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第二季NAND Flash品牌營(yíng)收排行
- 第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收較上季成長(cháng)3.4%，結束前兩季連續衰退的頹勢。 受惠于中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，2016年第二季eMMC、用戶(hù)級固態(tài)硬碟與企業(yè)級固態(tài)硬碟的合約價(jià)跌幅開(kāi)始收斂，通路端wafer價(jià)格更從四月起逐月走揚，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢季成長(cháng)3.4%，結束前兩季連續衰退的頹勢。 DRAM
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
美光3D NAND創(chuàng )新低成本制程分析
- 美光公司日前開(kāi)始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續讀取/寫(xiě)入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動(dòng)器(HDD)改善了90倍，據稱(chēng)也更加耐用。 Crucial SSD的售價(jià)為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發(fā)現有越來(lái)越多的電腦設備開(kāi)始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰，不過(guò)必須承認的
- 關(guān)鍵字： 美光 3D NAND
TrendForce：市況逐步回穩，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收季成長(cháng)3.4%
- 受惠于中國智能手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。 TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新報告顯示，第二季eMMC、消費級固態(tài)硬盤(pán)與企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)的合約價(jià)跌幅開(kāi)始收斂，渠道端wafer價(jià)格更從4月起逐月上揚，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢季成長(cháng)3.4%，結束前兩季度連續衰退的頹勢。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第三季
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升
- 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤(pán)驅動(dòng)器已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比，具有包
- 關(guān)鍵字： 3D垂直閃存 V-NAND 固態(tài)硬盤(pán)
三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化
- 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節省電力消耗，并提高了急需
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤(pán)
NAND flash和NOR flash的區別詳解
- 我們使用的智能手機除了有一個(gè)可用的空間(如蘋(píng)果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲呢，這就是我
- 關(guān)鍵字： NOR flash Nand flash FlaSh
如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉
- 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉,關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶(hù)頭疼的難點(diǎn)，他們強調已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高，只能每天眼睜睜看著(zhù)一盤(pán)盤(pán)“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!
- 關(guān)鍵字： 燒錄 SmartPRO 6000 Nand Flash
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以?xún)Υ鏀祿橹?，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)Υ娉绦虼a為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細 ]
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