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risc—v 文章 進(jìn)入risc—v技術(shù)社區
三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展?

- 三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內48層單元,屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片,預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中,將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過(guò)引線(xiàn)鍵合技術(shù)實(shí)現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元,意味著(zhù)每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達10%,為當初預期的3倍以上,預料到了2016年,占比將進(jìn)一步提升至40%,三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏(yíng)家。 據韓媒Money Today報導,逐漸取代傳統硬碟(HDD)的SSD,發(fā)展重心開(kāi)始愈來(lái)愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后,目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據市調業(yè)者IHS iSuppli統計資料,如果以數量而言,2015年企業(yè)用SSD
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2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距
- 在存儲器芯片市場(chǎng)上,垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大,全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 據韓國MT News報導,2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規模預估將擴大10倍,而除目前獨占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外,也將有更多半導體廠(chǎng)加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場(chǎng),為拉大與后起業(yè)者的差距,生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結構,增加到48層。 外電引用市調機構IHS iSuppli資料指出,以NAND Flash的技術(shù)分類(lèi),V-N
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基于A(yíng)tmega16的室內照明系統設計

- 照明是室內環(huán)境設計的重要組成部分,光照的作用,對人的視覺(jué)功能尤為重要。而長(cháng)期以來(lái),將自然光與室內智能照明系統相結合的方式一直被設計者忽略,大部分的室內場(chǎng)所仍沿用單一的傳統照明方式,在一些公用場(chǎng)所的照明設備長(cháng)時(shí)間打開(kāi),不僅導致能源浪費,而且加速了設備老化。 1 系統結構和工作原理 1. 1 系統結構 室內照明控制系統的設計主要采用Atmega16 單片機作為MCU 控制器,與LED 顯示技術(shù)、光感技術(shù)、按鍵采集與處理技術(shù)、紅外線(xiàn)傳感技術(shù)、延時(shí)技術(shù)等技術(shù)相結合,然后實(shí)現室內照明設備的智能
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零基礎學(xué)FPGA(十四)第一片IC——精簡(jiǎn)指令集RISC_CPU設計精講

- 不得不說(shuō),SDRAM的設計是我接觸FPGA以來(lái)調試最困難的一次設計,早在一個(gè)多月以前,我就開(kāi)始著(zhù)手想做一個(gè)SDRAM方面的教程,受特權同學(xué)影響,開(kāi)始學(xué)習《高手進(jìn)階,終極內存技術(shù)指南》這篇論文,大家都知道這篇文章是學(xué)習內存入門(mén)的必讀文章,小墨同學(xué)花了一些時(shí)間在這上面,說(shuō)實(shí)話(huà)看懂這篇文章是沒(méi)什么問(wèn)題的,文件講的比較直白,通俗易懂,很容易入手。當了解了SDRAM工作方式之后,我便開(kāi)始寫(xiě)代碼,從特權同學(xué)的那篇經(jīng)典教程里面,我認真研讀代碼的來(lái)龍去脈,終于搞懂了特權同學(xué)的設計思想,并花了一些時(shí)間將代碼自己敲一遍,
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基于Microblaze的經(jīng)典設計匯總,提供軟硬件架構、流程、算法
- Microblaze嵌入式軟核是一個(gè)被Xilinx公司優(yōu)化過(guò)的可以嵌入在FPGA中的RISC處理器軟核,具有運行速度快、占用資源少、可配置性強等優(yōu)點(diǎn),廣泛應用于通信、軍事、高端消費市場(chǎng)等領(lǐng)域。支持CoreConnect總線(xiàn)的標準外設集合。Microblaze處理器運行在150MHz時(shí)鐘下,可提供125 D-MIPS的性能,非常適合設計針對網(wǎng)絡(luò )、電信、數據通信和消費市場(chǎng)的復雜嵌入式系統。本文介紹基于Microblaze的設計實(shí)例,供大家參考。 雙Microblaze軟核處理器的SOPC系統設計
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可充電觸屏遙控模塊設計

