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英特爾任命卡扎尼奇為新CEO 接替歐德寧
- 英特爾公司今天宣布，該公司董事會(huì )已經(jīng)一致選舉布萊恩·卡扎尼奇(Brian Krzanich)為下一任首席執行官，以此替代歐德寧(Paul Otellini)。據稱(chēng)，卡扎尼奇將于5月16日的英特爾公司年度股東大會(huì )召開(kāi)之際開(kāi)始履職。 ? 卡扎尼奇自2012年1月以來(lái)一直擔任英特爾首席運營(yíng)官，此次也將成為英特爾公司史上的第六任首席執行官。與此同時(shí)，歐德寧也將在5月16日卸任英特爾首席執行官。 卡扎尼奇現年52歲，自在1982年加盟英特爾以來(lái)，就一直擔任該公司
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
64GB NAND閃存芯片需求保持強勁
- 根據行業(yè)觀(guān)察家表示，受智能手機和平板電腦強勁需求推動(dòng)，64GB NAND閃存市場(chǎng)一直在增長(cháng)，高密度芯片價(jià)格高居不下，反映當前供不應求市場(chǎng)狀況。 智能手機和平板電腦市場(chǎng)對NAND芯片需求旺盛，也對現貨市場(chǎng)上的芯片供應帶來(lái)了負面的影響，即NAND閃存芯片廠(chǎng)商優(yōu)先供應系統制造商表示，許多下游模塊廠(chǎng)和渠道分銷(xiāo)商已經(jīng)無(wú)力獲得穩定的供貨。 供應緊張狀況，鼓勵芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤的訂單，比如為智能手機提供容量高達64GB的NAND閃存芯片，并且獲利高于功能手機和其他消費電子產(chǎn)品。 有消息表示，目
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
IHS：2012年Q4全球NAND營(yíng)收大幅成長(cháng)17%
- 根據市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli 的調查報告，全球 NAND 快閃記憶體市場(chǎng)在2012年第四季展現創(chuàng )新記錄的營(yíng)收成長(cháng)──大幅上揚17%，達到了56.34億美元的營(yíng)收，結束先前連續五年第四季營(yíng)收平均下滑6%的記錄。 2012年全年 NAND 快閃記憶體銷(xiāo)售額達到了202.11億美元。其中，三星與東芝仍是 NAND快記憶體的最大供應商，兩家公司總共就占掉 NAND 市場(chǎng)三分之二的市占率。此外，美光、海力士與英特爾也是其他幾家主要的 NAND 快閃記憶體供應商。 三星在2012年第四季的
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
NAND閃存去年第四季度意外增長(cháng)
- 據IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)簡(jiǎn)報，2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入創(chuàng )出最高紀錄，結束了之前連續五個(gè)第四季度的下滑局面。 2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入為56億美元，比第三季度的48億美元勁增17%。從兩個(gè)方面來(lái)看，這種環(huán)比增長(cháng)具有重要意義：一是結束了最近第四季度營(yíng)業(yè)收入均呈現下滑的趨勢，二是創(chuàng )出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營(yíng)業(yè)收入記錄。 三星電子占總體營(yíng)業(yè)收入的三分之一以上，名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數幾家廠(chǎng)商嚴密控制。2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入為202億美元，
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
2013半導體產(chǎn)業(yè)將實(shí)現溫和增長(cháng)
- 2012年半導體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入為3030.0億美元，相比2011年的3102.1億美元有所降低。預計2013年全球半導體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入增長(cháng)6.4%，達到3223.0億美元。在經(jīng)歷了極其艱難的2012年之后，預計今年半導體產(chǎn)業(yè)將溫和增長(cháng)，智能終端、電視與計算等關(guān)鍵消費電子產(chǎn)品成為推動(dòng)芯片營(yíng)業(yè)收入與需求增長(cháng)的主要動(dòng)力。 智能終端 2012年半導體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入的下降，緣于消費者在電子產(chǎn)品上面的支出不振，尤其是電腦采購將近占到半導體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入與硅片需求的60%，但是2012年電腦產(chǎn)品的采購量低迷。令
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
半導體領(lǐng)域"前淡后旺"
- 全球半導體領(lǐng)域在的宏觀(guān)經(jīng)濟條件不佳下渡過(guò)了艱辛的2012年，近期在美國經(jīng)濟成長(cháng)逐漸獲得改善之際，領(lǐng)域在末季看似有了復蘇跡象。 雖然12月份全球半導體銷(xiāo)售量成功創(chuàng )下久違的連續兩個(gè)月增長(cháng)，但依然不足以抵銷(xiāo)市場(chǎng)分析員對國內半導體領(lǐng)域的消極看法。 考慮到在全球經(jīng)濟不明朗，對電子產(chǎn)品需求量帶來(lái)打擊下，市場(chǎng)分析員依然謹慎看待我國今年的半導體領(lǐng)域，特別是受大選情緒影響的上半年，而最低薪金制度也相信將進(jìn)一步箝制國內業(yè)者的業(yè)績(jì)表現。無(wú)論如何，在預計下半年經(jīng)濟大環(huán)境獲得改善的情況下，國內半導體業(yè)者或將隨著(zhù)趨勢上演反
- 關(guān)鍵字： 半導體設備 NAND
鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存
- 閃存密度越來(lái)越高帶來(lái)的是更大容量的設備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術(shù)，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。 TLC閃存每單元存儲3bit數據，它更高的密度的代價(jià)是相對較低的寫(xiě)入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態(tài)硬盤(pán)使用這種技術(shù)。 不過(guò)鎂光也并沒(méi)有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會(huì )用于可移動(dòng)存儲市場(chǎng)，例如SD和USB閃存驅動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 鎂光 NAND
分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 根據信息與數據分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數據報告，雖然蘋(píng)果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷(xiāo)售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場(chǎng)收益下降了7個(gè)百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過(guò)，經(jīng)過(guò)去年的低迷期，今年收益將有所增長(cháng)，達到224億美元，并在接下來(lái)的幾年內持續增長(cháng)。 具體可參見(jiàn)下表。 ? “閃 存具備高密度內存，大容量傳輸的性能。在2012年，蘋(píng)果iPhone是NAND的
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND
半導體需求回溫 東芝元旦假期將加班趕工
- 日本媒體報導，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠(chǎng)商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導體需求回溫，故旗下日本半導體工廠(chǎng)將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導體工廠(chǎng)今年將不停工持續進(jìn)行生產(chǎn);大分工廠(chǎng)今年元旦假期期間的停工天數則將自去年的6天減半至3天。 東芝姬路半導體工廠(chǎng)主要生產(chǎn)馬達/PC用電源控制晶片、大分工廠(chǎng)主要生產(chǎn)影像感測器及系統整合晶片(SystemLSI)。 東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
- 關(guān)鍵字： Toshiba FlashMemory NAND
12月上旬主流NAND Flash合約價(jià)小跌1-2%
- ? 市調機構集邦科技旗下研究部門(mén)DRAMeXchange調查，雖然系統產(chǎn)品年底銷(xiāo)售旺季備貨高峰期已過(guò)，然在NAND Flash原廠(chǎng)持續對于零售市場(chǎng)減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價(jià)較11月下旬僅小跌1-2%，預估緩跌走勢將持續至明年1月份。 集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線(xiàn)短暫跳電，但相關(guān)NAND Flash的營(yíng)運沒(méi)有受到影響，現貨價(jià)格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場(chǎng)面觀(guān)察，智慧型手機與平板電腦廠(chǎng)商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
- 關(guān)鍵字： SK NAND Flash 手機
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