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IR 推出采用焊前金屬的汽車(chē)級絕緣柵雙極晶體管

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,適用于電動(dòng)汽車(chē) (EV) 、混合電動(dòng)汽車(chē) (HEV) 和中功率驅動(dòng)器中的高電流、高電壓汽車(chē)逆變器模塊。   AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場(chǎng)截止溝槽技術(shù),大幅度降低了傳導和開(kāi)關(guān)損耗。此外,這款新器件的焊前金屬可實(shí)現雙面冷卻,提高了散熱性能,
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IR推出75V低側智能功率開(kāi)關(guān) 適用于24V汽車(chē)環(huán)境

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出 AUIPS2051L 和 AUIPS2052G 75V 低側智能功率開(kāi)關(guān) (IPS) ,適用于嚴苛的 24V 汽車(chē)環(huán)境,包括卡車(chē)接線(xiàn)盒應用。   AUIPS2051L 和 AUIPS2052G 具有 70V 有源箝位,并提供全面的保護功能。這兩款器件在過(guò)溫或過(guò)流情況下可自動(dòng)關(guān)閉,當再次關(guān)、開(kāi)輸入后會(huì )重啟,通過(guò)連接到輸入引腳的串聯(lián)電阻提供診斷信息。此外,AUIPS205x 系列采用了 IR 的 75V 技術(shù),使其完全滿(mǎn)
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IR推出高效解決方案 為DDR3內存模塊提供動(dòng)力

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出IR3522和IR3506 XPhase ® 芯片組,為DDR3多相位內存應用提供全面的功率解決方案。   新推出的IR3522雙輸出脈寬調制 (PWM) 控制器內置了I2C接口,為DDR3 VDDQ和Vtt軌提供了全面的系統控制。這款器件能夠與任何數目的IR3506相位IC 連接,驅動(dòng)盡可能多的相位,為任何數量的DDR3雙列直插內存模塊 (DIMMS) 提供動(dòng)力,簡(jiǎn)化了設計,減少了電路板面積,從而節省了整
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IR推出自振蕩半橋驅動(dòng)器IC

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出AUIR2085S車(chē)用控制IC,適用于高中低電壓汽車(chē)驅動(dòng)應用,包括DC-DC轉換器、HEV輔助轉換器和電池管理轉換器。   AUIR2085S是一款自振蕩100V半橋驅動(dòng)器IC,占空比為50%,并具備集成的軟啟動(dòng)電容器,能夠在5毫秒內將占空比從零逐漸增加到50%,從而限制啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流,并能在整個(gè)啟動(dòng)過(guò)程中使高側和低側MOSFET的脈沖寬度保持一致。   該產(chǎn)品的半橋低側及高側脈沖在±25納秒內匹
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IR推出新一代 XPhase雙相位IC

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出IR3527 XPhase雙相位IC,為多相位節能服務(wù)器應用提供獨立的省電功能。   IR3527 IC能夠驅動(dòng)及監測多相位同步降壓轉換器的兩個(gè)相,從而顯著(zhù)減少整體系統成本和整個(gè)解決方案的體積。IR3527為每個(gè)功率級提供獨立的省電功能 (PSI) ,并且具有順序相位時(shí)序功能,可用于單輸出多相位轉換器。當省電模式啟動(dòng)后,功率級便會(huì )禁用其輸出,避免了開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)通過(guò)單功率級或與其它轉換器功率級的配合來(lái)修正轉換器的操作。
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IR推出適用于汽車(chē)柵極驅動(dòng)應用的器件AUIRS2016S

  •   全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出AUIRS2016S 器件,適用于汽車(chē)柵極驅動(dòng)應用,包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應用,以及螺線(xiàn)管驅動(dòng)器。   AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側驅動(dòng)器,具有內部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅動(dòng)器配備一個(gè)250mA高脈沖電流緩沖級。相關(guān)溝道能夠在高側配置中驅動(dòng)一個(gè)N溝道功率MOSFET,可在高于地電壓達150V的條
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武科大控制與信息技術(shù)研究所推出雷達天車(chē)防撞系統

