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nor flash 文章 進(jìn)入nor flash技術(shù)社區
采用AVR Flash微控制器的電動(dòng)車(chē)窗防夾系統
- 汽車(chē)上可自動(dòng)關(guān)閉的電動(dòng)車(chē)窗或車(chē)門(mén)設備潛藏著(zhù)卡死，擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動(dòng)以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著(zhù)必須持續監視速度、電流和玻璃的位置。 由于成本和簡(jiǎn)化的原因，本文所描述的系統使用普通的帶有霍爾效應傳感器的刷式馬達?；谒俣群团ぞ貙档臋z測算法已通過(guò)健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉換器和通過(guò)變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應用筆記有關(guān)于實(shí)現的詳細描述。 現代
- 關(guān)鍵字： AVR Flash 微控制器 汽車(chē)電子控制裝置
NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應用領(lǐng)域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場(chǎng)發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過(guò)NB與PC的采用，以混合式硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴大市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(cháng)至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過(guò)去幾年快速擴充產(chǎn)品應用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應用比例最高的數碼相機，到2006年MP3 Pla
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴展實(shí)現
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應用。在現代數字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數據，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉，可在線(xiàn)電擦寫(xiě)，信息在掉電后不會(huì )丟失，因此成為設計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類(lèi)：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 FPGA Flash 串 MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴展實(shí)現
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應用。在現代數字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數據，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉，可在線(xiàn)電擦寫(xiě)，信息在掉電后不會(huì )丟失，因此成為設計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類(lèi)：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
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大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò )存儲中的應用
- 1 引言 隨著(zhù)嵌入式系統廣泛應用，嵌入式系統中的數據存儲和數據管理則成為設計人員考慮的重點(diǎn)。在許多現場(chǎng)不可達數據采集應用中采用分布式數據存儲，必然帶來(lái)數據管理的不便，因此，集中管理數據成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò )傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統數據，采用C/S模式管理數據。對于大容量數據存儲，選擇介質(zhì)存儲是需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題。目前大多采用IDE硬盤(pán)或SCSI硬盤(pán)存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無(wú)法長(cháng)期在惡劣的環(huán)境中長(cháng)期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
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年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價(jià)短期平穩
- 11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%，比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小，主要是因為下游客戶(hù)在10月已陸續進(jìn)行降低庫存的動(dòng)作，加上市場(chǎng)預期11月中旬要開(kāi)始準備年底旺季的備貨需求，根據集邦科技(DRAMeXchange)觀(guān)察，NAND Flash價(jià)格走勢在11月初已經(jīng)出現止跌回穩的現象。 隨著(zhù)NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應量提高后，下游客戶(hù)采購顆粒開(kāi)始轉向以8Gb和16Gb MLC為主流，導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規格來(lái)得顯著(zhù)。有鑒于9月以來(lái)
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奧地利微電子為代工用戶(hù)擴展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項目晶圓服務(wù)
- 奧地利微電子的全方位服務(wù)晶圓代工廠(chǎng)業(yè)務(wù)部推出一份更加全面的 2008 年度時(shí)間表，擴展了其具有成本效益的、快速的專(zhuān)用集成電路(ASIC)原型服務(wù)，即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復運行(shuttle run)。該服務(wù)將來(lái)自不同用戶(hù)的若干設計結合在一個(gè)晶圓上，有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。 RF多項目晶圓服務(wù) 奧地利微電子的 MPW 服務(wù)包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
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07年第三季NAND Flash廠(chǎng)營(yíng)收逼近39億美元
- 根據集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營(yíng)收市占率報告指出，NANDFlash品牌廠(chǎng)商在2007年第三季整體營(yíng)收表現亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長(cháng)了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長(cháng)約30%;而就營(yíng)收排行而言，三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營(yíng)收均有顯著(zhù)的增長(cháng)。 由于第三季為傳統NANDFlash下游客戶(hù)的備貨旺
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NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù)，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內人
- 關(guān)鍵字： NAND NOR flash 集成電路 存儲器
單片機的FLASH引導裝載系統設計
- 前言DSP系統的引導裝載是指在系統加電時(shí)，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執行的過(guò)程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內部資源的高速效能。因此，引導裝載系統的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統的可靠性和處理速度，是DSP系統設計中必不可少的重要環(huán)節。在裝載系統中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫(xiě)存儲器，而且單位存儲比特的價(jià)格比傳統EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 FLASH 裝載系統 DSP 單板計算機
C8051F的超大容量Flash存儲器擴展
- 摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤(pán)、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對實(shí)際應用系統給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規律。 關(guān)鍵詞：NAND Flash 數據存儲 C8051F 引 言 大容量數據存儲是單片機應用系統的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 數據存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器
TMS320C6713的FLASH引導裝載系統設計
- 前言 DSP系統的引導裝載是指在系統加電時(shí)，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執行的過(guò)程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內部資源的高速效能。因此，引導裝載系統的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統的可靠性和處理速度，是DSP系統設計中必不可少的重要環(huán)節。在裝載系統中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫(xiě)存儲器，而且單位存儲比特的價(jià)格比傳統EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 TMS320C6713 FLASH 中間件 軟件庫
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù),1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]
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