串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數據等諸多優(yōu)點(diǎn),在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應用。本文將介 紹一種通過(guò)51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通訊的方法,此方法不僅編程簡(jiǎn)單,且運行
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解決方案 編程 存儲器 Flash 串行
基于 DSP的嵌入式系統通過(guò)地址映射方式實(shí)現片外FLASH擦寫(xiě),1 引言 在DSP系統的設計中,經(jīng)常要使用片外存儲器擴充系統存儲空間。特別是當DSP的片內數據存儲器和程序存儲器容量比較小時(shí), 必須把一部分數據,如常量、原始數據庫等存儲到片外的存儲器中,從而節省DSP芯片內部
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方式 實(shí)現 FLASH 擦寫(xiě) 映射 地址 DSP 嵌入式 系統 通過(guò)
基于Flash構架的模數混合的FPGA在心電監控儀上的應用設計,Fution系列的FPGA是世界上首個(gè)基于Flash構架的模數混合的FPGA,即在數字FPGA的基礎上加入了模擬電路部分,解決了傳統模擬電路和FPGA分離給設計帶來(lái)的諸多問(wèn)題,降低了PCB板的制作難度,縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
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心電 監控 應用 設計 FPGA 混合 Flash 構架 模數 基于
Flash的可自編程性(Self-Programmability)是指,用Flash存儲器中的駐留軟件或程序對Flash存儲器進(jìn)行擦除/編程,但是,要求運行程序代碼的存儲區與待編程的存儲區不在同一模塊中。因此,只有一個(gè)片上Flash存儲器模塊
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技術(shù) 編程 單片機 Flash
C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對實(shí)時(shí)數字信號處理而設計的數字信號處理器,由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn),非常適合應用于嵌入式實(shí)時(shí)系統。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器,屬于EEPROM器件,與其它的
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MBM29LV800BA 接口 技術(shù) 存儲器 FLASH C6701 DSP 處理器
LM74是美國國家半導體公司生產(chǎn)的基于SPI總線(xiàn)接口的智能溫度傳感器,它可構成PC機、打印機的溫度檢測系統。1、LM74的性能特點(diǎn)(1)LM74內含溫度傳感器和13位∑-△式A/D轉換器,測溫范圍是-55~+125度,
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溫度 傳感器 智能 LM74 SPI 總線(xiàn) 基于
根據Ovum的分析,對於Apple是否要扭轉他對Adobe Flash的禁令,Apple將面臨越來(lái)越大的壓力,因為越來(lái)越多智慧型手機平臺支援這項技術(shù)。
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Apple Flash
O 引言 Flash是一種非易失存儲器,它在掉電條件下仍然能夠長(cháng)期保持數據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn),近幾年在U盤(pán)、SD卡、SSD硬盤(pán)等各種移動(dòng)存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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芯片 設計 控制 flash SD NAND 用于
摘要:生產(chǎn)3線(xiàn)SPI接口按MAX7221顯示控制器(低電平有效CS,DIN和CLK)的要求,這1 - Wire網(wǎng)絡(luò )地址連續三個(gè)1線(xiàn)開(kāi)關(guān)(DS2413的)。第一個(gè)開(kāi)關(guān)直接創(chuàng )建片選(低電平有效CS),第二個(gè)創(chuàng )建串行數據線(xiàn)直接(標準),而第三個(gè)開(kāi)關(guān)
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SPI 控制 遠程網(wǎng)絡(luò ) 線(xiàn)程
相比NAND閃存早已進(jìn)入GB級別的,閃存的另一門(mén)類(lèi):NOR型閃存的容量還在MB級別徘徊。今年早些時(shí)候擺脫破產(chǎn)陰云的Spansion公司今天就宣布,其全球首款2Gb容量NOR型閃存已實(shí)現量產(chǎn)。相比NAND閃存主要在數碼設備中充當“硬盤(pán)”,容量小速度快的NOR型閃存則主要擔當“內存”的作用。Spansion就表示,新的GL-S NOR型閃存主要針對用戶(hù)界面從2D向3D化轉變的消費、娛樂(lè )設備對大容量NOR型閃存以及高速隨機讀取性能的要求。
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Spansion NOR
美光科技(Micron Technology, Inc. )今日宣布推出面向汽車(chē)應用的高密度 Axcell? NOR 閃存裝置,強化其在汽車(chē)市場(chǎng)廣泛的產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的技術(shù)。該裝置采用最先進(jìn)的NOR 閃存工藝技術(shù),為信息娛樂(lè )制造商、車(chē)內電腦和其他汽車(chē)電子產(chǎn)品提供最高容量的存儲解決方案。
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美光 NOR
NAND Flash的壞塊管理設計,摘要:主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實(shí)現方案,詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法,同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
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設計 管理 Flash NAND
給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法,文中集中研究了其中的軟件部分,探討了管理flash物理塊的算法,提出了塊級和頁(yè)級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義,同時(shí)還提出了對flash的分區方法。
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設計 實(shí)現 算法 管理 Flash NAND
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