美光預警：存儲芯片需求將下降

雖然季度收入創(chuàng )造歷史第二高的紀錄，但隨著(zhù)PC需求的下滑及長(cháng)短料影響，美光預警存儲芯片需求將在未來(lái)幾個(gè)月下滑。

凈利潤同比增長(cháng)126%，NAND Flash收入創(chuàng )紀錄

在截止到2021年8月31日的2021年第四財季中，美光創(chuàng )造了歷史季度營(yíng)收第二高的紀錄，達到83億美元，同比增長(cháng)37%，環(huán)比增長(cháng)11%；其中NAND Flash收入和嵌入式部門(mén)收入均創(chuàng )季度高點(diǎn)。營(yíng)業(yè)利潤為31億美元，環(huán)比增長(cháng)30%，同比增長(cháng)136%；凈利潤為28億美元，環(huán)比增長(cháng)28%，同比增長(cháng)126%。

來(lái)源：美光

從各部門(mén)收入情況來(lái)看，

數據中心：由于IT支出的恢復以及云計算需求的驅動(dòng)，本財季的數據中心業(yè)務(wù)環(huán)比和同比均增長(cháng)。美光也將在今年晚些時(shí)候開(kāi)始支持客戶(hù)轉入DDR5平臺。同時(shí)，美光在財報會(huì )議中也提到，在數據中心采購BOM中存儲芯片的占比由以前的30%，提高到現在的40%，未來(lái)將進(jìn)一步提高到50%。數據中心將引導未來(lái)存儲芯片的增長(cháng)。

PC：預計2021年P(guān)C出貨量可達到雙位數成長(cháng)，本季度PC DRAM和QLC SSD在PC上的應用快速成長(cháng)。

Mobile：本季度Mobile業(yè)務(wù)營(yíng)收同比成長(cháng)25%，尤其是MCP銷(xiāo)售額連續三個(gè)季度超過(guò)10億美元。美光預計今年全球5G手機將超過(guò)5億部，并消耗50%的高容量DRAM和較4G手機兩倍以上的NAND。美光表示，未來(lái)將第一個(gè)帶來(lái)LPDDR5X和uMCP5在智能手機上的應用。

DRAM和NAND Flash量?jì)r(jià)齊升，但美光預警下個(gè)季度出貨量將減少

本財季DRAM收入為61億美元，環(huán)比增長(cháng)12%，同比增長(cháng)39%。DRAM Bit出貨量環(huán)比低個(gè)位數成長(cháng)，ASP環(huán)比高個(gè)位數成長(cháng)。2021年DRAM bit需求成長(cháng)20%左右，2022年成長(cháng)15%以上。

本財季NAND Flash收入20億美元，環(huán)比增長(cháng)9%，同比增長(cháng)29%。NAND Flash Bit出貨量環(huán)比低個(gè)位數成長(cháng)，ASP環(huán)比增長(cháng)5%。2021年NAND bit需求成長(cháng)35%以上，2022年成長(cháng)接近30%。

來(lái)源：美光，CFM閃存市場(chǎng)

雖然本財季中DRAM和NAND Flash量?jì)r(jià)齊升，但從終端需求來(lái)看，由于PC OEM客戶(hù)遭遇其他零部件的短缺，并進(jìn)而影響到對存儲芯片的采購，美光預警存儲芯片的出貨量將在短期內從非常強勁水平溫和下降。當然，除PC客戶(hù)遇到零部件短缺外，對美光來(lái)說(shuō)目前服務(wù)器SSD主控也非常緊缺，同時(shí)還有模擬IC等，這些都會(huì )影響到產(chǎn)品的出貨。此外，美光本身的庫存還是處于非常低的水平，本財季庫存價(jià)值45億美元，庫存周轉天數為94天，低于正常95-105天的水平。

在下個(gè)季度里，美光預計收入74.5~78.5億美元，環(huán)比減少8%左右。不過(guò)，美光也預計客戶(hù)這種采購的調整將在未來(lái)幾個(gè)月內得到基本解決。

來(lái)源：美光

雖然下季度收入會(huì )有一定程度的下滑，但并不改變美光對未來(lái)成長(cháng)的樂(lè )觀(guān)預期。美光在2021財年資本支出為97億美元，預計在2022財年資本支出將增加到110至120億美元，按中位數計算資本支出將同比增長(cháng)18.5%。其中大部分支出將用于176L NAND和引入EUV在DRAM的試驗性生產(chǎn)中。

美光進(jìn)一步解釋到，因1a DRAM制程能帶來(lái)很高的產(chǎn)出，2022年DRAM生產(chǎn)設備支出將下降，2022年供應增長(cháng)主要由高產(chǎn)出節點(diǎn)例如1a DRAM和176L NAND在產(chǎn)品結構中的提升帶來(lái)，而非增加wafer產(chǎn)出。從生產(chǎn)來(lái)看，2022年將主要增加NAND Flash的生產(chǎn)支出， DRAM的生產(chǎn)支出是相對減少的。同時(shí)研發(fā)費用將較2021年增加15%。