東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊
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東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時(shí)該模塊符合最新的e·MMC™標準，旨在應用于智能手機、平板電腦和數字攝像機等廣泛的數字消費品。批量生產(chǎn)將從11月底開(kāi)始。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/197985.htm市場(chǎng)對能夠支持高分辨率視頻和提供更大存儲空間的大容量NAND閃存芯片的需求不斷增長(cháng)。這種需求在包含控制器功能的嵌入式存儲器領(lǐng)域尤為明顯，這種嵌入式存儲器可以使開(kāi)發(fā)要求降至最低，并使系統整合設計更加便利。東芝正通過(guò)強化其大容量存儲器產(chǎn)品系列來(lái)滿(mǎn)足這一需求。
東芝公司的新型32GB e·MMC在11.5 x 13 x 1.0mm的小封裝中整合了4個(gè)64Gbit(相當于8GB)NAND芯片(采用東芝的19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造)和一個(gè)專(zhuān)用控制器。它符合JEDEC于9月發(fā)布的JEDECC e·MMC™ 5.0版標準，并且通過(guò)采用新的HS400高速接口標準實(shí)現了高讀寫(xiě)性能。
東芝將在容量為4GB至128GB的e·MMC中使用這些NAND芯片。所有e·MMC都將整合一個(gè)控制器來(lái)管理NAND應用的基本控制功能。
新產(chǎn)品系列
|
產(chǎn)品名稱(chēng) |
容量 | 封裝 | 量產(chǎn) |
|---|---|---|---|
|
THGBMBG8D4KBAIR |
32GB |
FBGA153 |
2013年11月底 |
|
THGBMBG7D2KBAIL |
16GB |
FBGA153 |
2013年11月底 |
在16GB和32GB產(chǎn)品之后，東芝將依次推出4GB、8GB、64GB和128GB產(chǎn)品。
主要功能
♦ 符合JEDEC e·MMC™ 5.0版標準的接口可以處理基本功能，包括壞塊管理、ECC和驅動(dòng)軟件。它可簡(jiǎn)化系統開(kāi)發(fā)，最小化制造商的開(kāi)發(fā)成本，并加快新產(chǎn)品和升級產(chǎn)品的上市速度。
♦ 128GB e·MMC產(chǎn)品能夠以128Kbps比特率記錄長(cháng)達2,222小時(shí)的音樂(lè )、16.6小時(shí)的全高清視頻和38.4小時(shí)的標清視頻。
♦ 新產(chǎn)品采用使用19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造的NAND閃存芯片。
♦ 新產(chǎn)品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝，并且擁有符合JEDEC e·MMC™ 5.0版標準的信號(引腳)布局。
主要規格
| 產(chǎn)品名稱(chēng) | THGBMBG8D4KBAIR | THGBMBG7D2KBAIL |
|---|---|---|
| 接口 | JEDEC e·MMC™5.0版標準的HS-MMC接口 | |
| 容量 | 32GB | 16GB |
| 電源電壓 | 2.7～3.6V（VCC，存儲器核心） 1.7V～1.95V/2.7V～3.6V（VCCQ，接口） |
|
| 總線(xiàn)寬度 | x1 / x4 / x8 | |
| 寫(xiě)入速度 | 90MB/s （順序/HS400模式） | 50MB/s （順序/HS400模式） |
| 讀取速度 | 270MB/s （順序/HS400模式） | 270MB/s （順序/HS400模式） |
| 溫度范圍 | -25degrees至+85℃ | |
| 封裝 | 153Ball FBGA 11.5 x 13 x 1.0mm |
153Ball FBGA 11.5 x 13 x 0.8mm |
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