壯志凌云！三星半導體宣布：4年超越英偉達、5年擊敗臺積電！
加入技術(shù)交流群
來(lái)源：EETOP
根據韓國媒體報道，三星半導體4日在KAIST（韓國科學(xué)技術(shù)院）舉行了一場(chǎng)演講上，三星設備解決方案部門(mén)總裁慶桂顯（Kye hyun Kyung）提出了5年內三星晶圓代工在先進(jìn)制程方面，將超越競爭對手臺臺積電的未來(lái)愿景。
根據韓國經(jīng)濟日報報道，Kye Hyun Kyung承認當前三星的晶圓代工技術(shù)落后于臺積電。他表示，三星的4納米技術(shù)較臺積電落后大約兩年，而其3納米技術(shù)則較臺積電落后大約一年。不過(guò)，等到2納米技術(shù)之際就會(huì )發(fā)生變化。他還進(jìn)一步的大膽預測，三星可以在5年內超越臺積電。
報道指出，三星預計在未來(lái)5年內超越臺積電的想法，是基于三星打算從3納米制程技術(shù)開(kāi)始使用Gate All Around制程技術(shù)開(kāi)始。GAA 工藝技術(shù)是下一代的先進(jìn)晶圓代工技術(shù)，可提供為更高的運算性能、更低的功耗、以及最佳的芯片設計。
三星指出，相較于臺積電仍采用的FinFET技術(shù)，三星GAA制程技術(shù)能生產(chǎn)出比臺積電面積減少45%、運算效能增加45%，能耗提升達50%的芯片。Kye Hyun Kyung指出，當前客戶(hù)對三星電子的3納米GAA制程技術(shù)的反映很好。
Kye Hyun Kyung 進(jìn)一步強調，三星也在努力開(kāi)發(fā)半導體的先進(jìn)封裝技術(shù)，以保持領(lǐng)先于競爭對手。他解釋?zhuān)S著(zhù)半導體制成微縮變得越來(lái)越困難，性能最終將通過(guò)先進(jìn)封裝來(lái)提升。因此，三星在2022年成立了一個(gè)先進(jìn)封裝開(kāi)發(fā)團隊，公司預計在3到4年內會(huì )有顯著(zhù)技術(shù)發(fā)展。而且，在不久的將來(lái)，存儲器在人工智能（AI）服務(wù)器中的重要性將超過(guò)英偉達GPU的重要性。因此，預計到2028年，我們將使發(fā)布以存儲器為中心的超級計算機。
事實(shí)上，先前有報道指稱(chēng)，三星表示近期旗下的4納米制程良率已獲得了改善、接近5納米制程的水平，而下一代的4納米制程將提供更高的良率。也因為4納米制程良率獲得改善情況下，在當前臺積電4納米產(chǎn)能吃緊時(shí)，傳出處理器大廠(chǎng)AMD將部分4納米制程處理器訂單交由三星生產(chǎn)的消息。另外，Google 也將委托三星生產(chǎn)其Pixel 8 智能手機使用的Tensor 3 處理器，預計采用三星的第三代4納米節點(diǎn)制程。
*博客內容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布，僅代表博主個(gè)人觀(guān)點(diǎn)，如有侵權請聯(lián)系工作人員刪除。
