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中芯國際將進(jìn)入發(fā)展快車(chē)道 馬凱副總理再訪(fǎng)SMIC
- 5月18日下午，中共中央政治局委員、國務(wù)院副總理、國家集成電路領(lǐng)導小組組長(cháng)馬凱，國務(wù)院副秘書(shū)長(cháng)丁學(xué)東，工業(yè)和信息化部部長(cháng)、黨組書(shū)記苗圩等領(lǐng)導一行蒞臨中芯國際北京公司視察指導。北京市委常委、副市長(cháng)陰和俊陪同調研。中芯國際董事長(cháng)周子學(xué)博士、CEO趙海軍博士等公司高層予以熱情接待。 馬凱副總理一行參觀(guān)了中芯國際北京公司展廳，并進(jìn)入中芯B2工廠(chǎng)參觀(guān)了目前國內最先進(jìn)的12英寸全自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)。 董事長(cháng)周子學(xué)博士做了關(guān)于中國集成電路產(chǎn)業(yè)現狀、中芯國際近年來(lái)取得成績(jì)、面臨挑戰、未來(lái)規劃的工作匯報，并代表公
- 關(guān)鍵字： SMIC 中芯國際
ASIC設計中不可忽視的幾大問(wèn)題
- ASIC的復雜性不斷提高，同時(shí)工藝在不斷地改進(jìn)，如何在較短的時(shí)間內開(kāi)發(fā)一個(gè)穩定的可重用的ASIC芯片的設計，并且一次性流片成功，這需要一個(gè)成熟的ASIC的設計方法和開(kāi)發(fā)流程?！ ”疚慕Y合NCverilog，DesignCompile，Astro等ASIC設計所用到的EDA軟件，從工藝獨立性、系統的穩定性、復雜性的角度對比各種ASIC的設計方法，介紹了在編碼設計、綜合設計、靜態(tài)時(shí)序分析和時(shí)序仿真等階段經(jīng)常忽視的問(wèn)題以及避免的辦法，從而使得整個(gè)設計具有可控性?！ ?nbsp;
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德意志銀行：SMIC 28nm將面臨回報率、價(jià)格及毛利三重考驗
- 近期，中國最大晶圓制造商中芯國際(SMIC)積極宣示在 2017 年中將沖刺 28 納米制程，并且進(jìn)一步擴張產(chǎn)能。但是，從日前所提出的財報顯示，其 2016 年第 4 季的 28 納米制程營(yíng)收，僅占整體營(yíng)收的 3.5%，相較晶圓制造龍頭臺積電 2016 年財報中所揭露，臺積電 28 納米以下先進(jìn)制程占據晶圓代工營(yíng)收的 56%，其中 16/20 納米制程、28 納米制程各占營(yíng)收的比重為 31%、25% 的情況來(lái)說(shuō)，外資認為，中國發(fā)展高階制程還有一段長(cháng)的路要走。 就全球市場(chǎng)來(lái)觀(guān)察，根據統計 2016
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SMIC采用Synopsys的StarRC作為其寄生參數提取的標準解決方案
- 中芯國際集成電路制造有限公司(SMIC，紐約證券交易所代碼：SMI，香港聯(lián)合交易所代碼：981)是中國最大、最先進(jìn)的半導體代工廠(chǎng)，也是世界最大的代工廠(chǎng)之一。中芯國際與新思科技(Synopsys, Inc.，納斯達克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)今日宣布，中芯國際已采用新思科技的StarRC™產(chǎn)品作為其28nm工藝技術(shù)的寄生參數提取的標準解決方案。這一標準化是SMIC和Synopsys不斷加深合作的結果，可為共同的客戶(hù)提供最佳的解決方案，滿(mǎn)足他們不斷增長(cháng)的對先進(jìn)節點(diǎn)上的準確性、性能和效率的要求。S
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SMIC擴產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導體增長(cháng)預測
- 據ICInsight的最新預測，2016年全球半導體業(yè)的增長(cháng)率將是1%，之前的預測為下降2%。它的最新預測為2016年增長(cháng)1%，及2017年增長(cháng)4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預測增加4%，上升至6%。 IC Insight修正預測的原因是DRAM的價(jià)格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價(jià)格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達62%。如今由于智能手機及PC對于DRAM的容量需求上升，導致市場(chǎng)缺貨，價(jià)格止跌回升。三星等又重新開(kāi)始擴大投資，增加
- 關(guān)鍵字： SMIC DRAM
常見(jiàn)問(wèn)題解答：賽靈思采用首個(gè)ASIC級UltraScale可編程架構
- 1. 賽靈思將在2013年7月10日宣布推出什么產(chǎn)品？ 賽靈思宣布20nm兩項新的行業(yè)第一，延續28nm工藝節點(diǎn)上一系列業(yè)界創(chuàng )新優(yōu)勢： middot; 賽靈思宣布開(kāi)始投片半導體行業(yè)首款20nm器件以及投片PLD行業(yè)首款20nm All
- 關(guān)鍵字： UltraScale ASIC 賽靈思 可編程
智原發(fā)表PowerSlash(TM)硅智財于聯(lián)電55奈米超低功耗製程支援物聯(lián)網(wǎng)應用開(kāi)發(fā)
- 聯(lián)華電子今(12日)與ASIC設計服務(wù)暨IP研發(fā)銷(xiāo)售廠(chǎng)商智原科技(Faraday Technology Corporation，TWSE：3035)共同發(fā)表智原科技于聯(lián)電55奈米超低功耗製程(55ULP)的PowerSlash™基礎IP方案。智原PowerSlash™與聯(lián)電製程技術(shù)相互結合設計，為超低功耗的無(wú)線(xiàn)應用需求技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化，滿(mǎn)足無(wú)線(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的電池長(cháng)期壽命需求。 智原科技行銷(xiāo)暨投資副總于德旬表示：「物聯(lián)網(wǎng)應用建構過(guò)程中，效能往往受制于低功耗技術(shù)。而今透過(guò)聯(lián)電55奈
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