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電源管理設計小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓撲選擇
- 離線(xiàn)電源是最常見(jiàn)的電源之一，也稱(chēng)為交流電源。隨著(zhù)旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線(xiàn)轉換器的需求也越來(lái)越大。對于這些應用程序，最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時(shí)，反激通常是任何低功耗離線(xiàn)轉換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設終端設備是一個(gè)智能燈開(kāi)關(guān)，用戶(hù)可以通過(guò)智能手機的應用程序進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶(hù)在操作過(guò)程中不會(huì )接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對于離線(xiàn)電源來(lái)說(shuō)，反激拓撲是一個(gè)合理的解決方案，因為它的物料清單（BOM
- 關(guān)鍵字： BOM FET VDD
Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專(zhuān)業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、電信設備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
對更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng )新解決方案
- 電動(dòng)工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無(wú)刷直流（BLDC）解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據雙向開(kāi)關(guān)的使用與否實(shí)現一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個(gè)半橋或至少六個(gè)場(chǎng)效應管（FET），因此從有刷電流轉向無(wú)刷電流意味著(zhù)全球電動(dòng)工具FET總區域市場(chǎng)增長(cháng)了3到6倍（見(jiàn)圖1）。圖1：從有刷拓撲轉換到無(wú)刷拓撲意味著(zhù)FET數量出現了6倍倍增但BLDC設計在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數量6倍倍增
- 關(guān)鍵字： FET BLDC
看看國外廠(chǎng)商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)
- 每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區其中一處舉行的年度電子會(huì )議。此會(huì )議作為一個(gè)論壇，在其中報告半導體、電子元件技術(shù)、設計、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì )會(huì )議就是IEEE國際電子元件會(huì )議(International Electron Devices Meeting，縮寫(xiě)：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì )聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內存、顯示、感測器、微機電系統元件、新穎量子與納米級規模元件、粒子物理學(xué)現象、光電工程、
- 關(guān)鍵字： DRAM GAA-FET
集成智能——第1部分：EMI管理
- 智能集成電機驅動(dòng)器和無(wú)刷直流(BLDC)電機可以幫助電動(dòng)汽車(chē)和新一代汽車(chē)變得更具吸引力、更可行及更可靠?！ D1所示為集成電機驅動(dòng)器結合驅動(dòng)電機所需的一切要素，如場(chǎng)效應晶體管(FET)、柵極驅動(dòng)器和狀態(tài)機。集成避免了電線(xiàn)從電子控制單元(ECU)到電機的布線(xiàn)距離過(guò)長(cháng)，并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統成本的優(yōu)點(diǎn)?！ LDC電機在汽車(chē)應用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長(cháng)的電機壽命和電池壽命、更安靜的車(chē)內體驗以及更好的EMI性能?！ D1：智能集成BLDC電機驅動(dòng)器 集成智能系列博
- 關(guān)鍵字： BLDC FET
揭開(kāi)電池管理系統的神秘面紗
- 揭開(kāi)電池管理系統的神秘面紗-現在的電子設備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色，電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展，并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車(chē)、無(wú)線(xiàn)揚聲器在內的廣泛產(chǎn)品。近年來(lái)，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現大幅改善。試想一下汽車(chē)電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動(dòng)汽車(chē)。隨著(zhù)技術(shù)的最新進(jìn)展，你可以改用鋰離子電池來(lái)迅速啟動(dòng)汽車(chē)，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
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學(xué)好嵌入式系統電路入門(mén)之——二極管/晶體管/FET
- 導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導體 硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數量，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱(chēng)為半導體。 根據電流流動(dòng)的構造，可將半導體分為N型和P型兩類(lèi)。 半導體的電流流通原理 (1) N型半導體 圖1是在硅晶
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 FET
宜普電源轉換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過(guò)170億小時(shí)測試器件的可靠性的現場(chǎng)數據，結果表明器件的失效率很低
- EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非?？煽?，為工程師提供可信賴(lài)及可 替代采用傳統硅基器件的解決方案?！ ∫似针娫崔D換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過(guò)170億器件-小時(shí)的測試后的現場(chǎng)數據的分布結果，以及提供在累計超過(guò)700萬(wàn)器件-小時(shí)的應力測試后的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現場(chǎng)數據。這個(gè)數值與我們直至目前為止所取得
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 FET
TI推出業(yè)界首款100V高壓側FET驅動(dòng)器可驅動(dòng)高電壓電池
- 近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動(dòng)器。該驅動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅動(dòng)能量存儲系統，以及電機驅動(dòng)型應用中常用電池里的高壓側N溝道充放電FET，包括無(wú)人機、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(chē)等等。如需了解更多詳情，敬請訪(fǎng)問(wèn)：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。 電感性
- 關(guān)鍵字： TI FET
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