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IR推出高壓D類(lèi)音頻控制集成電路
- 全球領(lǐng)先的功率管理技術(shù)公司IR近日推出專(zhuān)為每個(gè)通道高達500W的D類(lèi)音頻應用開(kāi)發(fā)的200V控制集成電路IRS20124S。該器件集成的可調節死區時(shí)間、雙向過(guò)流感應等功能可保護放大器系統。此外，這些特性還可以使音頻設計師簡(jiǎn)化電路并減少家庭影院娛樂(lè )系統、影音接收機和汽車(chē)音響系統中D類(lèi)音頻放大器的元件數量。 內置的可選死區時(shí)間生成電路可對穩定性進(jìn)行熱補償，并具有噪聲和電源電壓波動(dòng)免疫功能，以改善總諧波失真THD。 IRS20124S內置雙向電流感應和集成的關(guān)斷功能，在出現揚聲器引線(xiàn)短路等過(guò)流狀況時(shí)保護
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功率因數矯正IC節省設計物料成本
- 功率因數矯正IC節省設計物料成本“功率因數”P(pán)F，是一個(gè)表示交流電電壓和電流波形關(guān)系的參數，它影響電氣傳輸網(wǎng)絡(luò )效率，可用來(lái)度量“電源的質(zhì)量”。傳統的功率因數矯正電路（PFC）技術(shù)復雜、設計步驟繁瑣、所需元件多、體積大而且成本高，因此設計時(shí)其往往要在性能和成本之間進(jìn)行折衷?！ H整流器（IR）公司針對上述情況推出了專(zhuān)用于A(yíng)C/DC功率因數矯正電路IR1150 系列產(chǎn)品。IR1150采用最新的單周期控制技術(shù)，不僅簡(jiǎn)便可靠，而且所需元件少，能以DCM電路實(shí)現CCM電路的性能。由于采用緊湊的SO-8封裝，有助于
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具有超低導通電阻的MOSFET降低AC／DC SMPS功率損失
- 具有超低導通電阻的MOSFET降低AC／DC SMPS功率損失 針對AC/DC同步整流和Oring電路的應用，國際整流器公司（IR）推出一組電壓為75V和100V，具有超低導通電阻的AC/DC同步整流MOSFET。這批新器件具備業(yè)界超低導通電阻（例如，IRFB4310的 RDS(on) 為7mΩ；IRFB3207 的 RDS (on) 為 4.5mΩ），能夠極大優(yōu)化筆記本電腦、LCD適配器和服務(wù)器等應用AC/DC SMPS的效率和功率密度?！ R公司AD/DC事業(yè)部產(chǎn)品市場(chǎng)工程師Mar
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IR MOSFET致力于同步整流及有源ORing應用
- 國際整流器公司(IR)近日推出一款新型160A額定電流、七引腳的IRF2907ZS-7PPbF MOSFET，進(jìn)一步擴大了高性能75V及100V HEXFET同步整流MOSFET器件的陣營(yíng)。 新器件160A的額定值可為開(kāi)關(guān)應用抗電涌提供更多的安全保障。其典型應用包括具有12V輸出的服務(wù)器開(kāi)關(guān)電源(SMPS)整流、電信系統中48V通道的有源ORing，以及24V輸入DC-DC轉換器。 標準的三引腳D2Pak封裝所能承受
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功率因數矯正IC節省設計物料成本
- 功率因數矯正IC節省設計物料成本 “功率因數”P(pán)F，是一個(gè)表示交流電電壓和電流波形關(guān)系的參數，它影響電氣傳輸網(wǎng)絡(luò )效率，可用來(lái)度量“電源的質(zhì)量”。傳統的功率因數矯正電路（PFC）技術(shù)復雜、設計步驟繁瑣、所需元件多、體積大而且成本高，因此設計時(shí)其往往要在性能和成本之間進(jìn)行折衷?！ H整流器（IR）公司針對上述情況推出了專(zhuān)用于A(yíng)C/DC功率因數矯正電路IR1150 系列產(chǎn)品。IR1150采用最新的單周期控制技術(shù)，不僅簡(jiǎn)便可靠，而且所需元件少，能以DCM電路實(shí)現CCM電路的性能。由于采用緊湊的SO-8封裝，有助
