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三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

  •   備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現在市場(chǎng)上了,TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會(huì )先睹為快。   三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M,并強調將用于各種固態(tài)硬碟(SSD),也預計會(huì )在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現了,我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現其蹤影(如圖1)。        圖1:三星T3 2TB S
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三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展?

  •   三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內48層單元,屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片,預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中,將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過(guò)引線(xiàn)鍵合技術(shù)實(shí)現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元,意味著(zhù)每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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Imec結合III-V材料打造高性能Flash

  •   比利時(shí)奈米電子研究中心Imec的研究人員透過(guò)將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式,發(fā)現了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。   目前大多數的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道,并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動(dòng)至垂直的方向,3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝,而不必遵循微縮規則。   此外,Imec最近發(fā)現,透過(guò)使用通道中的III-V材
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電壓/電流與電壓/頻率轉換電路(V/I、V/F電路)

  •   1電壓/電流轉換電路   電壓/電流轉換即V/I轉換,是將輸入的電壓信號轉換成滿(mǎn)足一定關(guān)系的電流信號,轉換后的電流相當一個(gè)輸出可調的恒流源,其輸出電流應能夠保持穩定而不會(huì )隨負載的變化而變化。V/I轉換原理如圖1。        由圖1可見(jiàn),電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構成,V0為偏置電壓,Vin為輸入電壓即待轉換電壓,R為負載電阻。其中運算放大器起比較器作用,將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進(jìn)行比較,經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
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RISC或CISC真的有差嗎?

  • 精簡(jiǎn)指令RISC和復雜指令CISC之爭從來(lái)沒(méi)有落下帷幕,每隔一段時(shí)間就拿出來(lái)吵,實(shí)際只有合不合適,對不對口,沒(méi)有好壞之分。
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

  •   2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達10%,為當初預期的3倍以上,預料到了2016年,占比將進(jìn)一步提升至40%,三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏(yíng)家。   據韓媒Money Today報導,逐漸取代傳統硬碟(HDD)的SSD,發(fā)展重心開(kāi)始愈來(lái)愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后,目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。   據市調業(yè)者IHS iSuppli統計資料,如果以數量而言,2015年企業(yè)用SSD
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2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距

  •   在存儲器芯片市場(chǎng)上,垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大,全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。   據韓國MT News報導,2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規模預估將擴大10倍,而除目前獨占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外,也將有更多半導體廠(chǎng)加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場(chǎng),為拉大與后起業(yè)者的差距,生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結構,增加到48層。   外電引用市調機構IHS iSuppli資料指出,以NAND Flash的技術(shù)分類(lèi),V-N
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基于A(yíng)tmega16的室內照明系統設計

  •   照明是室內環(huán)境設計的重要組成部分,光照的作用,對人的視覺(jué)功能尤為重要。而長(cháng)期以來(lái),將自然光與室內智能照明系統相結合的方式一直被設計者忽略,大部分的室內場(chǎng)所仍沿用單一的傳統照明方式,在一些公用場(chǎng)所的照明設備長(cháng)時(shí)間打開(kāi),不僅導致能源浪費,而且加速了設備老化。   1 系統結構和工作原理   1. 1 系統結構   室內照明控制系統的設計主要采用Atmega16 單片機作為MCU 控制器,與LED 顯示技術(shù)、光感技術(shù)、按鍵采集與處理技術(shù)、紅外線(xiàn)傳感技術(shù)、延時(shí)技術(shù)等技術(shù)相結合,然后實(shí)現室內照明設備的智能
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零基礎學(xué)FPGA(十四)第一片IC——精簡(jiǎn)指令集RISC_CPU設計精講

  •   不得不說(shuō),SDRAM的設計是我接觸FPGA以來(lái)調試最困難的一次設計,早在一個(gè)多月以前,我就開(kāi)始著(zhù)手想做一個(gè)SDRAM方面的教程,受特權同學(xué)影響,開(kāi)始學(xué)習《高手進(jìn)階,終極內存技術(shù)指南》這篇論文,大家都知道這篇文章是學(xué)習內存入門(mén)的必讀文章,小墨同學(xué)花了一些時(shí)間在這上面,說(shuō)實(shí)話(huà)看懂這篇文章是沒(méi)什么問(wèn)題的,文件講的比較直白,通俗易懂,很容易入手。當了解了SDRAM工作方式之后,我便開(kāi)始寫(xiě)代碼,從特權同學(xué)的那篇經(jīng)典教程里面,我認真研讀代碼的來(lái)龍去脈,終于搞懂了特權同學(xué)的設計思想,并花了一些時(shí)間將代碼自己敲一遍,
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基于Microblaze的經(jīng)典設計匯總,提供軟硬件架構、流程、算法

