三星：Q2存儲業(yè)務(wù)量?jì)r(jià)齊升，庫存已處于低位水平，下半年風(fēng)險與機遇并存

近日三星公布了截至2021年6月30日的二季度財報業(yè)績(jì)，報告顯示，由于服務(wù)器與高端家電市場(chǎng)的強勁需求，三星Q2綜合營(yíng)收達63.67萬(wàn)億韓元（約合555億美元），同比增長(cháng)20%，創(chuàng )下二季度營(yíng)收紀錄。

另外，由于存儲產(chǎn)品向先進(jìn)制程迭代，本季度三星利潤成長(cháng)顯著(zhù)，其中，營(yíng)業(yè)利潤12.57萬(wàn)億韓元（約合109.6億美元），環(huán)比增長(cháng)34%，同比增長(cháng)54.2%；凈利潤達9.63萬(wàn)億韓元（約合84億美元），環(huán)比增長(cháng)34.9%，同比增長(cháng)73.2%。

來(lái)源：三星

資本支出方面，三星Q2資本支出達13.6萬(wàn)億韓元（約合118.6億美元），其中12.5萬(wàn)億韓元（約合109億美元）用于半導體，0.6萬(wàn)億韓元（約合5.2億美元）用于顯示器。上半年資本支出總額為23.3萬(wàn)億韓元（約合203億美元），其中半導體為20.9萬(wàn)億韓元（約合182億美元），顯示器為1.4萬(wàn)億韓元（約合12億美元）。其對存儲業(yè)務(wù)的投資主要用于容量擴展和先進(jìn)工藝研發(fā)領(lǐng)域。

按照部分劃分：

消費電子部門(mén)：營(yíng)業(yè)收入13.4萬(wàn)億韓元（約合117億美元），同比增長(cháng)32%；營(yíng)業(yè)利潤1.06萬(wàn)億韓元（約合9億美元）；

信息技術(shù)和移動(dòng)通信部門(mén)：營(yíng)業(yè)收入22.67萬(wàn)億韓元（約合198億美元），其中手機營(yíng)收21.43萬(wàn)億韓元（約合187億美元），環(huán)比下滑24%，同比增長(cháng)8%；

設備解決方案部門(mén)：營(yíng)業(yè)收入29.46萬(wàn)億韓元（約合257億美元），其中存儲業(yè)務(wù)營(yíng)收17.88萬(wàn)億韓元（約合156億美元），環(huán)比增長(cháng)24%，同比增長(cháng)22%；

Harman部門(mén)：營(yíng)業(yè)收入2.42萬(wàn)億韓元（約合21億美元），同比增長(cháng)57%，環(huán)比增長(cháng)2%。

產(chǎn)品成本優(yōu)化+量?jì)r(jià)齊升，半導體貢獻超55%營(yíng)業(yè)利潤

由于服務(wù)器、PC市場(chǎng)需求表現強勁，加上DRAM和NAND芯片平均售價(jià)上漲強于預期，以及三星積極推動(dòng)先進(jìn)制造工藝導致成本降低，使得三星半導體利潤成長(cháng)。財報顯示，Q2半導體部門(mén)營(yíng)業(yè)利潤達6.93萬(wàn)億韓元（約合60億美元），占三星合計營(yíng)業(yè)利潤55%。

盡管由于零部件短缺以及全球主要智能手機生產(chǎn)基地因疫情反復導致產(chǎn)能受阻，導致智能手機出貨量下滑，然而，單個(gè)設備存儲容量有所提升，加上主要客戶(hù)需求不斷增長(cháng)；另外，由于數據中心企業(yè)對服務(wù)器投資增長(cháng)以及PC強勁需求，SSD出貨量有所增長(cháng)，整體上NAND Flash bit出貨量也超過(guò)此前預期，而128層V6產(chǎn)品出貨比例增加。

綜合來(lái)講，三星預計今年全年NAND Flash bit增長(cháng)在40%左右，DRAM bit增長(cháng)在20%左右，三星供應增長(cháng)將于市場(chǎng)增長(cháng)保持一致。

另外，三星指出，由于二季度NAND Flash和DRAM出貨量均強于預期，因此，當前庫存水位都處于相當低的水平。

三星將于下半年量產(chǎn)基于EUV工藝的14nm DRAM和基于176層NAND Flash消費類(lèi)SSD

對于下半年市場(chǎng)****，三星則認為風(fēng)險與機遇并存。一方面，三星預計零部件供應短缺問(wèn)題，以及疫情反復和地緣政治風(fēng)險依舊持續存在。另一方面，三星預計下半年需求面依舊強勁。

首先，隨著(zhù)5G普及率提升、新款智能手機發(fā)布，以及高存儲密度機型增加，移動(dòng)存儲市場(chǎng)需求有望回升；另外，隨著(zhù)疫苗接種率提升和經(jīng)濟刺激政策，數據中心企業(yè)對服務(wù)器投資情緒有望復蘇；另外，隨著(zhù)混合工作模式普及，企業(yè)級客戶(hù)對PC的需求表現強勁，加上新款CPU上市，替代需求也會(huì )較為穩定。

另外，三星將進(jìn)一步鞏固其在尖端芯片技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，DRAM方面，三星推動(dòng)向15nm DRAM產(chǎn)能轉換，并將于下半年開(kāi)始實(shí)現基于EUV的工藝的14nm DRAM量產(chǎn)，并擴大EUV技術(shù)在DRAM制造中的應用；

NAND Flash方面，三星將在下半年擴大128層3D NAND芯片生產(chǎn)比例，并開(kāi)始量產(chǎn)基于雙堆棧176層第7代V-NAND的消費級固態(tài)硬盤(pán)，此外，三星表示，其第8代V NAND產(chǎn)品可能會(huì )超過(guò)200+層堆疊。