科普 | 晶體管的分類(lèi)

晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結構分類(lèi)根據工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。
雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構成晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。
FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng)，是指場(chǎng)效應晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合型FET多用于音頻設備等的模擬電路中，MOS型FET主要用于微控制器等數字IC。
GaAs型用于衛星廣播信號接收等的微波增幅。
※MOSMetal Oxide SemicONductor的簡(jiǎn)稱(chēng)，因其構造分別是金屬 (Metal)、硅酸化膜 (Oxide)、半導體 (SemicONductor)，故稱(chēng)MOS。MOS還分為P型、N型、C型，因為消費電流小，用于微控制器等集成度高的IC。
2. 按功率分類(lèi)

主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。ROHM的小信號晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。
小信號晶體管最大集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集電極功率 (PC(max)) 不超過(guò)1W的晶體管。相對功率晶體管而得名，一般以樹(shù)脂封裝居多，這是其特點(diǎn)之一。
功率晶體管一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。相比小信號晶體管擁有更大的最大集電極電流、最大集電極功率，對于散熱而言，它本身形狀就很大 ，有的功率晶體管上還覆蓋著(zhù)金屬散熱片。
晶體管"一詞由Transfer（傳送信號）和Resistor（電阻器）組成。構成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱(chēng)"石"，設計者常用"…之石"的叫法
3. 按集成度分類(lèi)

為滿(mǎn)足客戶(hù)需求，ROHM在分立式晶體管以外，還制造集成多個(gè)晶體管的復合晶體管。包括內置電阻的數字晶體管、集多個(gè)晶體管于一體的晶體管陣列，還有構成簡(jiǎn)單電路的晶體管單元。

※數字晶體管
內置電阻的晶體管。它是在電路設計中將頻繁使用的部分標準化的產(chǎn)物。
4. 按形狀分類(lèi)

根據功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
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