  •   Microblaze嵌入式軟核是一個(gè)被Xilinx公司優(yōu)化過(guò)的可以嵌入在FPGA中的RISC處理器軟核,具有運行速度快、占用資源少、可配置性強等優(yōu)點(diǎn),廣泛應用于通信、軍事、高端消費市場(chǎng)等領(lǐng)域。支持CoreConnect總線(xiàn)的標準外設集合。Microblaze處理器運行在150MHz時(shí)鐘下,可提供125 D-MIPS的性能,非常適合設計針對網(wǎng)絡(luò )、電信、數據通信和消費市場(chǎng)的復雜嵌入式系統。本文介紹基于Microblaze的設計實(shí)例,供大家參考。   雙Microblaze軟核處理器的SOPC系統設計
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可充電觸屏遙控模塊設計

  •   摘要   本文介紹了使用MSP430作為主處理器實(shí)現可充電的觸屏遙控模塊,該設計方案支持紅外(IR)信號傳輸,且可擴展RF和NFC無(wú)線(xiàn)傳輸方式;用戶(hù)輸入采用觸摸按鍵實(shí)現,設計簡(jiǎn)潔美觀(guān);系統可由電池供電,且自帶可充電模塊,可由USB或者直流電源適配器充電。TI的430系列MCU產(chǎn)品功耗低,可為便攜式電子設備提供更長(cháng)的使用壽命;其內嵌LCD驅動(dòng)器,可以方便實(shí)時(shí)顯示監測數據;其支持多種觸摸按鍵實(shí)現方式,設計簡(jiǎn)便靈活。   簡(jiǎn)介   遙控設備在日常生活中非常易見(jiàn),家電遙控器、玩具遙控器等方便了用戶(hù)對設備
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基于VIM的嵌入式存儲控制器的研究與實(shí)現

  •   1 引言   隨著(zhù)VLSI技術(shù)的迅猛發(fā)展,微處理器主頻日益提高、性能飛速增長(cháng),盡管與此同時(shí)存儲器集成度也越來(lái)越高、存取延時(shí)也在不斷下降,但是處理器性能的年增長(cháng)速度為50%~60%,而存儲器性能每年提高的幅度只有5%~7%,DRAM存儲器的低帶寬和高延遲使高性能處理器無(wú)法充分發(fā)揮其性能,處理器和存儲器之間速度的差距越來(lái)越成為制約整個(gè)系統性能的瓶頸。眾多的研究者從微體系結構出發(fā),采取亂序執行、多線(xiàn)程、預取、分支預測、推斷執行等技術(shù),或多級Cache的層次式存儲結構來(lái)彌補微處理器與存儲器性能差距,但是這些
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三星業(yè)內首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

  •   全球先進(jìn)半導體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤(pán)的業(yè)內首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。   三星電子存儲芯片營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)負責人韓宰洙高級副總裁表示:“通過(guò)推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn),我們相信3bit V-NAND將會(huì )加快數據存儲設備從傳統硬盤(pán)向固態(tài)硬盤(pán)的轉換。固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的多樣化,將加強三星產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力,進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤(pán)業(yè)務(wù)的發(fā)展?!?   3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品,每
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AMETEK Sorensen可編程電源的保護特性

  •   可編程電源是電氣實(shí)驗室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器,用以獲得測試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低,并只帶有基本的控制裝置:一個(gè)開(kāi)啟/關(guān)閉開(kāi)關(guān)及兩個(gè)用于調節電壓電流的旋鈕。在未來(lái),旋鈕調節將繼續會(huì )是首選方法,因為其可單獨且靈活的改變電壓或電流,從而直觀(guān)的觀(guān)察其他測量?jì)x器或被測部件性能。   對低成本應用中的大多數電源而言保護功能不是必須考慮的因素,但是在一些測試應用中,會(huì )要求使用很小電壓范圍,如2.0%- 20%范圍,否則會(huì )很容易損壞設備,這就為使用者提出了新的要求。   AMET
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嵌入式系統架構(四):RISC家族之MIPS處理器

  •   MIPS是美國歷史悠久的RISC處理器體系,其架構的設計,也如美國人的性格一般,相當的大氣且理想化。MIPS架構起源,可追溯到1980年代,斯坦福大學(xué)和伯克利大學(xué)同時(shí)開(kāi)始RISC架構處理器的研究。   MIPS公司成立于1984年,隨后在 1986年推出第一款R2000處理器,在1992年時(shí)被SGI所并購,但隨著(zhù)MIPS架構在桌面市場(chǎng)的失守,后來(lái)在1998年脫離了SGI,成為MIPS技術(shù)公司,并且在1999年重新制定 公司策略,將市場(chǎng)目標導向嵌入式系統,并且統一旗下處理器架構,區分為32-bit以及
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