全球半導體進(jìn)入增長(cháng)周期，但喜憂(yōu)參半

AI人工智能浪潮推動(dòng)全球半導體產(chǎn)業(yè)走出“陰霾”，迎來(lái)了較為明顯的增長(cháng)，這可以從近期業(yè)界披露的各項產(chǎn)業(yè)數據得到佐證。不過(guò)縱觀(guān)全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局，各地區發(fā)展節奏并不相同，歐美半導體擴產(chǎn)潮開(kāi)始遇到阻力，東南亞市場(chǎng)則不斷崛起。全球半導體市場(chǎng)喜憂(yōu)參半，機遇、挑戰并存，看點(diǎn)仍舊十足。

近期，半導體行業(yè)協(xié)會(huì )（SIA）發(fā)布數據顯示，今年第二季度全球半導體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額累計達1499億美元，同比增長(cháng)18.3%，環(huán)比增長(cháng)6.5%。其中，今年6月單月銷(xiāo)售額達500億美元，同比增長(cháng)22.9%，環(huán)比增長(cháng)1.7%。業(yè)界指出，這是自2022年4月以來(lái)全球半導體增長(cháng)率創(chuàng )下的新高。生成式AI的蓬勃發(fā)展，帶動(dòng)了整體半導體產(chǎn)業(yè)的需求上升。

存儲器與晶圓代工兩大行業(yè)受AI驅動(dòng)，正呈現出良性發(fā)展的態(tài)勢。

存儲器領(lǐng)域，AI生成式大模型應用同時(shí)為DRAM以及NAND Flash帶來(lái)利好：AI應用需要使用高性能GPU，與之相關(guān)的HBM需求水漲船高。全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示，隨著(zhù)AI芯片的迭代，單一芯片搭載的HBM（高帶寬內存）容量也明顯增加。在A(yíng)I芯片與單芯片容量的增長(cháng)推動(dòng)下，對產(chǎn)業(yè)整體的HBM的消耗量有顯著(zhù)提升，2024年預估年增率將超過(guò)200%，2025年HBM消耗量將再翻倍。

AI也需要更高存儲容量的閃存產(chǎn)品，企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)關(guān)注度持續提升。集邦咨詢(xún)表示，由于A(yíng)I需求大幅升溫，最近兩季AI服務(wù)器相關(guān)客戶(hù)向供應商進(jìn)一步要求加單Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)），預計今年AI相關(guān)SSD采購容量將超過(guò)45EB，未來(lái)幾年，AI服務(wù)器有望推動(dòng)SSD需求年增率平均超過(guò)60%。上游供應商為了滿(mǎn)足SSD在A(yíng)I應用上的供給，加速制程升級，開(kāi)始規劃推出2YY產(chǎn)品，預期于2025年量產(chǎn)。

晶圓代工方面，由于A(yíng)I大模型應用熱度有增無(wú)減，推動(dòng)AI芯片需求高漲，先進(jìn)制程成為“香餑餑”，迎來(lái)漲價(jià)與擴產(chǎn)潮。今年年初臺積電已經(jīng)告知客戶(hù)，5/3nm制程產(chǎn)品將在2024年漲價(jià)。7月下旬臺積電陸續向多家客戶(hù)發(fā)出通知，2025年1月起 5/3nm制程產(chǎn)品價(jià)格將再度調漲，按投片規劃、產(chǎn)品與合作關(guān)系等不同，漲幅約落在3~8%。

先進(jìn)制程火熱發(fā)展行情吸引晶圓廠(chǎng)加速布局2nm、1nm等更新產(chǎn)品，今年年初臺積電告知客戶(hù)，5/3nm制程產(chǎn)品將在2024年漲價(jià)。臺積電、三星規劃2025年量產(chǎn)2nm，Rapidus則計劃同年開(kāi)始試產(chǎn)2nm。此外，2027年至2030年，業(yè)界有望看到1nm級別芯片量產(chǎn)。

全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展此消彼長(cháng)，當前歐美半導體擴產(chǎn)步伐受補貼、勞動(dòng)力資源不足等因素影響，有所放緩，與此同時(shí)，亞洲市場(chǎng)以東南亞為代表的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展加速。