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IR 推出1200V和600V高速柵極驅動(dòng)集成電路系列
- IR的集成HVIC技術(shù)實(shí)現了完備的保護功能，與基于光耦或變壓器的 分立元件方案相比，可減少電路面積一半 全球領(lǐng)先的功率管理技術(shù)公司IR日前發(fā)布了一系列帶有完備保護功能的高壓IGBT控制集成電路。與基于光耦或變壓器的分立元件的傳統方案相比，新方案除了功能先進(jìn)之外，噪聲免疫力更高，并將使用元器件數減少30%，占用的電路板面積縮減一半。新推出的IC系列包括1200V及600V的柵極驅動(dòng)集成電路及電流傳感接口集成電路，應用領(lǐng)域為換向電機驅動(dòng)器、通用換向電路、開(kāi)關(guān)電源SMPS和不間斷電源UPS。 IR
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IR新型160A D2Pak MOSFET致力于同步整流及有源ORing應用
- 全球電源管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出一款新型160A 額定電流、七引腳的IRF2907ZS-7PPbF MOSFET，進(jìn)一步擴大了高性能75V及100V HEXFET同步整流MOSFET器件的陣營(yíng)。 新器件160A的額定值可為開(kāi)關(guān)應用抗電涌提供更多的安全保障。其典型應用包括具有12V輸出的服務(wù)器開(kāi)關(guān)電源（SMPS）整流、電信系統中48V通道的有源ORing，以及24V輸入DC-DC轉換器。 標準的三引腳D
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IR日前發(fā)布高速柵極驅動(dòng)集成電路新方案
- IR日前發(fā)布了一系列帶有完備保護功能的高壓IGBT控制集成電路。與基于光耦或變壓器的分立元件的傳統方案相比，新方案除了功能先進(jìn)之外，噪聲免疫力更高，并將使用元器件數減少30%，占用的電路板面積縮減一半。新推出的IC系列包括1200V及600V的柵極驅動(dòng)集成電路及電流傳感接口集成電路，應用領(lǐng)域為換向電機驅動(dòng)器、通用換向電路、開(kāi)關(guān)電源SMPS和不間斷電源UPS。 IR中國及香港銷(xiāo)售總監嚴國富指出：采用IR高壓IC技術(shù)開(kāi)發(fā)的新型柵極驅動(dòng)及傳感IC實(shí)現了在微小電路上整合過(guò)去只有高端設備才具備的完備功能
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IR推出1200V和600V高速柵極驅動(dòng)集成電路系列
- 全球領(lǐng)先的功率管理技術(shù)公司IR日前發(fā)布了一系列帶有完備保護功能的高壓IGBT控制集成電路。與基于光耦或變壓器的分立元件的傳統方案相比，新方案除了功能先進(jìn)之外，噪聲免疫力更高，并將使用元器件數減少30%，占用的電路板面積縮減一半。新推出的IC系列包括1200V及600V的柵極驅動(dòng)集成電路及電流傳感接口集成電路，應用領(lǐng)域為換向電機驅動(dòng)器、通用換向電路、開(kāi)關(guān)電源SMPS和不間斷電源UPS。 IR中國及香港銷(xiāo)售總監嚴國富指出：采用IR高壓IC技術(shù)開(kāi)發(fā)的新型柵極驅動(dòng)及傳感IC實(shí)現了在微小電路上整合過(guò)去只有
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運用單周控制來(lái)簡(jiǎn)化75 W及更高功率的功率因子校正設計
- 運用單周控制來(lái)簡(jiǎn)化75 W及更高功率的功率因子校正設計IR公司交流直流轉換事業(yè)部市場(chǎng)經(jīng)理 Stephen Oliver關(guān)于電器設備對電網(wǎng)的功率質(zhì)素的影響，已經(jīng)有法例規定了限制，而且越來(lái)越多地通過(guò)征收關(guān)稅來(lái)迫使制造商提高能量的使用效率，由于這些原因，功率因子校正（PFC）成為連接到電網(wǎng)上的電器設備的一個(gè)重要部分。圖1是實(shí)現功率因子校正的一個(gè)電路圖。對于完美的功率因子校正，它的功率因子等于1，經(jīng)過(guò)功率因子校正后，負載看上去是純電阻性的。這樣減少了諧波畸變，消除了無(wú)功功率，從而改善了能量
