半導體代工的競爭格局將在2027年發(fā)生變化

為了應對芯片短缺和地緣政治影響，無(wú)晶圓廠(chǎng)客戶(hù)通過(guò)與多家代工廠(chǎng)合作來(lái)分散風(fēng)險，這可能會(huì )導致IC成本增加以及對重復訂單的擔憂(yōu)。

TrendForce最新調查結果顯示，截至2023年，臺灣地區約占全球半導體代工產(chǎn)能的46%，其次是中國本土（26%）、韓國（12%）、美國（6%）和日本（2%）。然而，由于多國的政府激勵和補貼促進(jìn)本地生產(chǎn)，預計到2027年，臺灣地區和韓國的半導體產(chǎn)能將分別下降至41%和10%。

在先進(jìn)制造工藝（包括16/14納米及更先進(jìn)技術(shù)）方面，臺灣地區在2023年以68%的全球產(chǎn)能份額處于領(lǐng)先地位，其次是美國（12%）、韓國（11%）和中國本土（8%）。與此同時(shí)，臺灣地區在EUV生成工藝（例如7納米及以上）方面占據近80%的份額。

針對半導體制造產(chǎn)能集中的情況，對先進(jìn)工藝需求較高的美國正在積極鼓勵和支持臺積電、三星、英特爾等大公司。到2027年，美國先進(jìn)工藝產(chǎn)能的份額預計將增加到17%，盡管臺積電和三星仍將占這一產(chǎn)能的一半以上。

日本還計劃回歸半導體制造，積極支持本土公司Rapidus，目標是達到最先進(jìn)的2納米工藝。他們的目標是在北海道創(chuàng )建一個(gè)半導體集群，并向包括日本先進(jìn)半導體制造公司（JASM）和PSMC仙臺工廠(chǎng)（JSMC）在內的外國公司提供補貼。

中國本土正在積極關(guān)注成熟的工藝技術(shù)（28納米及更早的技術(shù)），特別是為了應對美國、日本和荷蘭對先進(jìn)設備的出口管制。到2027年，中國本土成熟工藝產(chǎn)能占比預計將達到39%，如果設備采購進(jìn)展順利，還有進(jìn)一步增長(cháng)的空間。

然而，隨著(zhù)中國本土制造商在政府補貼的支持下迅速擴大其成熟的工藝能力，這可能會(huì )導致CIS、DDI、PMIC和功率分立器件等產(chǎn)品的激烈價(jià)格競爭，從而影響聯(lián)電、PSMC和Vanguard等臺系代工廠(chǎng)。Vanguard預計受到的影響最大，因為其產(chǎn)品線(xiàn)包括LDDI、SDDI、PMIC和功率分立器件。其他公司如聯(lián)電和PSMC將保持在28/22nm OLED DDI和存儲器領(lǐng)域的優(yōu)勢。

為了應對芯片短缺和地緣政治影響，無(wú)晶圓廠(chǎng)客戶(hù)通過(guò)與多家代工廠(chǎng)合作來(lái)分散風(fēng)險，這可能會(huì )導致IC成本增加以及對重復訂單的擔憂(yōu)?？蛻?hù)還需要對生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行全球驗證，即使是與長(cháng)期代工合作伙伴合作，以實(shí)現靈活的產(chǎn)能調整。因此，代工廠(chǎng)必須應對更大規模的產(chǎn)能和價(jià)格競爭，同時(shí)需要保持盈利能力、產(chǎn)能調整的靈活性、新的產(chǎn)能折舊壓力和技術(shù)領(lǐng)先地位。