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超高壓 SiC 與超共源共柵
- 新應用不斷涌現，這就需要有高壓開(kāi)關(guān)技術(shù)，而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比，該技術(shù)的系統平衡成本和運行損耗要顯著(zhù)降低。該技術(shù)的應用范圍非常廣，從固態(tài)變壓器、中壓電機驅動(dòng)器到智能電網(wǎng)應用（FACTS、STATCOM）和高壓直流斷路器均包含在內。SiC MOSFET 被認為是在不久的將來(lái)顛覆這一領(lǐng)域的絕佳選擇，UnitedSiC 提供了獨特的方法來(lái)加速采用基于寬帶隙的高壓開(kāi)關(guān)。這種方法被稱(chēng)為超共源共柵 (Supercascode)。我們將這種方法及其已證明的性能與硅技術(shù)和 SiC MOSFET&nbs
- 關(guān)鍵字： 硅 IGCT
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igct介紹
集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問(wèn)世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT是一種基于GTO結構、利用集成柵極結構進(jìn)行柵極硬驅動(dòng)、采用緩沖層結構及陽(yáng)極透明發(fā)射極技術(shù)的新型大功率半導體開(kāi)關(guān)器件，具有晶閘管的通態(tài)特性及晶體管的開(kāi)關(guān)特性。由于采用了緩沖結構以及淺層發(fā)射極技術(shù)，因而使動(dòng)態(tài)損耗降低了約50 [ 查看詳細 ]
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