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C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù)

  • C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對實(shí)時(shí)數字信號處理而設計的數字信號處理器,由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn),非常適合應用于嵌入式實(shí)時(shí)系統。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器,屬于EEPROM器件,與其它的
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Flash越來(lái)越受到支持

  •   根據Ovum的分析,對於Apple是否要扭轉他對Adobe Flash的禁令,Apple將面臨越來(lái)越大的壓力,因為越來(lái)越多智慧型手機平臺支援這項技術(shù)。   
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基于CAN總線(xiàn)的大容量漢字火災樓層顯示器設計

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設計

  •   O 引言  Flash是一種非易失存儲器,它在掉電條件下仍然能夠長(cháng)期保持數據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn),近幾年在U盤(pán)、SD卡、SSD硬盤(pán)等各種移動(dòng)存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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NAND Flash的壞塊管理設計

  • NAND Flash的壞塊管理設計,摘要:主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實(shí)現方案,詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法,同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
  • 關(guān)鍵字: 設計  管理  Flash  NAND  

NAND Flash管理算法的設計及實(shí)現

  • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法,文中集中研究了其中的軟件部分,探討了管理flash物理塊的算法,提出了塊級和頁(yè)級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義,同時(shí)還提出了對flash的分區方法。
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MCU內嵌Flash內存成趨勢

  •   因應MCU成長(cháng)快速及程序數據儲存需要,MCU內嵌Flash內存設計成為主流趨勢,MCU大廠(chǎng)也紛紛以購并或結盟掌握內嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內嵌FlashIP制程技術(shù),為下一代FlashMCU帶來(lái)的技術(shù)變革。   
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基于FLASH的嵌入式存儲系統設計

  • 基于FLASH的嵌入式存儲系統設計,1 引言

    FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其
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分析稱(chēng)臺系DRAM廠(chǎng)明年可望大幅增長(cháng)

  •   據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門(mén) DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠(chǎng)中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進(jìn)兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長(cháng)年增率150%。   南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片,明年上半年可達6萬(wàn)片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿(mǎn)載產(chǎn)能13萬(wàn)片,同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進(jìn)及明年轉進(jìn)42nm,預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(cháng)率居全球之冠,以品牌銷(xiāo)售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
  • 關(guān)鍵字: 南科  DRAM  Flash  

NAND Flash跌價(jià)深 上游大廠(chǎng)開(kāi)始對模塊廠(chǎng)讓步

  •   NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后,原本對于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠(chǎng),在面對庫存節節攀高的情況下,態(tài)度已開(kāi)始松動(dòng),部分模塊廠(chǎng)開(kāi)始回補一些庫存,不過(guò),全球兩大NAND Flash陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋(píng)果(Apple)訂單的撐腰,對于價(jià)格仍是相當強硬,顯示蘋(píng)果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。   近期NAND Flash價(jià)格修正頗深,除了歐洲和美國市場(chǎng)需求不佳,尤其是返校需求完全是虛晃一招外,大陸
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分析稱(chēng)臺系DRAM廠(chǎng)2011年可望大幅增長(cháng)

  •   據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門(mén) DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠(chǎng)中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進(jìn)兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長(cháng)年增率150%。   南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片,明年上半年可達6萬(wàn)片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿(mǎn)載產(chǎn)能13萬(wàn)片,同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進(jìn)及明年轉進(jìn)42nm,預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(cháng)率居全球之冠,以品牌銷(xiāo)售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
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臺系DRAM廠(chǎng)的轉型與挑戰

  •   根據集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange最新研究報告指出,臺系DRAM廠(chǎng)中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進(jìn)兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長(cháng)年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片,明年上半年可達6萬(wàn)片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿(mǎn)載產(chǎn)能13萬(wàn)片,同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進(jìn)及明年轉進(jìn)42nm,預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(cháng)率居全球之冠,以品牌銷(xiāo)售顆料計,南科明年將成為臺灣DRAM廠(chǎng)之冠。   
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NAND Flash市況兩極 靜待8月底補貨潮

  •   2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年,好不容易熬到第3季傳統旺季,8月初合約價(jià)卻還是跌不停,存儲器業(yè)者表示,蘋(píng)果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠(chǎng)需求仍十分強勁,但零售市場(chǎng)買(mǎi)氣不振,模塊廠(chǎng)拿貨意愿不高,把平均合約價(jià)給拉下來(lái),其中,三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應蘋(píng)果,走貨較順暢,但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高,但又不愿降價(jià),與模塊廠(chǎng)陷入僵局。   近期大陸因為亞運因素,
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器   NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù),1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]

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