EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
rf-cmos
rf-cmos 文章 進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區
安森美半導體推出高能效電池監測器
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON?Semiconductor，)推出新系列的互補金屬氧化物半導體(CMOS)?“電池電量監測器”集成電路(IC)，為智能手機、平板電腦及數碼相機等多種便攜電子產(chǎn)品中常用的單節鋰離子(Li+)電池提供精確的剩余電量等級監測。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F結合了高精度等級，以及業(yè)界最低能耗，優(yōu)于執行此功能的競爭器件。這些器件還減少元件數量及降低系統成本，因為它們跟競爭器件不同，并不要求電流感測電阻來(lái)組成方案?！ “采腊?/li>
- 關(guān)鍵字： 安森美 LC709201F CMOS 便攜 電池監測
一種基于混合信號技術(shù)的汽車(chē)電子單芯片設計
- 隨著(zhù)汽車(chē)部件電子化程度的不斷提高,汽車(chē)工程師們正積極地尋求車(chē)輛系統中的先進(jìn)控制和接口技術(shù)解決方案。目前,汽車(chē)系統中用來(lái)嵌入這些功能單元的空間和能源十分有限,汽車(chē)工程師們正借助于新穎的高壓混合信號技術(shù)將復雜的——截至目前還不兼容的元件功能集成到一塊芯片上?，F在,應用與42V車(chē)載電壓兼容的I3T高電壓技術(shù)已經(jīng)可以將復雜的數字電路(如傳感器)、嵌入式微處理器以及功率電路(如激勵源或開(kāi)關(guān)驅動(dòng)器)集成到一起。 LIN總線(xiàn)系統 由于其相對較低的造價(jià),LIN總線(xiàn)正被廣泛應用于汽車(chē)的分布式電氣
- 關(guān)鍵字： AMI CMOS
三星28納米工藝技術(shù)為客戶(hù)新增RF功能
- 作為尖端半導體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布為其28納米工藝技術(shù)新增射頻(RF)功能。隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)快速成為現實(shí)，三星晶圓代工事業(yè)部開(kāi)始助力芯片設計人員在設計中集成高級RF功能，使互聯(lián)家用電器、車(chē)載信息娛樂(lè )系統和供暖/制冷系統等連接應用成為可能?！ 艾F在市場(chǎng)上只有少數晶圓代工廠(chǎng)能夠提供先進(jìn)制程工藝，而能在芯片設計中集成RF功能的選擇則更為有限?！叭蔷A代工事業(yè)部市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁韓承勛指出，”隨著(zhù)我們進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，智能連接設備也將更加普及，更小和節能型的RF設計對SoC解決方案來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。為
- 關(guān)鍵字： 三星 28nm RF 物聯(lián)網(wǎng) 晶圓
RFaxis單芯/單模RF前端模塊獲Frost&Sulivan創(chuàng )新獎
- 全球領(lǐng)先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布，榮獲北美Frost&Sullivan技術(shù)創(chuàng )新領(lǐng)導大獎。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發(fā)，推出獨特的無(wú)線(xiàn)通信RF前端解決方案。?Frost&Sullivan根據其對于無(wú)線(xiàn)通信射頻前端模塊(RF?FEM)市場(chǎng)的最新分析結果，認為RFaxis的創(chuàng )新解決方案實(shí)現了卓越性能、功能與經(jīng)濟性的完美結合，已經(jīng)得到證明是傳統GaAs?(砷化鎵)解決方案的理想替代選項?！ 鹘y上，FR
- 關(guān)鍵字： RFaxis Frost&Sullivan GaAs RF
飛思卡爾發(fā)布LDMOS首批11個(gè)射頻功率產(chǎn)品
- 射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者飛思卡爾半導體日前宣布11個(gè)全新商用的射頻功率LDMOS產(chǎn)品全面上市，這個(gè)產(chǎn)品可滿(mǎn)足美國國防電子產(chǎn)品應用的要求，這是2013年6月公布的公司射頻功率業(yè)務(wù)戰略防御計劃發(fā)布的首套產(chǎn)品?！ ★w思卡爾現在為美國國防系統客戶(hù)提供與其他市場(chǎng)相當的支持水平，使客戶(hù)可以?xún)?yōu)化這些射頻器件的性能，適合雷達、軍用通信和電子戰的應用。這些產(chǎn)品包含在飛思卡爾產(chǎn)品長(cháng)期供貨計劃中，根據不同產(chǎn)品可確保最低10年或15年的產(chǎn)品供應。?此外，飛思卡爾射頻國防市場(chǎng)專(zhuān)家組成的專(zhuān)門(mén)團隊擁有符合I
- 關(guān)鍵字： 飛思卡爾 LDMOS RF 國防
高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片
- 高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，標志著(zhù)移動(dòng)射頻前端技術(shù)的一個(gè)重大進(jìn)展，兩款芯片借助簡(jiǎn)化的走線(xiàn)和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線(xiàn)開(kāi)關(guān)，相信會(huì )在集成電路上實(shí)現前所未有的功能。 集成天線(xiàn)開(kāi)關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開(kāi)關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移動(dòng)終端的包絡(luò )追蹤(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件，并支持OEM廠(chǎng)商打造用于全球LTE移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )的單
- 關(guān)鍵字： 高通 CMOS
一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片設計
- 本文設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開(kāi)關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開(kāi)關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝，芯片總面積為0.53mm2。
- 關(guān)鍵字： 射頻開(kāi)關(guān) CMOS 開(kāi)關(guān)芯片 201402
rf-cmos介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條rf-cmos!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rf-cmos的理解，并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rf-cmos的理解，并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
rf-cmos電路
rf-cmos相關(guān)帖子
rf-cmos資料下載
rf-cmos專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473