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博客專(zhuān)欄

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改變中國半導體的5個(gè)名字

發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2022-06-28 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

來(lái)源:半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

圖片

黃昆、謝希德、王守武、林蘭英、湯定元以及眾多中國半導體事業(yè)的開(kāi)拓者們,以熱情哺育事業(yè),以堅持履行信仰。


作者:一寶

時(shí)代造就英雄,英雄跨越時(shí)代,中國的半導體事業(yè)由他們開(kāi)創(chuàng )。站在巨人的肩膀上,更要知道巨人本身。

圖片黃昆:中國半導體奠基人圖片

黃昆,著(zhù)名物理學(xué)家、國家最高科學(xué)技術(shù)獎獲得者、中國半導體的奠基人。黃昆1941年畢業(yè)于燕京大學(xué)物理系,1951年—1977年在北京大學(xué)物理系任教授,1977年—1983年任中國科學(xué)院半導體研究所所長(cháng)。2002年,黃昆榮獲2001年度國家最高科學(xué)技術(shù)獎。2019年7月6日16時(shí)17分,黃昆因病在京逝世,享年86歲。

引領(lǐng)中國半導體研究進(jìn)入世界前沿

1945年抗日戰爭勝利時(shí),黃昆前往布里斯托大學(xué)留學(xué),師從著(zhù)名的理論物理學(xué)家、后來(lái)榮獲諾貝爾獎的莫特教授,攻讀當時(shí)剛剛形成學(xué)科的固體物理學(xué)博士學(xué)位。

1951年,黃昆懷著(zhù)振興中華、報效祖國的殷切心情,回到北京大學(xué)物理系任教?;貒痪?,就全身心地投入到普通物理課的教學(xué)工作,建立富有特色的普通物理教學(xué)體系,對此后幾十年中,北大以至全國的普通物理教學(xué)產(chǎn)生巨大影響。1955年首次在本科生中開(kāi)設《固體物理》這門(mén)課程。后來(lái),國家教委根據他的建議將《固體物理》列為物理專(zhuān)業(yè)的一門(mén)基礎課。同年,黃昆先生邀請王守武、洪朝生、湯定元三位先生,與他們合作在北大物理系為固體物理專(zhuān)門(mén)化半導體方向的學(xué)生首次開(kāi)設《半導體物理》課程。此后黃昆先生對此課程不斷加以發(fā)展,并與謝希德先生合作,寫(xiě)出按當時(shí)國際標準來(lái)說(shuō)也是十分先進(jìn)和系統的《半導體物理學(xué)》一書(shū)。

1956年,我國第一個(gè)中長(cháng)期科技規劃提出將發(fā)展半導體技術(shù)作為四項緊急措施之一。同年在黃昆先生的建議下,北京大學(xué)、復旦大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、東北人民大學(xué)(吉林大學(xué)前身)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)物理系創(chuàng )辦了我國第一個(gè)半導體專(zhuān)業(yè),即五校聯(lián)合半導體物理專(zhuān)門(mén)化。黃昆任半導體教研室主任。該專(zhuān)業(yè)培養的學(xué)生,大多數已成為我國半導體和集成電路的科研骨干,因此學(xué)界也將這個(gè)專(zhuān)業(yè)稱(chēng)為“半導體的黃埔軍校第一期”。中國科學(xué)院院士王陽(yáng)元就是半導體專(zhuān)業(yè)的第一批學(xué)生。

1977年,58歲的黃昆調至中國科學(xué)院半導體研究所任所長(cháng),重新開(kāi)始科研工作。他十分重視全所學(xué)術(shù)水平的提高,在組織全所科研工作完成國家任務(wù)的同時(shí),還親自給研究人員講課,組織全所科研人員開(kāi)展學(xué)術(shù)交流。在黃昆的主持下,科研人員針對國際上在超晶格理論存在的疑難問(wèn)題重新開(kāi)展了研究。1988年,黃昆與朱邦芬合作建立了“黃-朱模型”,解決了超晶格領(lǐng)域存在20多年的難題,提出了對現代光電子產(chǎn)生深遠影響的原創(chuàng )理論,并推動(dòng)了相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展。

“渡重洋迎朝暉心系祖國傲視功名富貴如草芥,攀高峰歷磨難志興華夏欣聞徒子徒孫盡棟梁?!边@是北京大學(xué)學(xué)子為黃昆先生在世時(shí)所作的壽聯(lián),以“創(chuàng )造知識”為樂(lè ),為自己的國家填補科技空白,這是黃昆內心的真正快樂(lè )。

