來(lái)源：EDN電子技術(shù)設計
據韓媒報道，三星電子計劃最早于本周開(kāi)始試產(chǎn)采用GAA工藝的3nm產(chǎn)品，并稱(chēng)第一個(gè)客戶(hù)是中國的半導體公司。業(yè)界評價(jià)稱(chēng)，雖然不是一般意義上的“量產(chǎn)”，但因為它是全球首個(gè)采用GAA（gate-all-around）工藝的3nm生產(chǎn)，因此有意義。據悉，美國高通公司也收到了一份“回饋”，表示可以通過(guò)委托生產(chǎn)部分數量。與利用電流通道作為三面的現有PIN PET結構不同，GAA是利用四面的新一代晶體管結構。與FinFET結構相比，它具有更精確的電流控制能力和更高的功率效率，因此被認為是實(shí)現超細半導體線(xiàn)寬的必要技術(shù)。據韓媒稱(chēng)，三星3nm GAA 工藝的第一個(gè)客戶(hù)為 PanSemi（上海磐矽半導體技術(shù)有限公司），據了解，PanSemi已與三星代工的最大客戶(hù)高通公司達成協(xié)議，可以隨時(shí)委托生產(chǎn)采用3nm工藝的芯片。據分析，這是為了應對臺灣晶片企業(yè)TSMC的3納米工程出現問(wèn)題的情況，提前確保三星電子的3納米工程剩余部分的戰略。 此前，高通原計劃利用三星電子的3nm工程生產(chǎn)移動(dòng)AP(應用程序處理器)，但由于三星電子不滿(mǎn)足收率條件，所以將轉為委托給了TSMC。三星電子設定了今年上半年量產(chǎn)全球首個(gè)3納米GAA工藝的目標。這一立場(chǎng)在第一季度業(yè)績(jì)公布后的電話(huà)會(huì )議中得到了再次確認。通過(guò)此次試產(chǎn)，三星電子“上半年量產(chǎn)3nm”的承諾有望兌現。但據了解，此次生產(chǎn)接近于試產(chǎn)，是通過(guò)對產(chǎn)品進(jìn)行測試，而非一般意義上的量產(chǎn)。 業(yè)界認為，三星電子實(shí)際上正在生產(chǎn)全球首個(gè) GAA 3nm 工藝這一事實(shí)意義重大。三星電子曾指出，由于缺乏與 3nm 工藝相關(guān)的 IP（知識產(chǎn)權）以及良率低迷，3nm 工藝發(fā)展并不順利。近日，也有觀(guān)察稱(chēng)，3nm工藝量產(chǎn)計劃推遲。三星電子對此反駁稱(chēng)，“3納米量產(chǎn)計劃正在如期進(jìn)行，沒(méi)有任何挫折，今年上半年將開(kāi)始量產(chǎn)?！?/span>一位業(yè)內人士表示，“即使是在試產(chǎn)階段，通過(guò)提高 3nm GAA 工藝的技術(shù)和良率，對三星電子的安全保障也有很大幫助。目前還不清楚?！?nbsp;據觀(guān)察，使用實(shí)際 3nm 工藝的量產(chǎn)時(shí)間可能需要再觀(guān)察一段時(shí)間。有人說(shuō)，三星電子全面量產(chǎn)GAA 3nm的時(shí)間最早是今年年底，最遲是明年上半年。同時(shí)，臺積電正準備量產(chǎn)基于 FinFlex 的 3nm 工藝（N3）。Finflex 是一種提供現有 FinFET 結構的技術(shù)，可根據芯片設計人員所需的各種選項進(jìn)行定制。例如在3N工藝的基礎上，頻率最高的3-2 FIN、兼顧性能和效率的2-2 FIN、強調功率效率的1-2 FIN都可以混合使用在同一個(gè)裸片上?；镜腘3工藝將從今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，改進(jìn)后的工藝將在之后量產(chǎn)。END
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