  •   武漢科技大學(xué)控制與信息技術(shù)研究所近日推出了最新行車(chē)防撞雷達測距控制系統產(chǎn)品—WKD-IR系列。該產(chǎn)品已經(jīng)于2009年2月6日在武漢鋼鐵集團公司工業(yè)港三區的行車(chē)上進(jìn)行了相關(guān)性能、參數和工作穩定性測試。經(jīng)過(guò)現場(chǎng)的測試證明:該系統工作穩定可靠、環(huán)境適應性強,尤其適用于在大粉塵、高濕度、環(huán)境溫度復雜等惡劣工作環(huán)境和雨、雪、霧等惡劣天氣情況。該系統人機界面友好、操作簡(jiǎn)單,完全滿(mǎn)足工業(yè)現場(chǎng)的行車(chē)防撞要求?,F該產(chǎn)品實(shí)現大規模量產(chǎn)并經(jīng)由北京辦事處全權代理銷(xiāo)售(中文及韓文市場(chǎng)銷(xiāo)售事宜咨詢(xún)leongzhunw
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IR推出基準工業(yè)級30V MOSFET

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列獲得工業(yè)認證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET,為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應用和網(wǎng)絡(luò )通信及和服務(wù)器電源等應用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。   這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù),并且通過(guò)非常低的導通電阻 (RDS(on)) 來(lái)減少散熱。此外,新器件的超低柵極電荷有助于延長(cháng)不間斷電源逆變器或電動(dòng)工具的電池壽命。   IR亞洲區銷(xiāo)售副總裁
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IR推出150V和200V MOSFET

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,為開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統 (UPS)、反相器和DC馬達驅動(dòng)器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 (Qg)。   與其它競爭器件相比,IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷,則比競爭器件的降低了多達33%。   IR亞洲區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“隨著(zhù)DC-DC功率轉換應用技術(shù)的日
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IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on)),并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開(kāi)關(guān)應用達到最佳效果。   IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù),提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時(shí)典型為0.5mΩ),同時(shí)比D2PAK的占位面積縮小60%,高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導
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IR推出多功能IR3640M PWM控制IC

  •   全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出IR3640M PWM控制IC。該產(chǎn)品適用于高性能同步DC-DC降壓應用,包括服務(wù)器、存儲、網(wǎng)絡(luò )通信、游戲機和通用DC-DC轉換器。   IR3640M是一款單相位同步降壓PWM控制器,擁有集成式MOSFET驅動(dòng)器和自舉二極管。新組件的單個(gè)環(huán)路電壓式架構簡(jiǎn)化了設計,同時(shí)提供精確的輸出電壓調節和快速瞬變反應。   IR亞洲區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“IR364
  • 關(guān)鍵字: IR  PWM控制器  IR3640M  DC-DC  

IR推出AUIRS2003S 200V IC

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出AUIRS2003S 200V IC,適用于低、中、高壓汽車(chē)應用,包括汽車(chē)預電充開(kāi)關(guān)、步進(jìn)驅動(dòng)器和DC-DC轉換器。   AUIRS2003S符合AEC-Q100標準,是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅動(dòng)器,并備有高、低側參考輸出通道,適用于惡劣的汽車(chē)環(huán)境及引擎罩下的應用。這款輸出驅動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級,可將驅動(dòng)器跨導降至最低,而浮動(dòng)通道可在最高200V的高側配置中驅動(dòng)一個(gè) N 溝道功率MOSFET。
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LED電視來(lái)勢猛 三種主流LED背光源技術(shù)解析

  • 根據最近兩年LED電視的產(chǎn)品發(fā)展路線(xiàn)分析,我們可以發(fā)現LED電視按照背光源的種類(lèi),目前已經(jīng)出現了三種技術(shù)分...
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IR推出增強型25V及30V MOSFET

  •   全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能,適用于消費和網(wǎng)絡(luò )領(lǐng)域的計算應用。   新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗證的硅技術(shù),可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ,并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿(mǎn)載效率及熱性能,即使在輕負載條件下,低轉換損耗也有助于實(shí)現高效率
  • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  硅技術(shù)  

IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET

  •   全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值,適用于高功率DC電機和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應用。   新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù),可在4.5V Vgs下實(shí)現非常低的RDS(on) ,顯著(zhù)改善了熱效率。此外,這些器件具有更高的電流額定值,多余瞬變可以帶來(lái)更多防護頻帶,并可減少由
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