EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
ufs
ufs 文章 進(jìn)入ufs技術(shù)社區
LPDDR5、UFS 3.0存儲介紹：我們何時(shí)能用上？
- 相較于處理器芯片，存儲性能這些年在智能手機上的重要性也開(kāi)始逐漸凸顯。據Android Authority總結，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲卡將會(huì )成為新一輪旗艦智能機將要占領(lǐng)的技術(shù)之制高點(diǎn)?！ 【唧w來(lái)說(shuō)，LPDDR5的速度將達到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC廠(chǎng)商Synopsys透露的，LPDDR5將引入WCK差分時(shí)鐘，類(lèi)似于GDDR5，從而在不增加引腳的情況下提升頻率?！ 〈送?，LPDDR5還將引入
- 關(guān)鍵字： LPDDR5 UFS 3.0
三星不再霸權！美光強勢殺入UFS 2.1手機閃存
- 2月26日，美光發(fā)布了專(zhuān)為安卓旗艦機打造的UFS 2.1標準閃存，容量設計為64GB、128GB和256GB。 顆粒選用TLC，3D 64層堆疊，美光強調基于人工智能技術(shù)進(jìn)行了APP打開(kāi)、運行有關(guān)的性能優(yōu)化。 由于是第二代3D閃存，美光稱(chēng)性能提升了50%。 單Die面積59.341mm2，32GB，號稱(chēng)業(yè)內最小。因此，在同樣芯片面積下的總容量翻番。 新閃存將于今春發(fā)貨，2018年下半年開(kāi)始出現在智能機中。 由于此前，UFS2.1能穩定供貨的只有三星和東芝，導致價(jià)格較高，美
- 關(guān)鍵字： 三星 UFS
UFS 3.0進(jìn)軍車(chē)用儲存 三星256GB Flash量產(chǎn)
- 三星電子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快閃儲存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解決方案已開(kāi)始量產(chǎn)， 是業(yè)界首款將固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )(JEDEC)的UFS 3.0標準導入汽車(chē)應用的儲存設備。 三星電子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技術(shù)有所突破之后，于近日發(fā)布量產(chǎn)256GB eUFS 2.1車(chē)用內存。 該儲存設備將為下一代駕駛輔助系統(ADAS)、車(chē)用娛樂(lè )系統與儀表板應用帶來(lái)更好的
- 關(guān)鍵字： 三星 UFS
TrendForce：2018年NAND Flash價(jià)格有望縮減10%-20%
- TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash價(jià)格有機會(huì )走跌，下半年需求回升，可能再次供不應求，預估2018年NANDFlashASP(平均銷(xiāo)售單價(jià))將較2017年縮減10%-20%。 相對而言，TrendForce預計，2018年DRAM產(chǎn)能擴增效益有限，價(jià)格趨勢與供給狀況持續看漲、看緊。 TrendForce表示，就移動(dòng)存儲來(lái)看，智能手機應用的存儲零組件價(jià)格從2016年第三季開(kāi)始不斷攀升，以主流規格而言，到今年第四季價(jià)格平均上升40%，不僅影響各大品牌在智能手機的
- 關(guān)鍵字： UFS NANDFlash
群聯(lián)UFS新芯片獲高通和海思認證
- NAND Flash解決方案供應商群聯(lián)9、10月連續兩月份的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)出貨量都破歷史新高，上月更達到100萬(wàn)組的水準，另一個(gè)好消息是，群聯(lián)在下一代的嵌入式快閃存儲器新款的UFS芯片PS8313上，已經(jīng)通過(guò)手機芯片大廠(chǎng)高通(Qualcomm)和海思等智能手機芯片平臺的測試，新產(chǎn)品布局有成。 群聯(lián)今年全力沖刺SSD和嵌入式存儲器解決方案eMMC產(chǎn)品線(xiàn)，繼9月SSD出貨量突破90萬(wàn)片后，10月再創(chuàng )新高達100萬(wàn)片水準。 以第3季表現來(lái)看，群聯(lián)第3季獲利創(chuàng )下單季歷史新高，主要是受惠多項主流
- 關(guān)鍵字： UFS 海思
UFS 3.0曝光：2666MB/s速度 快到飛起
- 智能手機體驗優(yōu)秀與否，除了處理器芯片，閃存芯片也是一大影響因素，目前手機上常搭載的閃存有UFS 2.1、UFS 2.0及eMMC 5.1等標準。其中UFS標準于2011年誕生，升級到2.0版本是在2013年，2.1版本則是在2016年發(fā)布的，而近日據網(wǎng)友爆料其下一代標準3.0也已經(jīng)在研發(fā)了。 根據網(wǎng)友爆料使用的圖片顯示，UFS 3.0的速度最高達2666MB/s，較UFS 2.1最高1333MB/s的速度整整快了一倍。 除了快到飛起的速度外，USF 3.0占據的
- 關(guān)鍵字： UFS
ADAS帶動(dòng)車(chē)用內存升級 除錯機制成決勝關(guān)鍵
- 車(chē)內信息娛樂(lè )系統(IVI)越來(lái)越普及，先進(jìn)駕駛輔助系統(ADAS)、無(wú)人駕駛技術(shù)亦逐漸成熟，車(chē)載系統突飛猛進(jìn)造就日益龐大的數據處理需求，所需內存容量、輸出/入帶寬不得不隨之升級。 不僅如此，車(chē)用儲存組件相較3C電子等一般應用，更須考慮車(chē)輛要求之極高可靠性、安全性，進(jìn)一步納入完善的硬/韌體除錯與實(shí)時(shí)反饋等相應機制。 內存控制芯片主力供貨商慧榮(SMI)產(chǎn)品企劃部項目經(jīng)理胡文基表示，從早期所用之SD卡、光罩式ROM、PATA/SATA硬盤(pán)等演進(jìn)至今，目前車(chē)載系統是以16G起跳之內嵌式多媒體記憶卡(e
- 關(guān)鍵字： ADAS UFS
UFS可望5年內取代eMMC 成為移動(dòng)存儲器儲存新主流
- 通用快閃存儲器標準(UFS)可望取代eMMC，成為移動(dòng)存儲器儲存系統新主流，將成為未來(lái)旗艦手機標準配備，吸引存儲器控制芯片廠(chǎng)群聯(lián)與慧榮爭相推出產(chǎn)品卡位。 隨著(zhù)4K影音與虛擬實(shí)境等技術(shù)日漸成熟，引爆旗艦智能手機對更高速、超高畫(huà)質(zhì)影音的儲存需求，研調機構IHS預期，UFS可望在5年內取代eMMC，成為移動(dòng)存儲器儲存系統新主流。 瞄準UFS未來(lái)發(fā)展潛力，群聯(lián)搶在去年底即推出支援3D TLC的UFS 2.1快閃存儲器控制芯片PS8311，預計今年第1季量產(chǎn)出貨;群聯(lián)并計劃今年再推出一系列UFS芯片
- 關(guān)鍵字： UFS eMMC
ufs介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ufs!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ufs的理解，并與今后在此搜索ufs的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ufs的理解，并與今后在此搜索ufs的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
ufs相關(guān)帖子
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473