圖片謝希德:一代女杰圖片

謝希德,著(zhù)名固體物理學(xué)家、中科院院士、復旦大學(xué)原校長(cháng)。18歲時(shí),謝希德因患骨關(guān)節結核而被迫休學(xué)四年。由于治療條件差,給她留下了殘疾的后遺癥,走路始終一瘸一拐。1946年謝希德從廈門(mén)大學(xué)數理系畢業(yè),1947年赴美國留學(xué);1949年獲得碩士學(xué)位后她轉入麻省理工學(xué)院專(zhuān)攻理論物理;1952年繞道英國回到中國并被分配到上海復旦大學(xué)物理系任教授;1956年被國務(wù)院調到北京大學(xué)聯(lián)合籌建半導體專(zhuān)業(yè)組;1958年謝希德又調回復旦大學(xué),參加該大學(xué)與中國科學(xué)院上海分院聯(lián)合主辦的技術(shù)物理研究所,并任該所副所長(cháng);1980年當選為中國科學(xué)院院士,1983年1月出任復旦大學(xué)校長(cháng)。2000年3月4日謝希德逝世于上海,享年79歲。

中國半導體之母

在上世紀50年代,中國決定采用蘇聯(lián)的大學(xué)教材,與美國大學(xué)的一些教學(xué)理念有沖突。謝希德為了讓學(xué)習更加嚴謹,她自己編寫(xiě)了一套教材。后來(lái),謝希德又在復旦開(kāi)設了光學(xué)、力學(xué)、理論力學(xué)、量子力學(xué)等課程,為復旦打下了堅實(shí)的物理教學(xué)基礎。

1956年,謝希德與黃昆一同主持開(kāi)辦半導體專(zhuān)門(mén)化培訓班,培養了300多名半導體人才。二人合作編寫(xiě)了《半導體物理學(xué)》教材,成為經(jīng)典。

固體物理、材料科學(xué)和量子化學(xué)之間正在形成新的邊緣科學(xué)即表面科學(xué),其基礎是表面物理。51歲那年,謝希德做了一個(gè)重大決定:將自己的學(xué)術(shù)方向從半導體物理轉向表面物理研究。她籌建的以表面物理為研究重點(diǎn)的現代物理所后來(lái)成為國家重點(diǎn)實(shí)驗室,培養了大批國家級的物理學(xué)家。由她和黃昆開(kāi)啟的中國半導體事業(yè)更是迎來(lái)新輝煌——1992年,第21屆國際半導體物理會(huì )議在中國召開(kāi),這個(gè)歷來(lái)由歐美國家唱主角的國際會(huì )議落地中國,極大地展現了正在走向世界的中國科學(xué)。

謝希德在遺囑中寫(xiě)道:“把我的遺體捐給中國醫療事業(yè)?!比ナ赖哪翘焱砩?,復旦學(xué)生自發(fā)折疊的數千只紙鶴掛滿(mǎn)枝頭,從復旦大學(xué)物理系學(xué)生宿舍9號樓一直綿延到第一教學(xué)樓。

圖片王守武:你好廠(chǎng)長(cháng)圖片

王守武,微電子學(xué)家,半導體器件物理學(xué)家。1919年,王守武生于江蘇蘇州。1941年畢業(yè)于同濟大學(xué)。1946年獲美國普渡大學(xué)碩士學(xué)位,1949年獲博士學(xué)位。歷任中國科學(xué)院半導體研究所研究員、半導體研究室主任、微電子中心名譽(yù)主任。中1980年當選為中國科學(xué)院院士。2014年7月30日在美國逝世,享年95歲。

兼具學(xué)術(shù)和產(chǎn)業(yè)視角的人才

王守武的兄弟姐妹共12人,除王守武和王守覺(jué)這兩位“兄弟“中科院院士外,他們中有我國婦產(chǎn)科學(xué)奠基人之一、與林巧稚齊名的留美醫學(xué)博士王淑貞;有1928年獲哥倫比亞大學(xué)哲學(xué)博士學(xué)位、中國第一位研究量子力學(xué)并卓有成就的學(xué)者王守競;有我國著(zhù)名的也是最早的女物理學(xué)家之一、清華大學(xué)第一位女教授王明貞……