- 摘要 本文介紹了使用MSP430作為主處理器實(shí)現可充電的觸屏遙控模塊,該設計方案支持紅外(IR)信號傳輸,且可擴展RF和NFC無(wú)線(xiàn)傳輸方式;用戶(hù)輸入采用觸摸按鍵實(shí)現,設計簡(jiǎn)潔美觀(guān);系統可由電池供電,且自帶可充電模塊,可由USB或者直流電源適配器充電。TI的430系列MCU產(chǎn)品功耗低,可為便攜式電子設備提供更長(cháng)的使用壽命;其內嵌LCD驅動(dòng)器,可以方便實(shí)時(shí)顯示監測數據;其支持多種觸摸按鍵實(shí)現方式,設計簡(jiǎn)便靈活。 簡(jiǎn)介 遙控設備在日常生活中非常易見(jiàn),家電遙控器、玩具遙控器等方便了用戶(hù)對設備
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基于VIM的嵌入式存儲控制器的研究與實(shí)現

- 1 引言 隨著(zhù)VLSI技術(shù)的迅猛發(fā)展,微處理器主頻日益提高、性能飛速增長(cháng),盡管與此同時(shí)存儲器集成度也越來(lái)越高、存取延時(shí)也在不斷下降,但是處理器性能的年增長(cháng)速度為50%~60%,而存儲器性能每年提高的幅度只有5%~7%,DRAM存儲器的低帶寬和高延遲使高性能處理器無(wú)法充分發(fā)揮其性能,處理器和存儲器之間速度的差距越來(lái)越成為制約整個(gè)系統性能的瓶頸。眾多的研究者從微體系結構出發(fā),采取亂序執行、多線(xiàn)程、預取、分支預測、推斷執行等技術(shù),或多級Cache的層次式存儲結構來(lái)彌補微處理器與存儲器性能差距,但是這些
- 關(guān)鍵字: VIM SRAM RISC
三星業(yè)內首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

- 全球先進(jìn)半導體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤(pán)的業(yè)內首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。 三星電子存儲芯片營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)負責人韓宰洙高級副總裁表示:“通過(guò)推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn),我們相信3bit V-NAND將會(huì )加快數據存儲設備從傳統硬盤(pán)向固態(tài)硬盤(pán)的轉換。固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的多樣化,將加強三星產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力,進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤(pán)業(yè)務(wù)的發(fā)展?!? 3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品,每
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AMETEK Sorensen可編程電源的保護特性

- 可編程電源是電氣實(shí)驗室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器,用以獲得測試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低,并只帶有基本的控制裝置:一個(gè)開(kāi)啟/關(guān)閉開(kāi)關(guān)及兩個(gè)用于調節電壓電流的旋鈕。在未來(lái),旋鈕調節將繼續會(huì )是首選方法,因為其可單獨且靈活的改變電壓或電流,從而直觀(guān)的觀(guān)察其他測量?jì)x器或被測部件性能。 對低成本應用中的大多數電源而言保護功能不是必須考慮的因素,但是在一些測試應用中,會(huì )要求使用很小電壓范圍,如2.0%- 20%范圍,否則會(huì )很容易損壞設備,這就為使用者提出了新的要求。 AMET
- 關(guān)鍵字: 可編程電源 AMETEK V-span
嵌入式系統架構(四):RISC家族之MIPS處理器
- MIPS是美國歷史悠久的RISC處理器體系,其架構的設計,也如美國人的性格一般,相當的大氣且理想化。MIPS架構起源,可追溯到1980年代,斯坦福大學(xué)和伯克利大學(xué)同時(shí)開(kāi)始RISC架構處理器的研究。 MIPS公司成立于1984年,隨后在 1986年推出第一款R2000處理器,在1992年時(shí)被SGI所并購,但隨著(zhù)MIPS架構在桌面市場(chǎng)的失守,后來(lái)在1998年脫離了SGI,成為MIPS技術(shù)公司,并且在1999年重新制定 公司策略,將市場(chǎng)目標導向嵌入式系統,并且統一旗下處理器架構,區分為32-bit以及
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統 RISC MIPS
risc—v介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條risc—v!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對risc—v的理解,并與今后在此搜索risc—v的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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