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美光第二代3D NAND年底大規模量產(chǎn)
- 今年DRAM內存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產(chǎn)了。 對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現在市場(chǎng)上很多SSD都轉向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫(xiě)入壽命，3D NAND閃存都要比傳統2
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
?NAND缺口達顛峰 推升SSD價(jià)漲逾10%
- DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩健成長(cháng)，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產(chǎn)品別價(jià)格續創(chuàng )年度新高，預估缺貨態(tài)勢將持續至2017年第1季，屆時(shí)企業(yè)級與用戶(hù)級SSD合約價(jià)漲幅將超過(guò)10%，行動(dòng)式相關(guān)產(chǎn)品的eMMC/UFS價(jià)格漲幅將更高。 今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價(jià)格創(chuàng )下年度新高、eMMC/UFS合約價(jià)季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶(hù)級SSD合約價(jià)也上漲5～10%。 DRAM
- 關(guān)鍵字： ?NAND SSD
不甘心三星拿下NAND市場(chǎng)最大份額 Intel推出市場(chǎng)最低價(jià)產(chǎn)品
- 三星在手機市場(chǎng)遭遇一定挫折，不過(guò)由于全球手機的出貨量成長(cháng)以及對更大容量的內存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場(chǎng)成為大贏(yíng)家，據TrendForce的數據顯示營(yíng)收同比增長(cháng)20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng )下新高。 目前3D NAND技術(shù)正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術(shù)可以提供提高存儲器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠比工藝更高2D NAND技術(shù)數倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
- 關(guān)鍵字： Intel NAND
三星Q3穩居全球NAND市占王，東芝開(kāi)倒車(chē)、被遠遠甩開(kāi)
- 三星憑藉著(zhù)技術(shù)優(yōu)勢，NAND快閃存儲器市占率逐季甩開(kāi)東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩。 市調機構DRAMeXchange最新數據顯示，三星第三季NAND存儲器營(yíng)收來(lái)到37.44億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。(韓國經(jīng)濟日報) 同期間，東芝NAND存儲器營(yíng)收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個(gè)百分點(diǎn)成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴大至16.8%，此為歷史新高水平。 剛完成并購S(chǎng)anDisk的Western Digital市占率達17.1%
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
[ARM筆記](méi)驅動(dòng)對設備的識別過(guò)程及實(shí)例——NAND Flash
- 驅動(dòng)程序識別設備時(shí)，有以下兩種方法： (1)驅動(dòng)程序本身帶有設備信息，比如開(kāi)始地址、中斷號等;加載驅動(dòng)程序時(shí)，就可以根據這些信息來(lái)識別設備?！ ?2)驅動(dòng)程序本身沒(méi)有設備信息，但是內核中已經(jīng)(或以后)根據其他方式確定了很多設備的信息;加載驅動(dòng)程序時(shí)，將驅動(dòng)程序與這些設備逐個(gè)比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅動(dòng)程序與某個(gè)設備匹配，就可以通過(guò)該驅動(dòng)程序來(lái)操作這個(gè)設備了?！ 群顺Ｊ褂玫诙N方法來(lái)識別設備，這可以將各種設備集中在一個(gè)文件中管理，當開(kāi)發(fā)板的配置改變時(shí)，便于修改代碼。在內核文件incl
- 關(guān)鍵字： NAND 驅動(dòng)
NAND Flash供不應求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(cháng)19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進(jìn)3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠(chǎng)營(yíng)收季成長(cháng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進(jìn)入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著(zhù)，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠(chǎng)商的營(yíng)收
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 英特爾
SSD價(jià)格2016年來(lái)首度大漲，明年第一季價(jià)格估將持續走升
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤(pán))合約均價(jià)近一年來(lái)首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實(shí)際銷(xiāo)售狀況仍保守，但由于非三星陣營(yíng)的原廠(chǎng)仍處于3D-NAND Flash轉換陣痛期，及龍頭廠(chǎng)商持續以提升獲利為主要策略下，預估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價(jià)仍將持
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)程分析
- 在理解bootloader后,花些時(shí)間重新學(xué)習了開(kāi)源軟件的makefile和相關(guān)腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
- 關(guān)鍵字： ARM匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
大陸存儲器需求進(jìn)展超預期 東芝經(jīng)營(yíng)壓力暫時(shí)松口氣
- 日本存儲器大廠(chǎng)東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場(chǎng)需求大，帶動(dòng)價(jià)格上揚，2016上半會(huì )計年度(4~9月)的財報也因而受惠，表現亮眼。 東芝財務(wù)長(cháng)平田政善在11日東芝財報記者會(huì )上說(shuō)明，由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預期。 平田表示，在當今智能手機大打硬件規格戰，競爭激烈的情況下，大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當初預期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據日經(jīng)調查，目前市況單一標準規格存儲器約3美元，價(jià)格
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash
- 據韓國經(jīng)濟報導，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過(guò)客戶(hù)端認證，最快將從11月底正式啟動(dòng)量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬(wàn)~3萬(wàn)片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開(kāi)始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
- 關(guān)鍵字： SK海力士 NAND
中國半導體市場(chǎng)暢旺 東芝再次上調 2016 上半年獲利預估
- 根據彭博社的報導，受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務(wù)的營(yíng)收成長(cháng)，加上撙節計畫(huà)的奏效，日本最大半導體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預期營(yíng)業(yè)利益上調 36%，來(lái)到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 )，似乎已經(jīng)完全走出過(guò)去因作假帳所造成的經(jīng)營(yíng)低潮期。 根據報導，東芝在聲明中表示，除了上調 2016 年上半年的預期營(yíng)業(yè)利益之外，還同時(shí)微幅上調了上半年的預期營(yíng)收，從 2.55 兆日圓上調至 2.58 兆日圓。根據彭博社的統計資料顯示
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開(kāi)發(fā)設計保駕護航 以相同的成本，卻能達到倍增的容量，各家內存大廠(chǎng)對3D NAND創(chuàng )新技術(shù)的強力投入，預告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(pán)(SSD)爆發(fā)成長(cháng)的起點(diǎn)。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性?xún)却娓咚僖幐?超高傳輸接口的普及登場(chǎng)。容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(cháng)、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預期將大幅拉近與傳統硬盤(pán)市場(chǎng)的規模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
關(guān)于NAND閃存顆粒 你必須知道這些事兒
- 隨著(zhù)近段時(shí)間以來(lái)，固態(tài)硬盤(pán)、內存條甚至優(yōu)盤(pán)等存儲設備的大幅度一致性漲價(jià)，影響著(zhù)存儲設備漲價(jià)的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒，開(kāi)始浮出水面，被越來(lái)越多的業(yè)內人士，反復解讀。 那么，在價(jià)格上起著(zhù)關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設備的價(jià)格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區別?下面，我們一起來(lái)聊聊NAND閃存顆粒這些年。 閃存顆粒的釋義及廠(chǎng)商 閃存顆粒，又稱(chēng)閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數據，而且是以固定的區塊為單
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以?xún)Υ鏀祿橹?，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)Υ娉绦虼a為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細 ]
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