IEGT
IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達4KV以上的IGBT系列電力電子器件,通過(guò)采取增強注入的結構實(shí)現了低通態(tài)電壓,使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。 IEGT...... [查看詳細]