FPC焊點(diǎn)剝離失效分析
一、案例背景
FPC在后續組裝過(guò)程中,連接器發(fā)生脫落。在對同批次的樣品進(jìn)行推力測試后,發(fā)現連接器推力有偏小的現象。據此進(jìn)行失效分析,明確FPC連接器脫落原因。
#1、#2樣品連接器脫落連接器脫落;#3樣品連接器未脫落;#4樣品連接器推力OK。
二、分析過(guò)程
#1 樣品
1、外觀(guān)分析
測試結果:剝離面呈現灰黑色,表面平整,有少量錫殘留。
2、剝離面分析
▼ SEM分析
測試結果:剝離面平整,表面呈現Ni晶格狀態(tài),有少量錫殘留。
▼ EDS分析
測試結果:P含量為14.92%,呈異常狀態(tài)。
3、失效點(diǎn)斷面分析
▼ 斷面金相分析
暗場(chǎng)光
明場(chǎng)光
測試結果:FPC側焊盤(pán)表面焊錫剝離,兩端有焊錫殘留。
▼ 斷面SEM/EDS分析
1)PCB側切片SEM分析:
測試結果:剝離面處于FPC富磷層,富磷層厚度高達1.24μm,且FPC Ni層存在貫穿性Ni腐蝕。
2)FPC側切片SEM分析:
測試結果:FPC殘留錫位置有明顯的貫穿性Ni腐蝕,形成的IMC層呈現塊狀。部分位置IMC層偏厚,富磷層厚度為0.69μm。
3)FPC側切片EDS分析:
測試結果:富磷層P含量為21.24%(說(shuō)明Ni過(guò)渡析出),正常Ni層P含量為9.97%。
#2 樣品
1、外觀(guān)分析
#2-1
#2-2
測試結果:剝離面呈現灰黑色,表面平整,有少量錫殘留。
2、剝離面分析
▼ SEM分析
測試結果:剝離面平整,表面呈現Ni晶格狀態(tài),僅有少量錫殘留。
▼ EDS分析
測試結果:P含量為15.32%,呈現異常狀態(tài)。
3、失效點(diǎn)斷面分析
▼ 斷面金相分析
暗場(chǎng)光
明場(chǎng)光
測試結果:PCB側焊盤(pán)表面焊錫剝離,引腳兩側有焊錫殘留。
▼ 斷面SEM/EDS分析
1)PCB側切片SEM分析:
測試結果:FPC殘留錫位置形成的IMC層呈現塊狀,厚度嚴重超標。同時(shí)富磷層厚度高達1.20μm,FPC Ni層存在腐蝕現象。
2)局部SEM分析:
測試結果:剝離面處于FPC富磷層,富磷層厚度為1.15μm。
3)FPC側切片EDS分析:
測試結果:富磷層P含量為16.27%(說(shuō)明Ni過(guò)渡析出),正常Ni層P含量為11.37%,IMC層Cu含量偏高。
4、MARK點(diǎn)PAD分析
▼ 選取FPC上的一個(gè)MRAK點(diǎn),采用化學(xué)褪金后對其進(jìn)行觀(guān)察分析
1)表面SEM分析:
測試結果:MARK點(diǎn)褪金后觀(guān)察其表面狀態(tài),有明顯的Ni層腐蝕異常。
2)表面EDS分析:
測試結果:表面P含量最大值11.33%。
3)切片斷面SEM分析:
測試結果:Ni層未見(jiàn)明顯異常。
4)斷面EDS分析:
測試結果:Ni層P含量9.97%。
#3 樣品
1、外觀(guān)分析
測試結果:未發(fā)現明顯異常。
2、X-RAY分析
#3-1
#3-2
#3-3
測試結果:#3樣品焊點(diǎn)氣泡較多(圖片中白色陰影為焊點(diǎn))
3、連接器焊點(diǎn)斷面分析
▼ 斷面金相分析
暗場(chǎng)光
明場(chǎng)光
測試結果:焊接潤濕性良好。
▼ 斷面SEM/EDS分析
1)SEM分析:
測試結果:焊接IMC層呈現離散、塊狀、厚度大等異常。富磷層厚度遠超正常(0.2-0.5μm)狀態(tài),在0.8μm以上。
3)EDS分析:
測試結果:富磷層P含量為12.59%,正常Ni層P含量為9.18%。
#4 樣品
1、外觀(guān)分析
測試結果:未發(fā)現明顯異常。
2、X-RAY分析
#4-1
#4-2
測試結果:焊點(diǎn)氣泡較多。
3、連接器焊點(diǎn)斷面分析
▼ 斷面SEM/EDS分析
1)SEM分析:
測試結果:富磷層1.03μm,IMC層呈現塊狀、超厚等現象。整體說(shuō)明焊接質(zhì)量存在明顯的缺陷。
2)EDS分析:
測試結果:富磷層P含量為16.04%(說(shuō)明Ni過(guò)渡析出),正常Ni層P含量為8.51%,IMC層Cu含量偏高。
三、分析結果
綜合以上分析,推斷連接器脫落的原因為FPC鎳層腐蝕及焊點(diǎn)強度低,具體失效解析如下:
① FPC鎳鍍層存在明顯的鎳腐蝕,降低了焊點(diǎn)的連接強度;
② 連接器與FPC焊接形成的富磷層在1μm左右,IMC層呈現塊狀、離散、超厚的異?,F象,遠超出合理范圍,在這種狀態(tài)下,焊點(diǎn)強度會(huì )明顯降低。
四、改善建議
① 對鎳腐蝕現象進(jìn)行工藝控制;
② 對SMT回流制程的參數進(jìn)行優(yōu)化,使IMC及富磷層狀態(tài)符合要求(IMC厚度0.5-3.5μm,連續、致密,富磷層厚度0.2-0.5μm)。
騰昕檢測有話(huà)說(shuō):
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