rf-cmos 文章進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區

32段CMOS LCD驅動(dòng)器AY0438及其與單片機的接口設計

點(diǎn)擊此處進(jìn)入下載頁(yè)面
關(guān)鍵字： CMOS LCD驅動(dòng)器液晶顯示 LCD

CMOS多頻段低噪聲放大器設計

本設計中的并行式多頻段LNA為單個(gè)LNA，但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號。
關(guān)鍵字： CMOS 多頻低噪聲放大器設計

超低功耗電子電路系統設計原則

本文將對超低功耗電路設計原則進(jìn)行分析，并就怎樣設計成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結 ...
關(guān)鍵字： CMOS TTL 單片機

MCU 中輸入/輸出口的使用

本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
關(guān)鍵字：掩膜 CMOS 電阻

基于積累型MOS變容管的射頻壓控振蕩器設計

引言隨著(zhù)移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標準CMOS工藝實(shí)現壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現RF CMOS集成收發(fā)機的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO電路大多采用反向偏壓的變容二極管作為壓控器件，然而在用實(shí)際工藝實(shí)現電路時(shí)，會(huì )發(fā)現變容二極管的品質(zhì)因數通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現的器件來(lái)代替一般的變容二極管，MOS變容管便應運而生了。 MOS變容管將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
關(guān)鍵字： CMOS RF專(zhuān)題電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻振蕩器

集成多路模擬開(kāi)關(guān)的應用技巧

集成多路模擬開(kāi)關(guān)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)多路開(kāi)關(guān)）是自動(dòng)數據采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對系統的嚴謹和可靠性重要影響。關(guān)于多路開(kāi)關(guān)的應用技術(shù)，些文獻上介紹有兩點(diǎn)不足：一是對器件自身介紹較多，而對器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開(kāi)關(guān)的種類(lèi)，注意多路開(kāi)關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開(kāi)關(guān)的性能，甚至彌補某性能指標的欠缺，收到預期的效果。本文從應用
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 放大器模擬技術(shù) 模擬開(kāi)關(guān)

手機多頻帶切換力推RF MEMS 開(kāi)關(guān)發(fā)展

手機的發(fā)展要求在以低插入損耗進(jìn)行多頻帶和多模頻帶切換的同時(shí)仍保持優(yōu)良的線(xiàn)性特性，這推動(dòng)了RF MEMS開(kāi)關(guān)的應用和發(fā)展。隨著(zhù)新的復雜波形如WiMAX添加到混合信號上，多頻帶的切換問(wèn)題變得更加突出。目前在全球大規模興建的3G網(wǎng)絡(luò )可提供包括數據和點(diǎn)播視頻在內的多種業(yè)務(wù)，網(wǎng)絡(luò )的發(fā)展對手機設計師提出了新的挑戰。無(wú)線(xiàn)技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)使得手機可以使用7種不同的無(wú)線(xiàn)標準(頻帶)，包括DCS、PCS、GSM、EGSM、CDMA、WCDMA、GPS 和 Wi-Fi(見(jiàn)表1)。每種標準自身均具有獨特的特性和限制，并因此產(chǎn)生了自
關(guān)鍵字： 0609_A MEMS RF RF專(zhuān)題消費電子雜志_專(zhuān)題消費電子

ADI推出兩款新型高集成度RF收發(fā)器

ADI公司用于WiMAX終端的高集成度RF收發(fā)器推動(dòng)寬帶無(wú)線(xiàn)接入的部署 ——兩款新型直接變頻收發(fā)器提供高集成度和優(yōu)異的RF性能使低成本W(wǎng)iMAX終端具有擴展的覆蓋范圍和改進(jìn)的服務(wù)質(zhì)量。美國模擬器件公司10月10～12日在美國波士頓WiMAX世界峰會(huì )上展示了兩款用于全球微波接入互通（WiMAX）終端的射頻（RF）收發(fā)器，它們將有助于降低成本，推動(dòng)寬帶無(wú)線(xiàn)接入的大規模部署?；贗EE 802.16標準，WiMAX終端提供無(wú)線(xiàn)寬帶連接，是諸如DSL和
關(guān)鍵字： ADI RF 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 收發(fā)器通訊網(wǎng)絡(luò ) 無(wú)線(xiàn)

ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

——全新高性能ADF7021可滿(mǎn)足AMR、無(wú)線(xiàn)家庭自動(dòng)化和多種無(wú)線(xiàn)連接應用要求，提供比同類(lèi)產(chǎn)品提高7dB靈敏度，最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。美國模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路（IC）擴展了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻（RF）IC產(chǎn)品種類(lèi)。ADF7021適合于工作在80 MHz～650 MHz和862 MHz～940 MHz多個(gè)頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
關(guān)鍵字： ADI CMOS IC 單片機電源技術(shù) 工業(yè)控制接收器靈敏度模擬技術(shù) 嵌入式系統收發(fā)器亞吉赫茲窄帶工業(yè)控制

帶RF輸出的全數字調制器設計

目前的無(wú)線(xiàn)電結合了模擬和數字構造模塊。RF功能還是適合模擬電路實(shí)現，而基帶功能更適合于DSP的實(shí)現。
關(guān)鍵字：設計調制器數字輸出 RF

集成CMOS對稱(chēng)式收/發(fā)開(kāi)關(guān)的設計

本文分析了影響對稱(chēng)式射頻收/發(fā)開(kāi)關(guān)性能的因素，包括柵寬、導通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC　0.35m　CMOS工藝進(jìn)行設計和實(shí)現。
關(guān)鍵字：設計開(kāi)關(guān) 對稱(chēng) CMOS 集成

設計指南Q&A系列：高速模數轉換器

關(guān)鍵字： CMOS ADC 均衡

思比科開(kāi)發(fā)CMOS手機攝像芯片實(shí)現本土化

　北京思比科微電子自主研發(fā)了可廣泛用于汽車(chē)電子、手機、筆記本攝像頭、醫療電子等行業(yè)的CMOS攝像芯片。該項技術(shù)擁有6項發(fā)明專(zhuān)利的200萬(wàn)像素CMOS攝像芯片，已通過(guò)了技術(shù)測試。　　思比科200萬(wàn)像素攝像芯片，基于上海中芯國際0.18微米工藝，從設計開(kāi)發(fā)到芯片制造的全部工作均在國內完成，完全實(shí)現了國產(chǎn)化。　　思比科表示：“目前，公司已經(jīng)成功研發(fā)出30萬(wàn)像素、130萬(wàn)像素、200萬(wàn)像素等多種CMOS圖像傳感器，300萬(wàn)和500萬(wàn)像素的CMOS圖像傳感器芯片現在已經(jīng)申請國內專(zhuān)利8項，準備申請9項國內專(zhuān)利，出
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 手機攝像芯片思比科

吉時(shí)利發(fā)布多款創(chuàng )新產(chǎn)品擴RF測試業(yè)務(wù)

　在北京舉行的“吉時(shí)利2006 RF新品發(fā)布會(huì )”上，老牌測試與測量?jì)x器廠(chǎng)商美國吉時(shí)利儀器公司(Keithley)一口氣宣布推出三款創(chuàng )新的射頻測試儀器產(chǎn)品——2910型射頻矢量信號發(fā)生器、2810型射頻矢量信號分析儀和3500型便攜式射頻功率計。吉時(shí)利在慶祝該公司成立60周年之際，高調推出射頻測試儀器產(chǎn)品，表明了吉利時(shí)公司擴展射頻測試業(yè)務(wù)的決心和能力。　　2006年吉時(shí)利主推的三款射頻測試儀器　　吉時(shí)利儀器公司成立于1946年，除了其傳統的靈敏直流電(DC)信號測量外，吉時(shí)利的業(yè)
關(guān)鍵字： RF 測試業(yè)務(wù) 吉時(shí)利無(wú)線(xiàn)應用測試測量