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Vishay推出的新款交流和脈沖薄膜電容器適用于電動(dòng)汽車(chē)
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE)宣布,推出新系列汽車(chē)級交流和脈沖金屬化聚丙烯薄膜電容器---MKP385e,適用于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)。Vishay BCcomponents MKP385e系列器件最高工作溫度達+125 ?C(電壓降額觀(guān)測值),符合IEC 60384-17和AEC-Q200標準(D版),額定電壓下60 ?C、93 % RH溫濕度及偏壓(THB)測試長(cháng)達56天。
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Vishay推出三款1212尺寸新型汽車(chē)級IHLP?電感

- 賓夕法尼亞、MALVERN?—?2019年10月16日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出三款該公司車(chē)用產(chǎn)品迄今體積最小的新型汽車(chē)級IHLP?超薄、大電流電感---IHLP-1212AZ-5A、IHLP-1212BZ-A1和IHLP-1212BZ-5A。Vishay Dale IHLP-1212AZ-5A、IHLP-1212BZ-A1和IHLP-1212BZ-5A電感器采用3.3 mm x 3.3 mm 1212外形尺
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Vishay推出新款FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復整流器降低導通和開(kāi)關(guān)損耗

- 賓夕法尼亞、MALVERN—2019年4月17日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出六款新型FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復整流器。Vishay 30 A和60 A整流器導通和開(kāi)關(guān)損耗在同類(lèi)器件中達到最佳水平,提高高頻逆變器和軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。?日前發(fā)布的器件可與MOSFET或高速I(mǎi)GBT配合使用,專(zhuān)門(mén)用于提高PFC、EV/HEV 電池充電站輸出整流級、太陽(yáng)能逆變器增壓級
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Vishay推出的新型光耦在實(shí)現高斷態(tài)電壓的同時(shí),還可滿(mǎn)足高穩定性和噪聲隔離要求

- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2019年4月15日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款全新系列采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝的光可控硅輸出光耦,進(jìn)一步擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOT8025A和VOT8125A斷態(tài)電壓高達800?V,dV/dt為1000?V/μs,具有高穩定性和噪聲隔離能力,適用于家用電器和工業(yè)設備。日前發(fā)布的光耦隔離120 VAC、240 VAC
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Vishay推出的新款高精度電池分流器改進(jìn)RTC性能
- 器件帶兩個(gè)插針檢流引腳,阻值低至100 μΩ,額定功率達36 W
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Vishay推出汽車(chē)級IHLP?電感器可在發(fā)動(dòng)機艙155度高溫條件下連續工作

- 賓夕法尼亞、MALVERN —2019年3月29日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A,擴展其汽車(chē)級IHLP?薄形大電流電感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作溫度+155 °C,高度2mm,節省汽車(chē)發(fā)動(dòng)機艙環(huán)境下的使用空間。?日前推出的器件符合AEC-Q200標準,適合用于DC/DC轉換器儲能,頻率可達2 MHz。同時(shí),電感器在自諧振頻率 (SR
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Vishay推出業(yè)內首款通過(guò)AEC-Q200認證,適用于Class X1 / Y1應用的陶瓷盤(pán)式電容器

- 2019年3月25日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列汽車(chē)級交流線(xiàn)路陶瓷盤(pán)式安規電容器---AY1系列,新款電容器是業(yè)內此類(lèi)器件中首款通過(guò)AEC-Q200認證的產(chǎn)品,適用于Class X1 (760 VAC) / Y1 (500 VAC)應用,符合IEC 60384-14.4標準?! ishay BCcomponents AY1系列器件適用于電動(dòng) (EV)、混合動(dòng)力 (HEV) 和插電式混合動(dòng)力汽車(chē) (PHEV)
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Vishay攜最新MOSFET、IC、無(wú)源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019
- 2019年3月12日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim,California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(huì )(APEC)上展示其強大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設在411展臺,將展示適用于廣泛應用領(lǐng)域的最新業(yè)內領(lǐng)先功率IC、無(wú)源器件、二極管和MOSFET技術(shù)?! ≡贏(yíng)PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
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Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認證的30 V和40 V P溝道MOSFET,有效提高板級可靠性

- 2019年3月7日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款30 V和40 V汽車(chē)級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鷗翼引線(xiàn)結構PowerPAK? SO-8L封裝,有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過(guò)AEC-Q101認證,占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上,節省PCB空間并降低成本,同時(shí)導通電阻低于任何鷗翼引線(xiàn)結構5 mm x 6 mm封裝M
- 關(guān)鍵字: Vishay SQJ407EP
Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET? 第四代 N溝道功率MOSFET

- 2019年2月21日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專(zhuān)門(mén)用于提高功率轉換拓撲結構的效率,導通電阻比前代器件降低36%,同時(shí)柵極電荷和輸出電荷達到同類(lèi)產(chǎn)品最低水平?! ∪涨鞍l(fā)布的器件10 V條件下最大導通電阻降至1
- 關(guān)鍵字: Vishay SiR626DP
vishay介紹
威世(VISHAY)集團成立于1962年,總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過(guò)科技創(chuàng )新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國家,其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠(chǎng)分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]
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