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回補庫存下滑 NAND Flash合約價(jià)格持續走低

  • 　　根據集邦科技(TrendForce)旗下研究機構DRAMeXchange調查，因為隨身碟與記憶卡市場(chǎng)銷(xiāo)售依舊此未見(jiàn)起色，而高容量產(chǎn)品也因為智能型手機與平板計算機銷(xiāo)售不如預期而下滑，終端產(chǎn)品銷(xiāo)售不佳導致供貨商回補庫存力道疲弱，連帶影響合約價(jià)格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價(jià)將再下跌約4-8%。 　　展望NAND Flash后市，集邦科技認為，雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應使得SSD產(chǎn)品詢(xún)問(wèn)度頓時(shí)增加，但SSD仍存在著(zhù)與HHD價(jià)差大及SSD機種認證程序尚需2-3個(gè)月等問(wèn)題，因此，預
  • 關(guān)鍵字： NAND  SSD  

9月上旬NAND Flash合約價(jià)出現穩定格局

  • 　　根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調查，隨著(zhù)部份系統產(chǎn)品客戶(hù)自9月起，已開(kāi)始準備4Q11新機型上市所需的庫存回補所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價(jià)大致維持平盤(pán)，雖然記憶卡及UFD通路市場(chǎng)的需求仍然相對平淡，但也已呈現止跌回穩的狀況。
  • 關(guān)鍵字： 集邦科  NAND  記憶卡  

ultrabook帶來(lái)新契機 NAND Flash需求9月或回溫

  • 　　根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門(mén) DRAMeXchange 的調查，市場(chǎng)預期 NAND Flash 部份系統產(chǎn)品客戶(hù)為因應新產(chǎn)品上市庫存回補需求，9月份可望逐漸開(kāi)始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現持平，但記憶卡及U盤(pán)(UFD)通路市場(chǎng)的需求仍然相對疲軟，所以128Gb TLC合約均價(jià)格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉為生產(chǎn)64Gb MLC，故32Gb MLC在市場(chǎng)供給減少下合約均價(jià)小漲約3%。
  • 關(guān)鍵字： ultrabook  NAND  

第二季度NAND閃存銷(xiāo)售額下降4.3%

  • 　　據IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報告，由于一家大型廠(chǎng)商的銷(xiāo)售額下降，第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。 　　根據最終數據，第二季度全球NAND銷(xiāo)售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷(xiāo)售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。
  • 關(guān)鍵字： IHS iSuppli  NAND  

第二季度NAND閃存銷(xiāo)售額下降4.3%

  • 　　據IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報告，由于一家大型廠(chǎng)商的銷(xiāo)售額下降，第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。 　　根據最終數據，第二季度全球NAND銷(xiāo)售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷(xiāo)售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。東芝銷(xiāo)售額大幅下降，拖累了整體市場(chǎng)，如表1所示。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

出貨不如預期 閃存芯片價(jià)格小幅下跌

  • 　　受到諸多全球總體經(jīng)濟復蘇的不確定變數干擾，2011部份的NAND Flash終端應用產(chǎn)品出貨量將不如預期，及3Q11受過(guò)剩庫存去化影響而使傳統備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場(chǎng)買(mǎi)氣依然疲弱，但某些系統客戶(hù)的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場(chǎng)需求仍相對地穩定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。 　
  • 關(guān)鍵字： 閃存芯片  NAND  

下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長(cháng)或趨緩

  • 　　在日前的一場(chǎng)閃存高峰會(huì )中，SanDisk公司的技術(shù)長(cháng)Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導致NAND閃存的成長(cháng)趨緩。市場(chǎng)原先對閃存的展望都相當樂(lè )觀(guān)，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長(cháng)可能需要再評估。 　
  • 關(guān)鍵字： SanDisk  NAND  

東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績(jì)可能達不到預期

  • 　　全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說(shuō)，由于PC市場(chǎng)不景氣，美國和歐洲等經(jīng)濟體持續動(dòng)蕩以及日元強勢等原因，該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤可能達不到預期。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  芯片  NAND  

NAND Flash合約價(jià)續跌

  • 　　據韓國電子新聞報導，計算機用DRAM芯片價(jià)格快速下跌，NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現陡峭跌幅，2個(gè)月內出現2011年來(lái)最低價(jià)2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續問(wèn)世，可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升。
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM芯片  

存儲器產(chǎn)業(yè)群雄割據時(shí)代將再度來(lái)臨

  • 　　隨著(zhù)存儲器容量越來(lái)越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開(kāi)始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開(kāi)發(fā)。
  • 關(guān)鍵字： 三星  存儲器  NAND  

納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開(kāi)發(fā)

  • 　　隨著(zhù)存儲器容量越來(lái)越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開(kāi)始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開(kāi)發(fā)。 　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  NAND  

今年游戲主機NAND flash內存密度提高40%

  • 　　內存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機和手持設備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。 　　今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長(cháng) 41.4%，達 123MB。 　　
  • 關(guān)鍵字： Sony  NAND  

LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護技術(shù)

  • 　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數據轉移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數據提供強大的保護。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節約相關(guān)的硬件維護成本，從而實(shí)現更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
  • 關(guān)鍵字： LSI  NAND  

2011年NAND閃存密度將增長(cháng)40%以上

  • 　　據IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件，但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長(cháng)40%以上。 　　
  • 關(guān)鍵字： 索尼  NAND  

三星電子韓國新NAND廠(chǎng)預計9月投產(chǎn)

  • 　　三星電子一家新的存儲半導體制造廠(chǎng)將于9月投入運營(yíng)。消息人士說(shuō)，新廠(chǎng)編號為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。 　　2010年5月時(shí)，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工，建立新的工廠(chǎng)。此前三星曾透露說(shuō)，Line-16工廠(chǎng)月產(chǎn)20萬(wàn)片12寸圓晶。
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  
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