體驗一致？eMMC和UFS間各項差異分析
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最近華為P10手機混用UFS閃存和eMMC閃存的事情是鬧得沸沸揚揚，雖然華為一再強調更換閃存對用戶(hù)在P10手機上的使用體驗不會(huì )產(chǎn)生影響，但畢竟UFS閃存與eMMC閃存之間存在著(zhù)巨大的性能差異，這個(gè)理由顯然無(wú)法說(shuō)服眾多憤怒的花粉。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201704/358334.htm
什么是eMMC和UFS閃存?
eMMC的全稱(chēng)是embedded Multi Media Card，即“嵌入式多媒體存儲卡”，這是一種針對手機或平板電腦等產(chǎn)品的內嵌式存儲器標準規格。與我們常說(shuō)的NAND閃存相比，eMMC閃存并不是單純的存儲芯片，它是在前者的基礎額外集成主控芯片的產(chǎn)品，并對外提供自有標準接口，作用相當于PC上的SSD固態(tài)硬盤(pán)，而且由于自身體積很小，因此很適合移動(dòng)設備使用。
eMMC閃存與UFS閃存在外觀(guān)和作用上都沒(méi)有明顯區別
UFS的全稱(chēng)則是Universal Flash Storage，即“通用閃存存儲”，同樣是一種內嵌式存儲器的標準規格，同樣是整合有主控芯片的閃存，不過(guò)其使用的是PC平臺上常見(jiàn)的SCSI結構模型并支持對應的SCSI指令集 。
因此eMMC閃存與UFS閃存都是作為嵌入式存儲器使用，從作用上來(lái)說(shuō)并無(wú)明顯區別。只是兩者所用的標準規范不同，因此移動(dòng)設備無(wú)論是使用eMMC閃存還是UFS閃存，都必須支持相應的eMMC規范或者是UFS規范。
eMMC閃存與UFS閃存的主要區別
雖然說(shuō)eMMC閃存和UFS閃存在外觀(guān)和作用上都沒(méi)明顯區別，但是實(shí)際上兩者的內部結構卻有著(zhù)本質(zhì)上的差異。eMMC閃存基于并行數據傳輸技術(shù)打造，其內部存儲單元與主控之間擁有8個(gè)數據通道，傳輸數據時(shí)8個(gè)通道同步工作，工作模式為半雙工，也就是說(shuō)每個(gè)通道都可以進(jìn)行讀寫(xiě)傳輸，但同一時(shí)刻只能執行讀或者寫(xiě)的操作，與PC上已經(jīng)淘汰的IDE接口硬盤(pán)很是相似。
而UFS閃存則是基于串行數據傳輸技術(shù)打造，其內部存儲單元與主控之間雖然只有兩個(gè)數據通道，但由于采用串行數據傳輸，其實(shí)際數據傳輸時(shí)速遠超基于并行技術(shù)的eMMC閃存。此外UFS閃存支持的是全雙工模式，所有數據通道均可以同時(shí)執行讀寫(xiě)操作，在數據讀寫(xiě)的響應速度上也要凌駕于eMMC閃存。
因此現在有不少人將UFS閃存比作PC上的SATA接口硬盤(pán)，小編認為這個(gè)并不準確，因為SATA硬盤(pán)雖然用的是串行技術(shù)，但是其本質(zhì)上使用的是ATA規范，僅支持半雙工模式。實(shí)際上UFS閃存采用的是SCSI結構模型并支持對應的SCSI指令集，因此其應該相當于服務(wù)器平臺上常見(jiàn)的SAS硬盤(pán)而不是普通的SATA硬盤(pán)。
正因為eMMC閃存與UFS閃存在內部結構上存在著(zhù)本質(zhì)上的區別，這讓兩者的理論帶寬產(chǎn)生了極大的差異。近年來(lái)比較常見(jiàn)的eMMC閃存多應用eMMC 4.x或者5.x規范，其中eMMC 4.5常見(jiàn)于低端設備，理論帶寬為200MB/s，現在已經(jīng)基本淘汰;而eMMC 5.0/5.1標準在目前來(lái)說(shuō)仍算主流，理論帶寬分別為400MB/s和600MB/s，從數字上看并不算低。
然而與UFS閃存相比，eMMC閃存的這點(diǎn)理論帶寬就不夠看了。UFS閃存的相關(guān)標準是在2011年2月份首次亮相，當時(shí)的UFS 1.1標準其已經(jīng)可以提供相當于300MB/s的理論帶寬，而eMMC閃存要到2012年的eMMC 4.5標準時(shí)才可以提供200MB/s的理論速率。只是由于當時(shí)的應用環(huán)境以及產(chǎn)本成本等因素的限制，USF 1.1標準未能得到大規模的推廣。
直到2014年UFS 2.0規范出爐后，eMMC閃存才被徹底碾壓。UFS 2.0規范分為兩部分，第一部分是UFS HS-G2規范，也就是我們常說(shuō)的UFS 2.0，其單通道單向的理論帶寬就可以達到1.45Gbps的水平，雙通道雙向的理論帶寬就是5.8Gbps;而第二部分的UFS HS-G3標準，也就是我們常說(shuō)的UFS 2.1，其理論帶寬更是UFS 2.0的翻倍，達到11.6Gbps，eMMC閃存徹底望塵莫及了。
當然了以上只是理論帶寬，在實(shí)際產(chǎn)品中我們很難看到有可以把理論帶寬全部用完的產(chǎn)品，不過(guò)一般來(lái)說(shuō)基于UFS 2.0規范的存儲設備在性能上多少是要領(lǐng)先于eMMC規范產(chǎn)品。以三星提供的數據顯示，UFS 2.0閃存的連續讀寫(xiě)速度為350MB/s和150MB/s，而eMMC 5.1閃存的連續讀寫(xiě)速度則為250MB/s和125MB/s，比起UFS2.0閃存確實(shí)要遜色一些。
不過(guò)與連續讀寫(xiě)速度相比，UFS閃存在隨機讀寫(xiě)上的領(lǐng)先幅度要更大一些，特別是隨機讀取方面。同樣是三星提供的數據，UFS 2.0閃存的隨機讀取性能可以輕松達到19000 IOPS的水平，而eMMC 5.1閃存只能達到11000 IOPS，前者的領(lǐng)先幅度超過(guò)了70%。
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