1935年,王守武考入同濟大學(xué)預科。1937年,日本帝國主義全面發(fā)動(dòng)侵華戰爭,同濟大學(xué)不斷遷校。在顛沛流離的遷校過(guò)程中,王守武結束了大學(xué)學(xué)習。1945年,王守武赴美國普渡大學(xué)攻讀工程力學(xué)。1946年獲得碩士學(xué)位后,王守武轉向物理學(xué)?;貒跗?,王守武在中科院應用物理研究所工作。1956年,在周總理主持下,我國制定《1956~1967年國家十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠景規劃》,王守武是遠景規劃中半導體科學(xué)技術(shù)發(fā)展規劃制定小組副組長(cháng)。1956年11月,中國第一支鍺合金結晶體三極管在半導體研究室誕生,自1963年起,他先后領(lǐng)導并參與了中國第一臺半導體激光器的研制、實(shí)現半導體激光器的連續激射、半導體負阻激光器以及激光應用的研究工作。

1980年春,王守武兼任中科院109廠(chǎng)廠(chǎng)長(cháng),開(kāi)展提高成品率、降低成本的集成電路大生產(chǎn)試驗。1986年,王守武領(lǐng)導109廠(chǎng)完成的“集成電路大生產(chǎn)試驗”獲得國家計委科技攻關(guān)成績(jì)顯著(zhù)表彰,及中國科學(xué)院“六五”科技攻關(guān)重大成果獎。1986年1月,在王守武的倡議下,上級將半導體所從事大規模集成電路研究的全套人馬,合并到109廠(chǎng),組建了中國科學(xué)院微電子中心,王守武任微電子中心終身名譽(yù)主任。

多年來(lái),他對我國半導體科學(xué)技術(shù)發(fā)展方向、政策和策略的確定有過(guò)很多卓見(jiàn)。1987年,他因“世界新技術(shù)革命和我國的對策”獲國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎;上世紀80年代,他闡述了發(fā)展我國集成電路工業(yè)上如何處理好科研與生產(chǎn)的關(guān)系,做好把科研成果轉變?yōu)樯a(chǎn)產(chǎn)品的中間環(huán)節;上世紀90年代,他提出,在制訂我國微電子行業(yè)規劃時(shí),要狠抓微電子所用的基礎材料和專(zhuān)用設備兩個(gè)方面的基礎,重視科技隊伍的培養;2000年,他建議,發(fā)展半導體工業(yè)要開(kāi)拓市場(chǎng),可以考慮用通信電路作為我國發(fā)展半導體工業(yè)的突破口,集中力量,發(fā)展我國獨特的系列產(chǎn)品,力爭在國際上占有一席之地;2006年,王守武呼吁,科研成果轉化要打破科研院所與產(chǎn)業(yè)部門(mén)之間的“條條塊塊”。

拓荒數十載,王守武帶領(lǐng)中國半導體從實(shí)驗室走向產(chǎn)線(xiàn),創(chuàng )造了多個(gè)第一。

圖片林蘭英:無(wú)論如何,我要回國圖片

林蘭英,半導體材料學(xué)家。1948年赴美留學(xué),進(jìn)入賓夕法尼亞州迪金森學(xué)院數學(xué)系學(xué)習;1949年進(jìn)入賓夕法尼亞大學(xué)研究生院進(jìn)行固體物理的研究,先后獲得碩士、博士學(xué)位;1955年博士畢業(yè)后進(jìn)入紐約一家公司擔任高級工程師進(jìn)行半導體研究;1957年1月回到中國,并進(jìn)入中國科學(xué)院物理研究所工作;1960年中國科學(xué)院半導體研究所成立后,林蘭英擔任該所研究員;1980年當選為中國科學(xué)院院士。2003年,林蘭英在北京逝世,享年85歲。

半導體材料開(kāi)山者

1957年,一名中國女子在美國海關(guān)被侮辱性地進(jìn)行搜查,她的全部積蓄近7000美元也被無(wú)恥沒(méi)收。面對她的憤怒,海關(guān)的人挑釁道,你不離開(kāi)美國,這錢(qián)就還是你的。工作人員又粗暴地打開(kāi)女子手提箱,翻看每一個(gè)物品,最終找出了兩瓶****。未等海關(guān)人員開(kāi)口,女子就直接打開(kāi)其中一瓶,解釋道:這兩瓶****是治療肺病的。美國海關(guān)人員不知道的是,他放下的不是一瓶****,而是中國半導體的希望之光--那個(gè)****瓶里面裝的是價(jià)值數十萬(wàn)美元的鍺單晶和硅單晶。

林蘭英是賓夕法尼亞大學(xué)建校以來(lái)的第一位女性博士,其博士論文受到美國物理界的高度評價(jià)。畢業(yè)后美國將她列入了禁止回國名單。無(wú)可奈何之下,她暫時(shí)加入了一家科技公司參與研究半導體材料項目,在這里她吸收了大量實(shí)驗經(jīng)驗,同時(shí)也帶領(lǐng)團隊研制出了公司第一份硅單晶。

