日消息，韓國半導體廠(chǎng)商美格納半導體（Magnachip）近日宣布推出用于智能手機電池保護電路的第 8 代 MXT LV MOSFET（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管），用于管理智能手機電池保護設計中的功耗。

美格納在其新型 12V 雙 N 溝道 MOSFET （MDWC12D024PERH） 中首次引入了其專(zhuān)有的超短通道 FET II （SSCFET? II） 技術(shù)。SSCFET II 是美格納的最新設計技術(shù)，可顯著(zhù)縮短通道長(cháng)度，從而降低 RSS（on）。

與相同尺寸的上一代產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的RSS（on）源電阻降低了約22%。這種減少降低了功率損耗，縮短了智能手機的充電時(shí)間，并在快速充電模式下將智能手機的內部溫度降低了約 12%。

隨著(zhù)全球智能手機制造商在智能手機中增強AI功能，MOSFET產(chǎn)品的重要性與日俱增。新型 12V MXT LV MOSFET 具有高功率效率，并針對高端智能手機（尤其是設備上的 AI 智能手機）中的各種電池保護應用進(jìn)行了優(yōu)化。

根據市場(chǎng)研究公司 Omdia 的數據，從 2024 年到 2028 年，設備上 AI 智能手機的出貨量預計將以年均 50% 的速度增長(cháng)，到 2028 年將達到 6.06 億部。

美格納首席執行官 YJ Kim 表示：“繼去年年初超短通道 FET I 技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)品的成功推出之后，美格納現已推出升級的超短通道 FET II 技術(shù)。我們計劃在今年下半年繼續開(kāi)發(fā)創(chuàng )新的高密度蜂窩溝槽技術(shù)，并推出針對智能手機、智能手表和耳機的先進(jìn)電源解決方案?！?/p>

編輯：芯智訊-浪客劍