DRAM季度銷(xiāo)售創(chuàng )近三年新高，2021年二季度DRAM市占排名出爐

雖然二季度移動(dòng)需求不佳，但服務(wù)器與PC市場(chǎng)表現強勁，在供應吃緊的情況下帶動(dòng)DRAM芯片平均售價(jià)漲幅超過(guò)預期，其中三星、SK海力士、美光的Q2 DRAM ASP環(huán)比上漲幅度均接近20%。整體來(lái)看，2021年二季度DRAM總體銷(xiāo)售規模達243.2億美元，環(huán)比增長(cháng)24.3%，僅次于2018Q2的257億美元和2018Q3的280億美元的季度歷史高點(diǎn)，創(chuàng )近三年新高。

具體來(lái)看，三星在二季度DRAM銷(xiāo)售收入達105億美元，占比43%；SK海力士二季度DRAM銷(xiāo)售收入達67億美元，占比28%；美光二季度DRAM收入達56億美元，占比23%；南亞科技的二季度DRAM銷(xiāo)售收入達8億美元，環(huán)比增長(cháng)30%，占比3%；華邦電子二季度DRAM銷(xiāo)售收入達2億美元，環(huán)比增長(cháng)37%，占比1%。

各原廠(chǎng)對未來(lái)的展望和規劃

三星預計2021年全年DRAM bit增長(cháng)在20%左右。三星依然看好下半年需求，三星將推動(dòng)向15nm DRAM產(chǎn)能轉換，并將于下半年開(kāi)始實(shí)現基于EUV工藝的14nm DRAM量產(chǎn)，并擴大EUV技術(shù)在DRAM制造中的應用。

SK海力士表示，1z nm DRAM產(chǎn)品已經(jīng)在二季度全面量產(chǎn)，下半年其將推動(dòng)基于1Znm技術(shù)的16Gb DRAM產(chǎn)能擴張；基于EUV工藝的1αnm DRAM產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并將于下半年開(kāi)始給客戶(hù)供貨。另外下半年也將帶來(lái)DDR5產(chǎn)品。

美光表示1α nm DDR4產(chǎn)品已經(jīng)在PC平臺獲多項資格認證，下半年將帶來(lái)DDR5產(chǎn)品。目前終端需求并未得到完全的滿(mǎn)足，預計到2022年存儲芯片的供應都將持續保持“緊張”。

南亞科技表示，自去年底DDR3漲幅已超過(guò)1倍，帶動(dòng)二季度DRAM平均售價(jià)環(huán)比增長(cháng)30%。南亞科技對整體市場(chǎng)需求持謹慎樂(lè )觀(guān)態(tài)度，預計整體第三季的內存價(jià)格仍可望持續較第二季上揚。

華邦電子表示，目前產(chǎn)能持續滿(mǎn)載，加上漲價(jià)效益逐漸反映，第三季毛利率預計再成長(cháng)。

在供需各方因素綜合作用下三季度存儲行情延續漲勢，根據CFM閃存市場(chǎng)信息得知，存儲原廠(chǎng)已經(jīng)對PC OEM、服務(wù)器、智能手機三大應用客戶(hù)的三季度合約價(jià)全面漲價(jià)。盡管目前看存儲市場(chǎng)各領(lǐng)域需求有撐，然而冷靜分析下，在PC及智能手機客戶(hù)砍單動(dòng)作背后，如今的存儲市場(chǎng)供需關(guān)系已經(jīng)由全面供不應求轉變?yōu)榻Y構性供需失衡。尤其終端客戶(hù)庫存風(fēng)險高以及長(cháng)短料嚴重的現狀不容忽視，有可能導致Q3成為今年存儲行情“分水嶺”，加上上游資源釋出增加，Q4則有可能增長(cháng)乏力甚至存在降價(jià)風(fēng)險。