1956年,林蘭英以“母親病?!睘槔碛?,向美國當局申請回鄉探親,也就發(fā)生了上文一幕?;貒?,林蘭英很快就到中科院應用物理所參加工作,內容就是帶隊攻克半導體材料難題,而她用****瓶裝回來(lái)的成品材料,也無(wú)償捐獻給了中科院,成為我國半導體研究起步階段的無(wú)價(jià)之寶。僅用了半年時(shí)間,她的團隊就制作出來(lái)我國第一根鍺單晶?;貒诙?,中國自制了第一臺半導體收音機,這意味著(zhù)半導體行業(yè)已經(jīng)有了初步的完整體系!也在當年,林蘭英團隊制作我國第一根硅單晶成功。林蘭英負責研制的高純度汽相和液相外延材料達到國際先水平。開(kāi)創(chuàng )了中國微重力半導體材料科學(xué)研究新領(lǐng)域,并在砷化鎵晶體太空生長(cháng)和性質(zhì)研究方面取得了一定的成績(jì)。

林蘭英女士一生未婚,將全部時(shí)間和精力都奉獻給了國家和熱愛(ài)的事業(yè)。

湯定元:親手開(kāi)發(fā)出外國最恨的中國發(fā)明圖片

湯定元,半導體物理學(xué)家、紅外學(xué)科奠基人。1942年從國立中央大學(xué)物理系畢業(yè)后留校任教;1950年獲得芝加哥大學(xué)物理系碩士學(xué)位;1951年回國后到中國科學(xué)院應用物理所工作,歷任助理研究員、副研究員;1991年當選為中國科學(xué)院院士。2019年,湯定元在上海逝世,享年99歲。

發(fā)展紅外技術(shù)

1951年5月10日,湯定元力排眾議,登上了回國的輪船,在太平洋漂泊進(jìn)一個(gè)月,6月2日抵達廣州。2個(gè)月后,美國政府下令禁止中國留學(xué)生回國?;貒?,湯定元進(jìn)入中國科學(xué)院應用物理研究所工作。他結合在國外接觸的半導體物理方面的知識,選擇了半導體光學(xué)及光電性能作為自己的研究方向。

1958年,湯定元意識到我國應該多發(fā)展應用研究。于是,他寫(xiě)信給中國人民解放軍總參,強調紅外技術(shù)對于國防建設的重要性,建議紅外研究領(lǐng)域應注重器件研究,如紅外探測器,并表明他所在的研究機構愿意承擔紅外探測器的研究工作。后來(lái)由于三年困難時(shí)期,我國紅外技術(shù)的研究與應用陷入停滯,湯定元各處奔走,護住了紅外的火種。隨著(zhù)湯定元的努力,以及團隊背后的科研努力,中國物理從基礎研究發(fā)展到了空間應用等更廣闊的領(lǐng)域。他先后組織領(lǐng)導研制了多種具有國際先進(jìn)水平的紅外光電探測器,并成功應用于多種遙感探測先進(jìn)裝備,為我國“兩彈一星”等研究作出了重要貢獻。

20世紀70年代末,湯定元選擇以窄禁帶半導體碲鎘汞作為主攻方向,組織窄禁帶半導體物理基礎研究,對材料、器件的技術(shù)展開(kāi)攻關(guān)研究,帶領(lǐng)科研團隊對碲鎘汞晶體的材料、器件和物理性能進(jìn)行了系統研究,并成功地應用于我國空間遙感和軍事探測等先進(jìn)裝備中。湯定元一生培養博士26人,碩士10余人,現多為國內主要科研院所的主要技術(shù)骨干或帶頭人。

圖片中國半導體的輝煌年代

黃昆、謝希德、王守武、林蘭英、湯定元以及眾多中國半導體事業(yè)的開(kāi)拓者們,以熱情哺育事業(yè),以堅持履行信仰。他們時(shí)代類(lèi)似、背景相仿,將火點(diǎn)燃將火把交給后人,歲月變遷不減幽火淬煉。他們追求學(xué)術(shù)的自由、恪守科學(xué)的本真,科學(xué)無(wú)國界但使命在身不可忘,篳路藍縷終得虔誠進(jìn)益。

一個(gè)人最大的幸福莫過(guò)于在人生的中途、富有創(chuàng )造力的壯年,發(fā)現自己此生的使命。這就是他們的群星閃耀時(shí)。



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