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IR公布2005財政年度第四財季業(yè)績(jì)
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 公布截至今年6月的2005財政年度第四財季業(yè)績(jì)，調整后的凈收入為3,840萬(wàn)美元 (合每股 0.54美元 )，總收入為2.818億美元。截至今年3月的上季度調整后凈收入為4,170萬(wàn)美元（合每股0.56美元），總收入為2.819億美元。 6月和3月兩個(gè)財季，調整后的凈收入均未包括2002年12月公布的裁員及重組活動(dòng)有關(guān)的稅前支出，它們分別是1,240萬(wàn)美元和810萬(wàn)美元
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IR推出新型12V、100A有源ORing參考設計
- 有效減少50%的元件數量和電路尺寸 全球電源管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出一款針對+12V、100A有源應用的參考設計IRAC5001。長(cháng)期以來(lái)，在12V大電流系統中，有源ORing以其更完善的系統效率和成本優(yōu)勢成功地取代了二極管ORing。與市面上采用TO-220元件的其他方案相比，IR新推的IRAC5001解決方案進(jìn)一步將所需場(chǎng)效應管的數量減少了50%。此外，憑借IR DirectFET封裝MOSFET優(yōu)異的雙面冷卻功能，整個(gè)解決方
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IR推出用于DC-DC降壓轉換器的新型DirectFET MOSFET芯片組
- 世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出新型的DirectFET MOSFET同步降壓轉換器芯片組。新品適用于下一代采用Intel和AMD處理器的高端臺式電腦和服務(wù)器，以及先進(jìn)的電信和數據通信系統等高頻率、大電流的DC-DC轉換器應用。 例如，電流為130A的五相轉換器如果采用最新的IRF6619 和IRF6633芯片組，可在一個(gè)緊湊的面積上實(shí)現85%的效率。 IR中國及香港銷(xiāo)售總監嚴國富指出：“IRF6619 和IRF663
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IR新型iPOWIR同步降壓轉換器組合模塊
- 世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出一款經(jīng)過(guò)全面優(yōu)化的功率組合模塊解決方案——iPOWIR iP2003A。它適用于3V到13.2V輸入電壓范圍的大電流多相位同步降壓轉換器，是專(zhuān)門(mén)為服務(wù)器、臺式電腦及數據通信系統中的低壓電源線(xiàn)而設計的。 作為iPOWIR系列的新成員，iP2003A成功地把硅和無(wú)源元件集成到一個(gè)緊湊型柵陣列（LGA）封裝中。集成硅片中包含同步柵極驅動(dòng)器、高端和低端功率MOSFET及一個(gè)同步肖特基整流器，可
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IR推出新型DirectFET MOSFET芯片組
- 使336W轉換器效率提升至97%面積較四分之一磚小29％ 世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片組。新品可配合IR近期發(fā)布的IR2086S全橋總線(xiàn)轉換器集成電路，使直流總線(xiàn)轉換器達到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線(xiàn)轉換器解決方案，在比四分之一磚轉換器還要小29%的電路板面積上，實(shí)現效率高達97%的336W功率。 全新的IRF6646及IRF6635適用于隔離式DC-DC轉換器總線(xiàn)
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