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大廠(chǎng)布局歐美市場(chǎng)遇阻

臺積電、三星、英特爾等大廠(chǎng)在歐美市場(chǎng)的相關(guān)半導體項目推遲，其中臺積電美國亞利桑那州首座晶圓廠(chǎng)原計劃今年量產(chǎn)，推遲至2025年上半年；當地第二座晶圓廠(chǎng)計劃于2026年量產(chǎn)，延期至2028年。

英特爾將在俄亥俄州建設兩家新的尖端晶圓廠(chǎng)，計劃2025年開(kāi)始芯片制造。由于市場(chǎng)低迷以及美國補貼發(fā)放延遲，英特爾推遲了該芯片項目。經(jīng)過(guò)調整，英特爾俄亥俄州一號項目的Fab1和Fab2兩座工廠(chǎng)將推遲至2026~2027年完工，約2027~2028年正式投運。此外，英特爾在德國馬格德堡投資300億歐元興建的Fab 29.1和Fab 29.2兩座晶圓廠(chǎng)原本計劃在2023年下半年開(kāi)工，但是由于歐盟補貼的推遲確認、建廠(chǎng)地區需要移除黑土，英特爾已經(jīng)將開(kāi)工時(shí)間將推遲到2025年5月。

三星位于美國得克薩斯州泰勒市的首座晶圓廠(chǎng)原定于2024年投產(chǎn)，今年媒體報道三星該座晶圓廠(chǎng)的量產(chǎn)時(shí)間推遲到了2026年。另?yè)襟w最新消息，三星提出在美國德州建立存儲芯片工廠(chǎng)的大規模投資計劃，不過(guò)美國商務(wù)部半導體支持法案辦公室決定不提供與此計劃相關(guān)的財務(wù)支持，業(yè)界分析，這等同于拒絕三星在美國建立存儲芯片工廠(chǎng)。

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東南亞半導體產(chǎn)業(yè)逐漸崛起

亞洲市場(chǎng)東南亞地區的半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)初具規模，并呈現出快速發(fā)展的態(tài)勢，馬來(lái)西亞與新加坡是典型代表，越南則是新勢力。

馬來(lái)西亞在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈封測端扮演著(zhù)重要角色，全球半導體觀(guān)察不完全統計，約50家半導體企業(yè)先后在馬來(lái)西亞布局后道封測廠(chǎng)，包括英特爾、美光、德州儀器、恩智浦、日月光、安世半導體、英飛凌、華天科技、通富微電、蘇州固锝、瑞薩電子、安森美、安靠、意法半導體等。

今年5月，馬來(lái)西亞公布了一項國家半導體戰略（National Semiconductor Strategy，簡(jiǎn)稱(chēng)NSS），將關(guān)注集成電路設計、先進(jìn)封裝與制造設備，以及存儲芯片領(lǐng)域的發(fā)展。

新加坡是東南亞半導體生產(chǎn)重鎮，具備設計、制造、封裝、測試到設備、材料、分銷(xiāo)等各個(gè)環(huán)節的半導體完整產(chǎn)業(yè)鏈，包括德州儀器、意法半導體、英飛凌、美光、格芯、臺積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、日月光等許多半導體企業(yè)紛紛在新加坡開(kāi)設分公司或擴大工廠(chǎng)。其中，晶圓代工領(lǐng)就有臺積電、格芯、聯(lián)電、世界先進(jìn)在此建廠(chǎng)，涉及8英寸以及12英寸工廠(chǎng)。

半導體產(chǎn)業(yè)是越南9個(gè)國家級產(chǎn)品之一，已被列入越南未來(lái)30~50年國家發(fā)展重點(diǎn)之一。根據《越南半導體微芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰略草案》，越南計劃到2030年，致力于成為全球半導體芯片產(chǎn)業(yè)的設計、封裝和測試中心。目前，越南已經(jīng)吸引了英特爾、日月光、三星電子、安靠、高通、安森美、瑞薩、TI、NXP美滿(mǎn)、新思科技、恒諾微電子、安培等外資企業(yè)。

最新消息顯示，越南近日成立國家半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展指導委員會(huì )。指導委員會(huì )主要任務(wù)和職能包括幫助總理和政府研究指導、配合解決有關(guān)推動(dòng)與越南半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展有關(guān)的重要和跨部門(mén)事務(wù)；研究、咨詢(xún)、建議推動(dòng)越南半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的方向和解決方案；指導各部門(mén)、政府機構、有關(guān)機關(guān)和組織間的配合，有力推動(dòng)越南半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。