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砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規模將超過(guò)4億美元
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(cháng)率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場(chǎng)將持平或轉負增長(cháng)。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來(lái)自其它市場(chǎng)對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復增長(cháng)。 一直
- 關(guān)鍵字： GaAs 外延襯底 FET HBT
T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器，該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結合，可實(shí)現更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉換器，與同類(lèi)競爭產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數量降至 32% 的同時(shí)，還可實(shí)現快速瞬態(tài)響應。該轉換器充分利用自動(dòng)跳過(guò)模式與 Eco-mode 輕負載控制機制，幫助設計人員滿(mǎn)足能量之星/90Plus 標準的要求，從而可實(shí)現整個(gè)負載范圍內的高
- 關(guān)鍵字： TI FET 轉換器 TPS51315
德州儀器1.5A 線(xiàn)性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： FET TI IC－bq2407x
TI推出具有啟動(dòng)過(guò)程中禁止吸入功能的DC/DC 轉換器
- TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉換頻率為同步頻率并可調至 1.6MHz，以減少外部組件數量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個(gè)溫度范圍內均可提供高達 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動(dòng)、可調慢啟動(dòng)、電流限制、熱關(guān)斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎設施、分布式電源系統以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩壓。
- 關(guān)鍵字： TI 轉換器 DC/DC FET
集成功率FET的鋰離子開(kāi)關(guān)充電器
- 當輸入至輸出的開(kāi)銷(xiāo)電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時(shí)，線(xiàn)性電池充電器的功耗相當大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節鋰離子電池組、12V車(chē)載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線(xiàn)性充電器的平均功耗超過(guò)5W。 bq241xx系列開(kāi)關(guān)充電器是對過(guò)熱問(wèn)題的簡(jiǎn)便解決方案。內置功率FET能夠提供高達2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達18V，非常適用于由單節、雙或三節電池組供電的系統。該系列開(kāi)關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
- 關(guān)鍵字： FET 鋰離子開(kāi)關(guān)充電器 電源
飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅動(dòng)器多芯片模塊
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅動(dòng)器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統、圖形卡、網(wǎng)絡(luò )和電信設備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應用，FDMF6700為設計人員提供別具吸引力的解決方案。 在個(gè)人電腦主板中，典型的降壓轉換器在每個(gè)相位可能包含：采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 飛兆 DrMOS FET 模塊
功率P-FET控制器LTC4414
- LTC4414是一種功率P-EFT控制器，主要用于控制電源的通、斷及自動(dòng)切換，也可用作高端功率開(kāi)關(guān)。該器件主要特點(diǎn)：工作電壓范圍寬，為3.5～36V；電路簡(jiǎn)單，外圍元器件少；靜態(tài)電流小，典型值為30μA；能驅動(dòng)大電流P溝道功率MOSFET；有電池反極性保護及外接P-MOSFET的柵極箝位保護；可采用微控制器進(jìn)行控制或采用手動(dòng)控制；節省空間的8引腳MSOP封裝；工作溫度范圍-40℃～+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列 引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示，各引腳
- 關(guān)鍵字： LTC4414 P-FET 電源技術(shù) 工業(yè)控制 模擬技術(shù) 工業(yè)控制
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