10:57 更新：韓媒 Hankyung 報道稱(chēng)，三星否認了這一傳聞，澄清說(shuō)這“并不屬實(shí)”，并且公司正在持續進(jìn)行質(zhì)量評估。7 月 4 日消息，韓媒 NewDaily 報道稱(chēng)，三星電子通過(guò)了英偉達的 HBM3e（高帶寬內存）質(zhì)量測試。三星即將開(kāi)始大規模生產(chǎn) HBM 內存芯片，并就供應問(wèn)題與英偉達展開(kāi)談判。
▲ 三星電子 HBM3e 12 層產(chǎn)品三星電子最近收到了來(lái)自英偉達的 HBM3e 質(zhì)量測試 PRA（產(chǎn)品準備批準）通知。這是三星應英偉達要求，派遣負責 HBM 內存開(kāi)發(fā)的高管前往美國一個(gè)多月后取得的成果。據此前報道，今年 3 月，英偉達 CEO 黃仁勛表示已經(jīng)開(kāi)始驗證三星的 HBM 內存芯片。5 月有消息稱(chēng)三星 HBM 內存芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題未通過(guò)英偉達測試。黃仁勛在 2024 臺北國際電腦展上，表示仍在認證三星公司的 HBM 內存，否認三星 HBM 未通過(guò)任何英偉達測試。外媒稱(chēng)，三星迫切需要向英偉達供應 HBM，通過(guò)英偉達測試意味著(zhù)從下半年開(kāi)始，HBM 的業(yè)績(jì)可能實(shí)現“飛躍”。受此消息影響，三星電子股價(jià) 7 月 4 日上漲 3.6%，達到 4 月 12 日以來(lái)的最高點(diǎn)；SK 海力士（英偉達 HBM 內存的主要供應商之一）股價(jià)下跌 4.7%，創(chuàng ) 6 月 24 日以來(lái)最大跌幅。來(lái)源：IT之家
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