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Vishay新款精密薄膜片式電阻功率等級達2W

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，將2512外形尺寸的PTN系列精密表面貼裝薄膜片式電阻的功率等級提到2W。Vishay?Dale薄膜器件采用自鈍化的耐潮鉭氮化物電阻膜技術(shù)，具有高功率等級和低至±25ppm/℃的絕對TCR，在-55℃～+125℃寬溫條件下，經(jīng)過(guò)激光微調的公差低至±0.1%?！　TN電阻的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮水平超過(guò)MIL-PRF-55342的極限，使這款器件非常適合軍工、航天、電信和工業(yè)應用的低噪聲、高精度控制系
  • 關(guān)鍵字： Vishay  TCR  PTN  

Vishay MOSFET再度刷新業(yè)內最低導通電阻記錄

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅動(dòng)下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導通電阻，占位面積為2mm?x?2mm?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  SiA936EDJ  

Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅動(dòng)器

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅動(dòng)器VOW3120-X017T，擴充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長(cháng)隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉的應用及污染程度較重的環(huán)境?！　〕司哂袃?yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經(jīng)考驗的光電子
  • 關(guān)鍵字： Vishay  IGBT  MOSFET  VOW3120  

Vishay發(fā)布高穩定性薄膜片式電阻實(shí)驗室樣品套件

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出高穩定性薄膜片式電阻的實(shí)驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4)，它們可幫助工程師開(kāi)發(fā)原型，加快電子系統的上市時(shí)間?！　〗裉彀l(fā)布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個(gè)最
  • 關(guān)鍵字： Vishay  TNPW0402  E-96  薄膜技術(shù)  

Vishay發(fā)布新款高穩定性薄膜片式電阻實(shí)驗室樣品套件

  • 　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出高穩定性薄膜片式電阻的實(shí)驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4)，它們可幫助工程師開(kāi)發(fā)原型，加快電子系統的上市時(shí)間?！　〗裉彀l(fā)布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個(gè)最常
  • 關(guān)鍵字： Vishay  TNPW0402  傳感器  RoHS  E-96  

Vishay推出開(kāi)關(guān)頻率高達1.5MHz 的同步降壓穩壓器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款可編程開(kāi)關(guān)---Vishay Siliconix SiP12109，其頻率高達1.5MHz，輸入電壓4.5～15V的4A器件，擴充了Vishay的microBUCK?系列集成式同步降壓穩壓器。Vishay Siliconix SiP12109在節省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝內集成了高邊和低邊功率MOSFET，為設計者提供了
  • 關(guān)鍵字： Vishay  SiP12109  microBUCK  CM-COT  DC/DC  

Vishay發(fā)布新款配對高速紅外發(fā)射器/光電二極管

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出兩款通過(guò)AEC-Q101認證的配對高速940nm紅外發(fā)射器和硅PIN光電二極管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01，采用小尺寸3mm?x?2mm側視表面貼裝封裝。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度為1mm，VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度為0.6mm，是業(yè)內高度最低的側視產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： Vishay  紅外  PIN  VSMB  AEC-Q101  

Vishay推出新款雙向電池開(kāi)關(guān)

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的具有轉換速率控制功能的6.5mΩ雙向電池開(kāi)關(guān)--- SiP32101，可在便攜式電子設備、醫療設備和儀器儀表中用來(lái)隔離低壓電池。在這些空間受限的應用中，Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能節省91%的PCB空間，在小尺寸12凸點(diǎn)WCSP封裝內實(shí)現了低導通電阻和超低靜態(tài)電流。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  SiP32101  雙向  

Vishay推出業(yè)內首款75V模塑鉭電容器

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴充其TANTAMOUNT?低ESR TR3和標準工業(yè)級293D系列固鉭表面貼裝片式電容器，使B、C、D、E、V和W外形尺寸器件的電壓提高到75V。來(lái)自于Vishay Sprague的該款器件是業(yè)內首個(gè)75V模塑鉭電容器，是為滿(mǎn)足在+28V和+35V應用中降額50%額定電壓而設計的。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  模塑鉭電容器  表面貼裝片式  

Vishay推出采用IHLP?制造的新款組合耦合電感器

  • 2014 年 2 月20 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用該公司IHLP? 技術(shù)制造，可用于SEPIC DC/DC轉換器和其他應用的新系列組合耦合電感器。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  電感器  LED  IHCL  

Vishay推出新款850 nm紅外發(fā)射器

  • 2014 年 2 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm頂視SMD封裝的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSMY98545，擴大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY98545基于SurfLight?表面發(fā)射器芯片技術(shù)，集成鏡片，具有高驅動(dòng)電流、高發(fā)光強度和高光功率，同時(shí)具有低熱阻。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  發(fā)射器  VSMY98545  

Vishay推出具有更強穩定性的SMD NTC熱敏電阻

  • 2014 年 2 月18 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有更強穩定性的新系列SMD NTC熱敏電阻---NTCS....E3...SMT，可用于溫度檢測和補償電路。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  熱敏電阻  NTC  

Vishay推出用于汽車(chē)和其他領(lǐng)域的新款45V和50V TMBS整流器

  • 2014 年 2 月17 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出7個(gè)新的45V和50V器件，擴充其TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。這些高電流密度的整流器適合汽車(chē)和商業(yè)應用，具有3A～8A的電流等級和低正向壓降，采用薄外形表面貼裝DO-221BC(SMPA)封裝。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  整流器  

Vishay發(fā)布用于高功率表面貼裝射頻應用的AIN基板RCP新款厚膜片式電阻

  • 2014 年 2 月13 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布用于高功率表面貼裝射頻應用的新系列厚膜片式電阻---RCP系列。Vishay Dale RCP系列器件具有1206小外形尺寸，在+70℃和標準印制板貼裝情況下的功率等級為1W，采用主動(dòng)式溫度控制后，功率等級可達11W。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  RCP  電阻  

Vishay推出具有業(yè)內最低RDS(on)的P溝道MOSFET

  • 2014 年 1 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有業(yè)內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  Si7157DP  
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vishay介紹

威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過(guò)科技創(chuàng )新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國家，其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠(chǎng)分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]

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